【課題】現在使用されているタービン要素を回復する方法の欠点を克服する。
【解決手段】本発明は、要素の本体を形成する基材と、基材に接着した保護コーティングとから構成されたタービン要素を回復する方法に関する。方法は、保護コーティングと基材との間の接着不良を有するゾーンを特定するためのタービン要素の制御と、保護コーティングと基材との間の接着不良の除去とを備える。接着不良は、保護コーティングと下にある基材との局所的な溶融を引き起こし、レーザビームの停止後に保護コーティングと基材との間の上記ゾーンの高さにおける適切な接着を可能とするために、接着不良を有する各ゾーン上に向けられたレーザビームを用いて除去される。 （もっと読む）

【課題】金型の再生を低コストで行う。
【解決手段】母材１５の上に、切削加工層として白金属系の金属メッキ層２０を設ける。切削加工層を、ダイヤモンドバイトを用いた超精密切削により所望の光学面形状を高精度に仕上げる。その上に、表面保護膜層２１、離型層２２を設ける。成形の工程に用いて加熱・冷却を繰り返し、離型層２２、表面保護膜層２１が劣化した金型は、成形面をフッ酸に浸漬して、劣化した表面保護膜層２１、離型層２２を除去し、新たに表面保護膜層２１、離型層２２を付けて再生する。白金属系の金属メッキ層２０は、フッ酸に侵食されないので、超精密加工された光学面はその形状が維持される。 （もっと読む）

【課題】高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる下部層を形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層を形成し、さらに、該密着層上に、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる上部層を形成した表面被覆切削工具。
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【課題】ビアホールやトレンチの形状がばらついても、ビアホールやトレンチの側壁に所定の膜厚でバリア膜とシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の側壁に所定膜厚の導電膜を備える半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程を有する。ここで凹部とは、ビアホールとトレンチの総称である。そして、前記凹部が形成された絶縁膜上に、スパッタリング法により、前記凹部に成膜すべき導電膜の膜厚、前記凹部の深さ及び前記凹部を上面から見たときの当該凹部側壁の投影面積に基づいて算出された、前記凹部が形成された絶縁膜の上面に成膜すべき膜厚で、導電膜を形成する工程を有する。即ち、ビアホールやトレンチの投影面積に基づきこれらの形状のばらつきを勘案して、成膜を行うのである。 （もっと読む）

【課題】高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を下部層として形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる中間層、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはα−Ａｌ_２Ｏ_３からなる上部層、をそれぞれ形成した表面被覆切削工具。
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【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_x Ｍ_1-x ）（Ｂ_a Ｃ_b Ｎ_1-a-b ）からなる硬質皮膜であって下記式(1A)〜(4A)を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５ ---- 式(1A)、 ０≦ａ≦０．２ ---- 式(2A)、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５ ---- 式(3A)、 ０．６≦ｂ≦１ ---- 式(4A) （もっと読む）

【課題】背面の研磨や溝を大きくすることなく切屑粉及びその粉の溶着の防止及び切屑の排出性の向上を図ることができるドライ加工用の切削工具を提供する。
【解決手段】刃部１０２で切削した切屑をチップポケット１０３から外部へ排出するホブ１００であって、刃部１０２の背面１０２ｆの最表面が、ダイヤモンドライクカーボンからなる被膜１００ｃでコーティングされ、刃部１０２の切刃１０２ａ、すくい面１０２ｂ、逃げ面１０２ｃ〜１０２ｅの各最表面が、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉのうちの少なくとも１つの窒化物からなる被膜１００ｂでそれぞれコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）