【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着準備工程では、蒸着材料３０を収納する坩堝１３、坩堝１３を加熱する加熱部１４、および坩堝１３内で気体化した蒸着材料３０を被処理物に向かって放出するノズル１２、を備える蒸発源１０、および被処理物を真空チャンバ内に配置する。次に、坩堝１３に収納された蒸着材料３０を加熱部１４により加熱して、気体化した蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。次に、蒸発源１０の外側からノズル１２を介して坩堝１３内にガス２６を供給し、かつ、加熱部１４を停止させて坩堝１３を冷却する。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着工程では、蒸着材料を収納する坩堝、坩堝を加熱する加熱部、坩堝内で気体化した前記蒸着材料を前記被処理物に向かって放出するノズル、および坩堝の周囲に配置されるリフレクタ１５を備える蒸発源から、蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。また、冷却工程では、リフレクタ１５に固定された冷却体１６に冷媒を流して坩堝を冷却する。ここで、冷却工程には、冷却体１６に冷媒ガスを流す冷媒ガス供給工程と、冷媒ガス供給工程の後、冷却体１６に冷媒ガスよりも熱容量が大きい冷媒液を流す冷媒液供給工程と、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部３と、この中央板部３に隣接して配置された側板部１、２を備え、側板部１、２は、中央板部３のイオンビームが照射される面３Ａの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与したガスバリア性蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材１上に、金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有し、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比{Ｏ／（Ｓｉ＋Ｂｉ）}が１．０〜１．８であり、ビスマスと珪素の原子数の比（Ｂｉ／Ｓｉ）が０．０２〜０．１０である蒸着用材料を加熱方式で蒸発させて蒸着し、蒸着膜の珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比{Ｏ／（Ｓｉ＋Ｂｉ）}が１．６〜１．９であり、ビスマスと珪素の原子数の比（Ｂｉ／Ｓｉ）が０．０２〜０．１０である無機酸化物膜２を形成した。 （もっと読む）

【課題】従来の成膜装置において、マスクに対するクリーニングは、長時間にわたり行われていた。
【解決手段】成膜室を有し、成膜室は、プラズマを発生させる手段を有し、プラズマを発生させる手段は、成膜室に配置されるマスクを電極として有することができ、マスクに高周波電界を印加して、成膜室に導入されたガスを励起してプラズマを発生することができる。Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ_３、またはＯから選ばれた一種または複数種を有するガスを用いてプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】高精度な蒸着ができ、長時間の連続稼動も可能な蒸着装置並びに蒸着方法の提供。
【解決手段】成膜室30において、蒸発源１から蒸発した成膜材料を、蒸着マスク２のマスク開口部を介して基板４上に堆積して、この蒸着マスク２により定められた成膜パターンの蒸着膜が基板４上に形成されるように構成した蒸着装置であって、前記蒸発源１から蒸発した蒸発粒子の飛散方向を制限する制限用開口部５を設けた飛散制限部を有し、前記蒸着マスク２が付設されたマスクホルダー６を備え、この蒸着マスク２が付設された前記マスクホルダー６が前記成膜室30と往来できるロードロック室32、前記マスクホルダー６が前記ロードロック室32と往来できる待機室33及び装置外部に前記マスクホルダー６を取り出し可能な取出し室34を有する交換室31を備えたことを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー１、真空ポンプ２、巻き出しロール３、搬送ロール４、巻き取りロール５、蒸着ロール６、蒸発源７、電子銃８、シャッター９（閉じた状態）、マスク１０、紫外光源ユニット１１、ガス供給配管１２、基板フィルム１３を含む真空蒸着装置１００において、シャッター９を開いて基板フィルム１３を、巻出しロール３と巻き取りロール５の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター９を閉じ、ガス供給配管１２から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット１１から紫外線をマスク１０に照射することによって、マスク１０に付着した堆積物を酸化処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に伴って蒸着マスクを同等に大型化せず基板より小形の蒸着マスクでも、基板を離間状態で相対移動させることで広範囲に蒸着マスクによる成膜パターンの蒸着膜を蒸着でき、また成膜パターンの重なりを防止すると共に、蒸発源からの輻射熱の入射を抑制し、高精度で高レートな蒸着が行える蒸着装置並びに蒸着方法を提供すること。
【解決手段】蒸発源１と基板４との間に、制限用開口部５を設けた飛散制限部を有するマスクホルダー６を配設し、このマスクホルダー６に前記蒸着マスク２を付設し、前記基板４を、前記蒸着マスク２を付設した前記マスクホルダー６及び前記蒸発源１に対して、前記蒸着マスク２との離間状態を保持したまま相対移動自在に構成し、前記蒸発源１は、線膨張係数がステンレス鋼より小さい材料で形成した蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料の利用効率が高く、かつ大面積の基板に均一な厚みの薄膜を成膜できる真空蒸着装置及び薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
薄膜材料の蒸気を生成する蒸発源３１〜３６と、成膜対象物５１が配置される真空槽１１と、真空槽１１内を真空排気する真空排気装置１２と、蒸発源３１〜３６から蒸気が供給され、真空槽１１内に蒸気を放出させる放出装置２１とを有し、放出装置２１を移動させながら成膜対象物５１に蒸気を到達させ、成膜対象物５１の表面に薄膜を形成する真空蒸着装置１０ａであって、蒸発源３１〜３６を放出装置２１と一緒に移動させる移動装置１５を有する真空蒸着装置１０ａである。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に伴って蒸着マスクを同等に大型化せず基板より小形の蒸着マスクでも、基板を離間状態で相対移動させることで広範囲に蒸着マスクによる成膜パターンの蒸着膜を蒸着でき、また成膜パターンの重なりを防止すると共に、蒸発源からの輻射熱の入射を抑制し、高精度で高レートな蒸着が行える蒸着装置並びに蒸着方法を提供すること。
【解決手段】蒸発源１と基板４との間に、制限用開口部５を設けた飛散制限部を有するマスクホルダー６を配設し、このマスクホルダー６に前記蒸着マスク２を接合させて付設し、前記基板４を、前記蒸着マスク２を付設した前記マスクホルダー６及び前記蒸発源１に対して、前記蒸着マスク２との離間状態を保持したまま相対移動自在に構成し、前記蒸発源１の蒸発口部８は、前記基板４の相対移動方向に長くこれと直交する横方向に幅狭いスリット状としたことを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）