【課題】超電導線材の外気に対する気密性を維持しつつ、超電導線材の位置決めを容易かつ正確に行うことができる酸化物超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物超電導線材の製造方法は、テープ状の安定化層および安定化層上に形成されたはんだ層を有する保護用線材を、はんだ層が内側となるように保護用線材の幅方向の中間部を中心に折り曲げて折り曲げ部を有する折り曲げ体を形成する折り曲げ工程Ｓ１と、金属基材と中間層と酸化物超電導層と保護層とを積層させて備えたテープ状の超電導積層体を折り曲げ体の内面に沿わせて折り曲げ体の内側に超電導積層体を収容する収容工程Ｓ２と、折り曲げ体により超電導積層体を囲み、超電導積層体の周囲に存在するはんだ層を溶融凝固させて超電導積層体を固定する固定工程Ｓ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長したセラミックス膜が形成された金属基板を用いて、セラミックス膜上に酸化物超電導層薄膜をエピタキシャル成長させ、超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】供給リールから巻出されて巻取リールに送られる長尺の配向金属テープ上に、蒸着法を用いて、セラミックス膜を成膜する酸化物超電導薄膜線材用金属基板の製造方法であって、セラミックス膜の成膜に先立って、配向金属テープに対して、温度６００℃〜８２０℃、圧力１０^−２Ｐａ以下でプレアニールを行うプレアニール工程が設けられている酸化物超電導薄膜線材用金属基板の製造方法。前記製造方法を用いて製造されている酸化物超電導薄膜線材用金属基板。前記酸化物超電導薄膜線材用金属基板の上に、酸化物超電導薄膜が成膜されている酸化物超電導薄膜線材。 （もっと読む）

【課題】Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜の結晶配向性を制御でき、優れたデバイスとなる超伝導体薄膜の提供を目的とする。
【解決手段】基板材料の表面に形成したＬａＮｉＯ_３薄膜層と、当該ＬａＮｉＯ_３薄膜層の上に形成されたＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系薄膜層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗さに起因する超電導特性の低下を抑制し、かつ、生産効率の良い、Ｒｅ系酸化物超電導線材を提供すること。
【解決手段】基板１１の直上にＭＯＤ法により第１中間層１２を形成し、第１中間層１２の上にＭＯＤ法により酸化セリウムからなる第２中間層１３を形成し、第２中間層１３の直上にＭＯＤ法によりＲｅＢａＣｕＯからなる超電導層１４を形成する。これにより、第１中間層１２、第２中間層１３及び超電導層１４を全てＭＯＤ法により作製するので、速い製造速度で、かつ、低い設備コストで、Ｒｅ系酸化物超電導線材１０を作製できる。第１中間層１２の塗布工程時に、基板１１の凹凸面１１ａの凹凸が溶液によって平滑化されるので、基板１１の表面を電解研磨などによって平滑化しなくても済む。さらに、中間層を多層構造としているので、クラックの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】大電流が通電される場合でも、磁場による臨界電流の低下を低減できる超電導機器を提供する。
【解決手段】超電導ケーブル(超電導機器)1は、希土類元素を含む酸化物からなる超電導相を基板上に具えた超電導線材を巻回してなる内側超電導層12及び外側超電導層14を具える。内側超電導層12は、通電時、超電導線材に加わる主たる磁場の向きが当該超電導線材の長手方向に平行するように形成された軸方向磁場印加層である。各超電導層12,14を構成する超電導線材の巻回方向は同一方向であり、かつ両超電導層12,14では巻回方向が異なる。内側超電導層12を構成する各超電導線材層のピッチは、外側が内側よりも小さい。この構成により、内側超電導層12を構成する超電導線材には、通電時、軸方向磁場が印加され、平行磁場の印加による臨界電流の低下を低減できる。 （もっと読む）

【課題】磁化及び交流損失が極めて小さいＲＥＢＣＯ超電導線材を製造し得る、直流磁場中で磁化が極めて小さいか、又は、変動磁場中のピンニングロスが極めて小さい電磁特性を有するＲＥＢＣＯ超電導体を提供する。
【解決手段】超電導現象が発現する温度域において、外部磁場が増加から減少に、又は、減少から増加に転じて形成される磁化曲線が、磁化ゼロ近傍で、磁化変化率が略ゼロで推移する磁化ゼロ区域を有することを特徴とするＲＥ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-z超電導体。ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｐｒ、及び、Ｈｏの１種又は２種以上。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層をＡｌ溶融めっき層と電解めっきによる金属製の安定化層で保護した構造の酸化物超電導線材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材は、基材と、該基材上に設けられた中間層と酸化物超電導層と、該酸化物超電導層上に設けられたＡｇの安定化基層とを備えて酸化物超電導積層体が構成され、該酸化物超電導積層体の周面側に該周面全体を覆うＡｌ溶融めっき層が被覆され、該Ａｌ溶融めっき層の外周側に電解めっきによる金属製の安定化層が積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して磁場角度依存性に優れた超電導体を提供する。
【解決手段】基板上にＧｄＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_7-δ（δ＝０〜１）の超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記超電導層の内部に、柱状又は棒状のＢａＺｒＯ_３が、超電導結晶のｃ軸に対して傾き、かつ、隣接する長手方向がねじれる状態で分散していることを特徴とする酸化物超電導線材。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）