【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】内部の気孔を低減し得るとともに、高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック複合材料を提供する。
【解決手段】ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ３０〜６０％、ＢａＯ １０〜４０％、ＣａＯ ０〜３０％、ＭｇＯ ０〜３０％を含有し、質量比で、１＜ＳｉＯ_２／ＢａＯ＜３の関係を満たすガラス粉末と、Ａｌ成分を含有するセラミック粉末と、を含有するガラスセラミック複合材料であって、熱処理によって、主結晶としてセルジアン結晶を析出することを特徴とするガラスセラミック複合材料。 （もっと読む）

【課題】圧電性能が良好な（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを提供する。また本発明は、前記（１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３の配向性圧電セラミックスを用いた圧電素子、ならびに前記圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる金属酸化物を主成分として含み、鉛とカリウムの含有量は各々１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする配向性圧電セラミックス一般式（１） （１−ｘ）ＮａＮｂＯ_３−ｘＢａＴｉＯ_３（式中、 ０ ＜ ｘ ＜ ０．３）。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸ナトリウムを含む配向セラミックスの製造方法およびその原料を提供する。
【解決手段】各辺の長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の直方体状であり、前記直方体の少なくとも１つの面が、擬立方晶表記で（１００）面であるニオブ酸ナトリウム粒子からなるニオブ酸ナトリウム粉末であり、前記ニオブ酸ナトリウム粉末がペロブスカイト単相構造であることを特徴とするニオブ酸ナトリウム粉末。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を抑制することができる酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉を提供すること。
【解決手段】焼結後の冷却時に膨張する金属酸化物粉を含む圧粉体を形成する工程と、該圧粉体を型内に配置し該型内の前記圧粉体の外周に緩衝粉を充填した状態で熱間加工して酸化物スパッタリングターゲットとなる酸化物焼結体４を作製する工程とを有し、緩衝粉３を、熱間加工時の加熱により焼結すると共に焼結後の冷却時に酸化物焼結体４の膨張により緩衝粉３による焼結体が割れる粉末とする。 （もっと読む）

【課題】高移動度の薄膜トランジスタ、その製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。
領域１
０．５８≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６８
０．１５＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２９
領域２
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．０９≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．２０
領域３
０．４５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＜０．５８
０．２０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．２７ （もっと読む）

【課題】 従来、埋め立て処分や焼却処分による破棄処分によらなければ、大量の処理をできなかった貝殻廃棄物を、多量に処理でき、かつ、処理後には有効に利用できる物質へと変換できる貝殻の有効利用方法を提供する。
【解決手段】 貝殻を粉砕し石炭灰と混合して、及び／又は、貝殻と石炭灰を混合後に粉砕して、貝殻粉末と石炭灰の混合粉末を得、これを１０００〜１４００℃の温度で焼成する、アノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）を含有する焼成物とする。この際、混合粉末の化学組成が、ＳｉＯ_２を３４〜６３質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を２２〜４２質量％、ＣａＯを１２〜２８質量％（特に含ＳｉＯ_２を４０〜５５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３を２７〜３７質量％、ＣａＯを１５〜２３質量％）含むようにすると、焼成物中のアノーサイトの割合がいっそう高くなる。該アノーサイトを含む焼成物は、セメントの混合材や細骨材として有効に利用できる。 （もっと読む）

【課題】異常放電やノジュールの発生が少ない、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】２θ＝７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°、５６．５°〜５９．５°、１４．８°〜１６．２°、２２．３°〜２４．３°、３２．２°〜３４．２°、４３．１°〜４６．１°、４６．２°〜４９．２°及び６２．７°〜６６．７°の領域Ａ〜Ｋに回折ピークを有する酸化物Ａと、ＩｎＧａＺｎＯ_４とを含有するスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】膜厚５μｍ以上で優れた圧電特性を有するＫＮＮ膜を用いた圧電膜素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、下部電極層２と、組成式（Ｋ_1-xＮａ_x）ＮｂＯ₃（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜３と、上部電極４とを備える圧電膜素子１０で、圧電膜３は、膜厚が５μｍ以上であり、ペロブスカイト構造の擬立方晶、正方晶、斜方晶のいずれかの構造からなり、特定の面方位に優先配向しているものである。 （もっと読む）