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国際特許分類[C23C14/54]の内容

国際特許分類[C23C14/54]に分類される特許

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【課題】比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】排気可能な真空容器内に、ターゲット1a裏面側に平面矩形状のマグネットユニット3を備え、ターゲット1aの表面でスパッタされたスパッタ粒子により基板保持台5に載置する基板2上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、スパッタ粒子が放出される側のターゲット1aと基板2間に、基板保持台5の面内方向に対して垂直な遮蔽板4を具備した構造を有する。 (もっと読む)


【課題】曲面を有する基板に対して成膜の均一性を向上させるために、マスクや遮蔽板を用いることなく基板の角度を変える方法を用いた技術において、成膜工程ごとに角度変更のための部材(ギヤ等)を交換しなければならず、成膜中に所望の角度に変更したい時に変更することが困難であった。
【解決手段】スパッタリング等の成膜装置で、基板を自転するための第1回転機構、基板の中心線と薄膜形成手段の中心線によりなす角度を変更する角度変更手段、
基板を薄膜形成手段の中心線の回りで公転するための第2回転機構を有し、薄膜形成中に、自公転する基板に対して、膜厚計測手段の計測結果に基づいて角度変更手段を駆動させ、基板の薄膜形成手段に対する角度を変更させながら成膜する構造を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源12およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板14とをシャッター20で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ105を生成する。基板サセプタ13に内蔵された加熱源13aにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】基材上に多層膜を形成する際に、より高精度な膜厚制御が可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】基材上に多層膜を形成する成膜方法であって、前記多層膜の膜原料源を備える真空槽の内部に、基材と、基材上に形成される多層膜をモニタリングするためのモニタ基板とを配置する配置ステップと、真空中で膜原料源にエネルギーを付与して、基材上に膜原料を堆積させて多層膜のうちの3層以上の層を形成するとともに、モニタ基板上に、単層膜および、複数の互い異なる層構成の多層膜を同時に形成する形成ステップと、形成ステップにおいて、単層膜の光学膜厚を測定する光学膜厚測定ステップと、モニタ基板上の多層膜の分光光学特性を測定する分光光学測定ステップ、および測定された光学膜厚および/または分光光学特性から、基材上に形成される多層膜の残りの各層の厚みを再設定する再設定ステップを含む成膜方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 Fe及びR,O(Rは、Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Yのうち少なくとも1つ以上である)を含む薄膜原料供給源と基板との間に、プラズマを発生させ、基板上にRFe24薄膜を形成する気相成膜方法であって、前記プラズマが、5435cpsより少ないO活性種の発光強度を有し、Fe活性種の発光強度に対するO活性種の発光強度が、O活性種の発光強度/Fe活性種の発光強度<2
である気相成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば,RFe24薄膜製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ10は、長さが異なる複数のスリット13、14を備え、絶縁膜15、16を設けることにより各スリットに対応して1つの測定プロープで複数の共振周波数を持つように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ne及び電子温度Teの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ne及び電子温度Teを算出することができる。 (もっと読む)


【課題】ダミー基板の反りを抑えることができる基板処理装置におけるダミー基板の使用方法を提供すること。
【解決手段】ダミー基板格納部に格納されている複数のダミー基板の各々について、プロセスチャンバにて行われるプロセスレシピに基づき、成膜された膜の種別と膜厚とを含む成膜履歴をコンピュータにより作成する工程と、膜の種別ごとに膜厚と成膜による基板の曲率変化とを対応付けた曲率データを用い、この曲率データとダミー基板の前記成膜履歴とに基づいて、当該ダミー基板の曲率をコンピュータにより求める工程と、求められたダミー基板の曲率と、曲率データと、成膜処理の膜の種別及び膜厚を含むプロセススケジュールと、に基づいて、ダミー基板の反りが抑えられるようにプロセスチャンバに対する搬送スケジュールを作成する工程と、を実施する。 (もっと読む)


【課題】成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプロセスモニタ装置1は、バルブにより仕切られたチャンバを有する成膜装置50に接続して使用され、前記成膜装置に接続されたガス分析手段30を制御するコンピュータ10には、予め、プロセスガス中の特定ガスの分圧について、バルブが開いた第一状態における警告閾値と、バルブが閉じた第二状態における異常閾値とが、それぞれ設定されており、前記コンピュータは、前記ガス分析手段により検出された特定ガスの分圧を監視し、該分圧が、信号送信手段20により送信された前記チャンバの状態に応じた警告閾値又は異常閾値を超えた場合に、警告信号又は異常信号を前記成膜装置に送信すること、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】RF電源を用いて基板ホルダにRF電力を印加するとともに、単純な構造のDC電源を用いて基板ホルダにDCパルスを印加することができる給電機構を提供する。
【解決手段】給電機構110は、基板ホルダ12に電気的に接続された回転軸11と、高周波電源31の高周波電力が印加される第1送電ブラシ21と、直流電源33の直流電圧が印加される第2送電ブラシ22と、を備える。そして、回転軸11の回転によって、第1送電ブラシ21と回転軸11との間の摺動による回転軸11への高周波電力の印加、および、第2送電ブラシ22と回転軸11との間の断続的な摺動による回転軸11への直流電圧の印加が行われる。 (もっと読む)


【課題】高い精度で光学膜厚及び分光特性の計測が可能な光学式膜厚計及び光学式膜厚計を備えた薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】光学式膜厚計は、投光器11と、反射ミラー17と、受光器19と、分光器20とから構成されており、測定光の入射方向に対して実基板Sの逆側に、測定光の光軸に対してほぼ垂直に反射面を配設された反射ミラー17を備えている。また実基板Sは、測定光の光軸に対して所定の傾き角度を有して配設される。測定光(出射光と反射光)が実基板Sを2回透過することになり、透過率(光量)の変化量を大きくすることができ、膜厚測定の制御精度を向上させることができる。また透過位置の違いによる測定誤差の発生を防止することができ、また、測定基板を所定の経路を通って2回透過していない測定光が受光器19側で検出されることがなくなるため、高い精度で光学膜厚及び分光特性の計測ができる。 (もっと読む)


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