【課題】 ジルコニア系電解質およびセリア系電解質を備える電解質膜において導電率低下を抑制する。
【解決手段】 電解質膜（３０）の製造方法は、セリア系電解質グリーン層（３１）とジルコニア系電解質グリーン層（３３）との間に、前記セリア系電解質（３１）と前記ジルコニア系電解質（３３）とに対して共通して添加されるドーパント元素の酸化物層（３２）が配置された積層体を準備する準備工程と、前記積層体を焼成する焼成工程と、を含む。電解質膜（３０）は、セリア系電解質層（４１）と、ジルコニア系電解質層（４２）と、を備え、前記セリア系電解質層（４１）のドーパント元素は、前記ジルコニア系電解質層（４２）のドーパント元素と同一である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【解決手段】ＰｂおよびＣｄの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば１３００℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 （もっと読む）

【課題】セラミック粒子（単結晶粒子）よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(１)セラミック粒子ＣＰを多数含むスラリーＳＬ１を用意する準備ステップ、(２)スラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに分散力を付与することによって各セラミック粒子ＣＰをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(３)分散ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに磁場を印加することによって各セラミック粒子ＣＰの結晶方位を揃える配向ステップ、(４)配向ステップ後のスラリーＳＬ１中のセラミック粒子ＣＰに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子ＣＰが凝集したセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを作製する凝集ステップ、(５)凝集ステップ後のスラリーＳＬ１からセラミック粒子集合体ＡＳｃｐを取り出す取出ステップ、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６
但し、ＭはＢａ、Ｃａ及びＳｒの中のいずれか一つであり、ＮはＳｎ、Ｚｒ及びＴｉの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）の組成式で
表現される組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜３５％、ＳｒＯ ２５〜６５％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｃａ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、ＷＯ_ｘ膜をＤＣスパッタにより成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、ＷＯ_２相とＷ_１８Ｏ_４９相との２相以上からなる組織を有した酸化タングステンの焼結体であり、ＷＯ_２相の組織中の割合が、５％以上である。このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＷＯ_２と、Ｗ_１８Ｏ_４９及びＷＯ_３の少なくとも一方とを含有した酸化タングステン粉を作製する工程と、該酸化タングステン粉を真空中でホットプレスにて焼結し、酸化タングステンの焼結体とする工程とを有し、前記酸化タングステン粉中の前記ＷＯ_２の含有量を、５〜９５ｍｏｌ％とする。 （もっと読む）

【課題】熱間補修に汎用される焼付け補修材を前提とし、補修部位からの補修材の流下を抑制して、補修部位に補修材を効率的に積層でき、補修部位の耐用性を向上可能とする焼付け補修材を提供する。
【解決手段】溶湯容器１１の稼動面１２の熱間補修に使用される焼付け補修材１０であり、使用済みのマグネシア・クロミアれんがを有する骨材を６５質量％以上９５質量％以下含み、骨材は、使用済みのマグネシア・クロミアれんがを粉砕してなるクロミアを、骨材の全量に対して８質量％以上５０質量％以下含み、かつ骨材中の篩目１００μｍアンダーが骨材の全量に対して５質量％以上５０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキを低減し、かつ特性が良好である射出成形用組成物を提供すること。
【解決手段】フェライト粒子の集合であるフェライト粉末と第１バインダと第２バインダとを有する射出成形用組成物であって、第２バインダは軟化点が第１バインダの軟化点よりも低く、フェライト粉末の重量をＷｐ、比表面積をＳとし、第１バインダ、第２バインダの重量をＷｂ１、Ｗｂ２、密度をＤｂ１、Ｄｂ２とし、第１バインダの仮想厚みＴｂ１が２．０〜１５．０、第２バインダの仮想厚みＴｂ２が１６．５〜３２．０である。該組成物中には、フェライト粒子の外周を第１バインダおよび第２バインダが覆う被覆フェライト粒子が存在することが好ましい。
Ｔｂ１[ｎｍ]＝（Ｗｂ１×１０^３）／（Ｄｂ１×Ｗｐ×Ｓ）…式１
Ｔｂ２[ｎｍ]＝（Ｗｂ２×１０^３）／（Ｄｂ２×Ｗｐ×Ｓ）…式２ （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）