【課題】高い強度および導電率を有すると共に、金型摩耗を軽減することができる銅合金および銅合金の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の銅合金は、Ｃｏを０．５質量％以上３．０質量％以下、Ｓｉを０．１質量％以上１．０質量％以下、残部としてＣｕおよび不可避不純物を含み、ＣｏとＳｉとの質量比（Ｃｏ／Ｓｉ）が３．０以上５．０以下であり、銅合金の表面部に含まれる析出物の平均粒子径を銅合金の中央部に含まれる析出物の平均粒子径よりも大きくすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属めっき被膜による表面処理ではなく、繰り返し挿抜に対する高い耐久性および高導電率を有する雄端子又は雌端子を製造することができるコネクタ製造用銅合金条を提供する。
【解決手段】雄端子と雌端子とを嵌合してなるコネクタの製造に使用される銅合金条であり、コネクタの嵌合時に、雄端子が雌端子と嵌合する部位、又は雌端子が雄端子と嵌合する部位となる表面３に、幅が銅合金条の基材２の幅と同等或いはそれ以下であり、厚みが１０〜６０μｍであり、クラッドされた後の表面硬度が１３０Ｈｖ以上である嵌合部用金属材４がクラッドされている。 （もっと読む）

【課題】少ない銀合金で長期に亘り安定した接点性能を発揮する耐久性に優れた複合接点を提供する。
【解決手段】小径の基部２の一端部に大径の鍔部３が形成されるとともに、鍔部３の上面部を構成する銀合金からなる接点部４と、接点部４の背面と接合した状態で前記鍔部の下面部を構成する大径部５と基部２とを一体に形成した銅合金からなる足部６とを有し、これら接点部４及び足部６の接合前の材料として、足部６のビッカース硬さが１２５ＨＶ〜１８５ＨＶで、銀合金に対して１００％〜１６０％の硬さを有している。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース，半導体用キャリア，パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下，Ｎ：0.1質量％以下，Ｃ：0.1質量％以下，Al：0.05質量％以下，Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品である。 （もっと読む）

【課題】高強度、高導電率及び優れた耐応力緩和特性を有する電気電子部品用銅合金材、及びこの銅合金材にＳｎめっきを形成した場合に、めっきの耐熱剥離性が優れためっき付き電気電子部品用銅合金材を提供する。
【解決手段】本願第１発明の電気電子部品用銅合金材は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＡｌを適量含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。また、本願第２発明の電気電子部品用銅合金材は、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｉを適量含有し、Ｏ及びＨの含有量を規制し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。その上で、本願第２発明の電気電子部品用銅合金材は、平均結晶粒径を規定値以下とした金属組織を有し、化合物の粒径及び個数密度を規定値以下とする。これにより、高強度、高導電率及び優れた耐応力緩和特性を有する電気電子部品用銅合金材が得られる。 （もっと読む）

【課題】銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、銅箔の取り扱い時に表面にキズが生じ難く、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａと、銅箔の厚みｔとの比率Ｒａ／ｔが０.００４以上０.００７以下であり、集束イオンビームを用い、銅箔の圧延平行方向に沿う長さ２５μｍの断面を作製し、該断面の走査イオン顕微鏡像を観察したとき、銅箔の厚み方向へのせん断帯の到達深さのＬｓの平均値Ｌｓａが、銅箔の厚みｔに対し、０.０１≦Ｌｓａ／ｔ≦０.４の関係を満たす圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】可撓性回路基板において配線を形成した場合にも、曲率半径の小さな繰り返し屈曲を伴うような過酷な使用条件下で優れた耐久性を示す銅箔、銅張積層板、可撓性回路基板、及び銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｎを０．００１質量％以上０．４質量％以下含有し、不可避不純物と残部のＣｕとを有した銅箔であり、銅の単位格子の基本結晶軸＜１００＞が、該銅箔の厚さ方向と箔面内に存在するある一方向との２つの直交軸に対して、それぞれ方位差１５°以内の優先配向領域が面積率で６０％以上を占める銅箔、これを用いた銅張積層板及び可撓性回路基板、並びに銅張積層板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】屈曲性に優れると共に、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔およびその製造方法、並びに銅張積層板を提供する。
【解決手段】200℃で0.5時間焼鈍後にI(200)/I0(200)が50以上であり、かつ触針式表面粗さ計で測定したJIS-B0601に規定する輪郭曲線要素の平均長さをRsmとしたとき、圧延平行方向に測定した値RsmRDと、圧延直角方向に測定した値RsmTDとの比（RsmTD/RsmRD）が2.0以上であり、200℃で0.5時間焼鈍後に、表面（圧延面）の0.5mm四方内に長径20μm以下の結晶粒が占める面積率が20%以上であり、かつ圧延平行断面において圧延方向長さ0.5mmをSEM観察した場合に、銅箔厚み中心を跨ぎかつ長径が20μm以下である結晶粒が占める面積率が観察視野の20%以下である圧延銅箔である。 （もっと読む）

【課題】良好な曲げ性と導電性を有する電気・電子部品用に好適な銅合金条を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ、０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避不純物から成り、双晶境界頻度が４０〜７０％であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条である。 （もっと読む）