【課題】
光学薄膜の成膜において、膜厚、屈折率が設計値からずれた場合でも、最終的に得られる光学性能が目的とする光学性能に近づけることができる技術を提供する。
【解決手段】
光学的膜厚がλ／４以上の層で光量の極値が判明した時点で、それ以前に成膜した光学的膜厚がλ／４以下の薄い層の屈折率と膜厚を推定し、最適化手法を用いて成膜中の層および成膜中の層以降の層の膜厚を補正することによって目的とする光学性能を得る。 （もっと読む）

【課題】異なる金属間、金属と酸化物、金属と窒化物、酸化物と窒化物等、複合化する材料の組合せが自由に調整できるナノコンポジット膜および／またはナノ多層膜を成膜できる装置及び方法の提供を目的とする。
【解決手段】成膜室を隔壁で仕切ることで複数のチャンバーを形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーに仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せ間に生じ得る隙間を、ガスが他のチャンバーに混入しないように、隣接チャンバー間に形成された隙間断面積Ｓを粘性流が生じない所定の大きさ以下にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧を抑制し、スイッチング素子に印加される電圧を低減する。
【解決手段】直流電圧が入力される直流電圧端子間にコンデンサが接続され、コンデンサの一端と負荷端子の一方との間にインダクタンス手段が接続され、コンデンサに並列に単位スイッチング回路が接続される。単位スイッチング回路は、第１、第２のスイッチ素子、第１の巻線の直列回路と、第１、第２の帰還用整流素子と、電圧バランス用抵抗とを有する。直流電圧が設定値を越える場合は、コンデンサの両端電圧を非導通の第１、第２のスイッチ素子に分担させ、直流電圧が設定値よりも低い場合は、周期的又は随時に第１、第２のスイッチ素子を導通させて逆極性電圧を負荷端子間に出力させ、第１、２のスイッチ素子をターンオフさせる場合は、第１、第２の帰還用整流素子が導通する期間に、第１、第２のスイッチ素子の両端電圧がコンデンサの両端電圧で制限される。 （もっと読む）

【課題】装置の外部から観察し、ガラス基板の搬送や位置決めを行うための搬送ロボットのティーチング作業に好適な真空チャンバ装置を提供する。
【解決手段】壁部材１１により周囲を取り囲んでその内部に真空環境を形成すると共に、当該真空環境内に、少なくとも、ガラス基板１００の表面に蒸着処理を行うための蒸着ステージ３０と共に、ガラス基板を蒸着ステージへ搬送するための搬送ロボット２０を収納した真空チャンバ装置において、壁部材の一部に覗き窓（ビューポート）４０を備え、かつ、当該覗き窓は略半球状で均一の肉厚で形成した窓部材４１を備え、そして、半球状の部分が真空環境側に突出する。 （もっと読む）

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】蒸着する微粒子の粒径を所望の大きさにコントロールするため、基材の高精度温度制御可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】温度制御ユニット３２は、温度制御された液体または固体の熱媒体が供給される伝熱ブロック３４と、この伝熱ブロックの基材との対向面側に保持された伝熱ローラー３６と、基材と伝熱ブロックの間の空間にガスを供給するガス導入路３７と、を備え、この伝熱ローラーは、降下移動して基材の裏面に当接し、基材の移送に連動してこの移送方向と交差する軸を中心に回転するとともに、基材からの力で上昇移動が可能であって、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックは、基材と熱媒体との間を、ガス、伝熱ローラーおよび伝熱ブロックを介して熱が伝播することにより、基材の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を、冷却されるドラムの周面に巻き掛けて、長手方向に搬送しつつ、成膜を行なう場合に、基板とドラムとの密着不良を抑制することにより、熱による基板の変形を防止し、高品質な機能性フィルムを効率よく連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜手段による成膜領域を規定する開口部６８ａを有するマスク６８と、マスクの開口部における基板Ｚの搬送方向の上流側の位置で、基板とドラム３６との密着状態を検出する密着検出手段と、基板とドラムとの密着状態を制御する密着制御手段とを有し、密着制御手段が密着検出手段による密着状態の検出結果に応じて、基板とドラムとの密着状態を制御する。 （もっと読む）