【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、
前記緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比４以上１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックスを含み、該アルミナ質セラミックスが、アルミナ以外の成分系として、それぞれ０．１〜６質量％の、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、希土類酸化物（ＲＥ_２Ｏ_３及び／又はＲＥＯ_２、ＲＥ：希土類元素）、酸化鉄(Ｆｅ_３Ｏ_４及び/又はＦｅ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、クロミア（Ｃｒ_２Ｏ_３）、前記以外の遷移金属酸化物、又は、これらの複合酸化物の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする蓄熱部材。 （もっと読む）

【課題】発光素子搭載基板の抗折強度を低下させずにサーマルビアの凸状高さを低くした発光装置を提供する。
【解決手段】モル百分率表示で、ＳｉＯ_２を５７〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３を１４〜１８％、 ＣａＯを９〜２３％、Ａｌ_２Ｏ_３を３〜８％、Ｋ_２ＯおよびＮａ_２Ｏの少なくともいずれか一方を合計で３〜６％でかつＮａ_２Ｏを２％以上含有し、鉛酸化物を含有しないガラス粉末とセラミックスフィラーとを含有する発光素子搭載基板用ガラスセラミックス組成物。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットが、ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。さらに、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，ＩｎおよびＺｎ：残とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４７．６、０．２２≦Ｉｎ（原子比）／Ｚｎ（原子比）≦４．６８、の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 歪みが小さい多結晶シリコン焼結体を、複数枚同時に製造することを可能とする多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン粉末および成形助剤の混合粉を成形してなる複数の板状成形体を積層配置すること、前記積層配置した成形体の最上部に荷重をかけること、および前記積層配置し、荷重をかけられた成形体を、非酸化性雰囲気下もしくは還元性雰囲気下で焼成処理することを具備することを特徴とする多結晶シリコン焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を実現する電気化学セル及びその発電方法を提供する。
【解決手段】上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体（電解質）、空気（酸素）と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造を有し、燃料極と空気極は接触することなく電解質によって分離され、燃料ガスとの界面である燃料極表面全面あるいは一部に電気化学反応を促進する多孔質構造の機能層が積層されている構造を有する電気化学セル。
【効果】気体水素燃料を利用する電気化学発電システムにおいて、気体水素燃料ガスの燃料極内部拡散による抵抗を大幅に低減し、７００℃以下の中低温域においても発電効率４０％以上を単セルレベルで実現することを可能とする、環境・エネルギー問題の解決に資する高効率な電気化学反応システムを提供できる。 （もっと読む）

【課題】金属発熱部分が無く、一体型で取扱性に優れた、しかも誘導加熱（ＩＨ加熱）が可能な、土鍋状の容器並びにその製造方法を提供することを課題とした。
【解決手段】
本発明は底部が平坦であり、導電性セラミックス、及び／又は表面をセラミックス化した金属を少なくとも底部に含有するシリカ・アルミナを主とするセラミックスから成る、誘導加熱により加熱することが出来る土鍋状容器であり、該土鍋状容器の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 金属層の焼結が十分に進行し、金属層中に樹脂等の不純物残渣が少なく、かつ、金属層の空隙率が高いセラミック部材を製造する。
【解決手段】 金属成分Ｍ_１を含む複数の金属ペースト層がセラミックグリーンシートを介して積層された積層成形体を作製する工程と、この積層成形体を焼成する工程とを含み、金属ペースト層に含まれる金属成分総量に対する金属成分Ｍ_１の質量百分率をＸとするとき、積層成形体を作製する工程において、複数の金属ペースト層のうちの少なくとも１層を、積層方向に隣り合う両側の第２金属ペースト層２４ａよりも質量百分率Ｘが低い第１金属ペースト層２２ａとし、この第１金属ペースト層に隣り合う両側の第２金属ペースト層にセラミック粉末を含有させる。第２金属ペースト層２４ａが焼結してなる第２金属層２４が、第１金属ペースト層２２ａが焼結してなる第１金属層２２よりも空隙が多いものとなる。 （もっと読む）

【課題】アノード支持基板と電解質層とを有するアノード支持型ハーフセルであって、その周縁部の反り上がりを低減されており、セルスタックとして多層積層した場合でも割れや破損を生じ難く、周縁部のシール性に優れ、且つ、スクリーン印刷によりカソード層を安定して形成できるアノード支持型ハーフセルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のアノード支持型ハーフセルは、アノード支持基板と、前記アノード支持基板に積層された電解質層とを有するアノード支持型ハーフセルであって、電解質層が上面となるように載置し、レーザー光学式三次元形状測定装置を使用し、電解質層表面にレーザー光を照射してその反射光を三次元解析することにより求められる電解質層周縁端部の高さ（ｈ１）と、周縁端部からハーフセルの中心方向に３ｍｍの位置における電解質層の高さ（ｈ２）との差（Δｈ）が１００μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）