国際特許分類[C22C19/03]の内容
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Pbフリーはんだ及び電子部品内蔵モジュール
【課題】二部材を接合する際における作業性の低下を抑制しつつ、二部材を接合した後のはんだを再加熱した場合に、はんだの溶融を抑制すること。
【解決手段】第1はんだ6Hは、Pbを含まないPbフリーはんだである。第1はんだ6Hは、少なくともSnを含む第1金属6HAと、少なくともNi−Fe合金を含む第2金属6HBと、を含む。第1金属6HA及び第2金属6HBは、いずれも粒状である。第2金属6HBの平均粒子径は、3μm以上50μm以下である。第2金属6HBの割合は、第1はんだ6Hの全質量に対して5質量%以上30質量%以下である。
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Ni合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに半導体素子の製造方法
【課題】 長期間使用できるNi合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提
供する。
【解決手段】 平均結晶粒径1000μm以下のNi合金からなるNi合金スパッタリン
グターゲットにおいて、スパッタ面の結晶配向がランダム配向であり、ターゲットの厚さ
方向の中心面の結晶配向のランダム配向であることを特徴とするNi合金スパッタリング
ターゲット。粉末にしてX線回折を行ってもピークの順番が変わらないことが好ましい。
また、厚さが3mm以上であることが好ましい。
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ダイカストマシン用射出スリーブの製造方法
【課題】 内外の二層からなる複合構造を備え、金型の背面に接続される先端部において欠けが発生し難い射出スリーブの製造方法を提供する。
【解決手段】 外筒1は、炭素鋼で構成され、内筒の第一部分21は、Si:4.3wt%、Mo:21wt%、B:3.0wt%、Ni:残部、からなるニッケル合金で構成され、内筒の第二部分22は、Si:5.5wt%、Mo:11wt%、B:1.8wt%、Ni:残部、からなるニッケル合金で構成される。外筒相当部分1aと中子3との間の環状の隙間に、第二の焼結原料粉末22aを所定の高さまで充填した後、その上に第一の焼結原料粉末21aを充填する。これを、熱間静水圧プレス装置を用いて加熱及び加圧し、第一及び第二の焼結原料粉末を焼結し、互いに接合する同時に外筒相当部分に接合する。
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嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板材及びその製造方法
【課題】摩擦係数が小さく、接触抵抗の経時変化が小さい嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金板上に、Ni被覆層(必要に応じて)、Cu−Sn合金被覆層及びSn被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Sn被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。Ni被覆層の平均厚さは0.1〜1.0μm、Cu−Sn合金被覆層の平均厚さは0.1〜1.0μm、Sn被覆層の平均厚さは0.1〜2.5μmとされている。黒鉛粒子は前記Sn被覆層の表面を面積比率3〜30%で被い、黒鉛粒子のうち粒径2μm以上の黒鉛粒子の平均粒径が3〜30μmで、そのうち粒径10μm以上の粒子の個数の割合が3%以上である。銅又は銅合金板上にNiめっき(必要に応じて)、Cuめっき及びSnめっきを行い、表面に黒鉛粒子を付着させた後、リフロー処理することで製造する。
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高性能バルク金属磁気構成部品
【解決手段】高性能バルク磁気構成部品は、一体に接着結合されて多面体形状部を形成する、複数の結晶性強磁性金属帯板層を含む。励磁周波数「f」でピーク誘導レベルBmaxまで励磁させると、磁気構成部品は、以下の「L」よりも小さいコア損失を示す。Lは、式L=0.0135f(Bmax)1.9+0.000108f1.6(Bmax)1.92によって与えられ、前記コア損失、前記励磁周波数および前記ピーク誘導レベルの単位は、それぞれワット毎キログラム、ヘルツおよびテスラである。
【効果】高性能バルク磁気構成部品の性能特性は、同じ周波数範囲で動作させたケイ素鋼構成部品に比べて、相当に良好である。
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高飽和磁化ニッケル−鉄合金ナノ粒子の製造方法及び高飽和磁化ニッケル−鉄合金ナノ粒子
【課題】飽和磁化の高いナノサイズのニッケル−鉄合金粒子を容易かつ安価に作製することが可能な高飽和磁化ニッケル−鉄合金ナノ粒子の製造方法、及び、この高飽和磁化ニッケル−鉄合金ナノ粒子の製造方法により得られた高飽和磁化ニッケル−鉄合金ナノ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の高飽和磁化ニッケル−鉄合金ナノ粒子の製造方法は、ニッケル塩及び鉄塩を含むエチレングリコール等の多価アルコール溶液に、ヒドラジン(N2H4)及び水酸化ナトリウムを併用した還元反応補助剤を添加して、多価アルコール溶液に含まれるニッケルイオン及び鉄イオンを同時に還元することにより、ニッケル−鉄合金ナノ粒子を生成する。
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環境配慮型プリント配線板用銅箔
【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さい環境配慮型プリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備え、被覆層には、Coが25〜900μg/dm2の被覆量で存在し、XPSによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向(x:単位nm)のコバルトの原子濃度(%)をf(x)とし、銅の原子濃度(%)をg(x)とし、酸素の原子濃度(%)をh(x)とし、炭素の原子濃度(%)をi(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をj(x)とすると、区間[0、1.0]において、∫g(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx)が10%以下で、∫f(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx)が20%以上を満たす。
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繰返し加熱における抵抗率安定性に優れるNi合金電極膜およびNi合金電極膜形成用スパッタリングターゲット
【課題】 低電気抵抗で、かつ繰返しの加熱環境にあって抵抗率安定性に優れるNi合金電極膜、そのNi合金電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 基板上に形成される電極膜であって、0.5〜2.0原子%のWを含有し、残部Niおよび不可避的不純物からなる組成を有し、抵抗率が30μΩcm以下である繰返し加熱における抵抗率安定性に優れるNi合金電極膜である。また、繰返し加熱に曝される電極膜形成用に用いられる0.5〜2.0原子%のWを含有し、残部Niおよび不可避的不純物からなる組成を有するNi合金電極膜形成用スパッタリングターゲットである。
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水素発生用触媒及び水素発生方法
【課題】ヒドラジンの分解反応を利用する水素発生方法において、水素を選択性よく高効率で発生させることができる方法を提供する。
【解決手段】白金とニッケルの複合金属からなる、ヒドラジン及びその水和物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物の分解反応による水素発生用触媒、並びに該触媒を、ヒドラジン及びその水和物からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物に接触させることを特徴とする水素発生方法。
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抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器、およびこれらの製造方法。
【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Cr、AlおよびYから選択される1種以上の添加元素を10〜60質量%含有し、残部がNiと不可避不純物からなるNi合金に、SiO2を主成分とし、B、Mg、Ca、Ba、Al、Zrおよびこれらの酸化物から選択される1種以上を0〜90質量%含有するシリケート系ガラスが3〜20質量%添加されている抵抗体材料を使用する。
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