【課題】センサの故障等を検知することができるセンサ故障検知方法、センサ故障検知装置、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】まず、処理装置に配置されているセンサがＯＮ／ＯＦＦしたか否かを判別する（ステップＳ１）。センサがＯＮ／ＯＦＦしたと判別すると（ステップＳ１：Ｙｅｓ）、センサが異常パターンに該当するか否かを判別する（ステップＳ２）。センサが異常パターンに該当すると判別すると（ステップＳ２：Ｙｅｓ）、センサの変化情報を作成する。次に、作成したセンサの変化情報を処理装置の操作パネルに表示する（ステップＳ３）。そして、センサの変化情報をセンサ情報記憶部に記憶する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】成膜工程において微細な粉末が発生し得る成膜装置において、成膜室内に漂ったり、成膜室壁に付着したりして成膜室内に残留する粉末の量を軽減する成膜室外への粉末の漏れを抑制する成膜装置及び成膜室を提供する。
【解決手段】成膜室内に残留する粉末を減少させるために、成膜室内での粉末の主要な流れ方を考慮して、成膜室内を減圧する減圧ポンプが取り付けられる排気口の設置位置を設定し、粉末の排気系への吸い込み量を増やす。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための装置に関し、この装置は、物体を配置するための堆積チャンバと、堆積させようとする材料を有する少なくとも１つのソースと、堆積させようとする材料の少なくとも１つの成分の濃度を、少なくとも１つの成分の所定量を選択的に結合させることによって、その成分の気相中で、物体上への堆積前に修正することができるように実施される、堆積プロセスを制御するための少なくとも１つの装置とを備え、少なくとも１つの成分の選択的に結合された量は、成分についての結合速度と積極的に連動している少なくとも１つの制御パラメータを修正することによって、制御することができる。本発明はさらに、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための装置に関し、堆積プロセスを制御するための装置が、反応性の材料から作製されるゲッタリング要素を少なくとも１つ有し、反応性の材料は銅および／またはモリブデンを含む。本発明はさらに、少なくとも２つの成分から作製される層を物体上に堆積させるための方法に関し、少なくとも１つの成分の選択的に結合された量は、堆積プロセスを制御するための装置の結合速度を修正することによって制御される。
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本発明は、真空チャンバー内で基板を加熱して、次に即座に基板をコーティングする方法に関し、当該方法は、（１）基板の下面を基板ホルダー上に配置する工程、（２）基板を、基板ホルダーに対して所定距離に亘って持ち上げる工程、（３）加熱装置、例えば、放射熱装置を用いて、その上面によって持ち上げ基板を加熱する工程、（４）例えば、コーティングゾーンの中およびそれを通過して移動することによって加熱基板をコーティングする工程、（５）基板をチャック上まで下ろして、基板を冷却する工程、および（６）必要に応じて、冷却基板を更にコーティングする工程を含む。本発明に係る方法は、実施される方法手順を更に可能にし、様々な規定温度を各々の工程の間に基板上に設定でき、および必要に応じて、その後に即座に１以上のコーティングを前記基板温度で行うことができる。例えば、コーティング（抑えた）した後に即座に所定時間に亘って基板を更に高温で保持できる場合も含まれる。
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基板を取り扱う特にコーティングする装置において、プロセスチャンバ1と、その中で処理される基板12を格納するべく搭載開口6,7を介してプロセスチャンバ1に接続された、又は、処理プロセスで用いるマスク10,10'、10"、10'"を格納する少なくとも１つの格納チャンバ2,3と、搭載開口6,7を通して基板又はマスクをプロセスチャンバ1に搭載し又は取り出す搬送装置13と、開始物質をキャリアガスとともにプロセスチャンバ1に導入するべく温度制御可能なガス入口要素4と、処理される基板12を受容するべくガス入口要素4に対向して位置するサセプタ5と、遮蔽位置にあるときガス入口要素4とサセプタ5又はマスク10の間に位置して基板12又はマスク10をガス入口要素4からの熱の影響から遮蔽する遮蔽プレート11と、遮蔽プレート11を基板12の処理前にガス入口要素4に相対する遮蔽位置から格納位置へ移動させ基板12の処理後に格納位置から遮蔽位置に戻す遮蔽プレート移動装置15,16と、を有する。格納位置では遮蔽プレート11が格納チャンバの内部にある。
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【課題】ドーパント濃度を精度よく検出でき、製品管理能力が高い薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】この薄膜製造装置１は、フィルム基板１０の搬送方向の上流側から下流側に向けて設けられ、減圧条件下でフィルム基板１０上に薄膜を形成する第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃと、第１成膜室１３ａ〜第３成膜室１３ｃの下流側に隣接して設けられた第１サンプリング室１４ａ及び第２サンプリング室１４ｂとを備える。第１サンプリング室１４ａには、第１成膜室１３ａで第１薄膜層４１が形成されたフィルム基板１０が搬入され、減圧条件下でフィルム基板１０から試料を採取する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバとポンプとの間のバルブや導管に起因するコンダクタンス損失を低減または解消し、かつ、ポンプをプロセスチャンバのプロセス空間に流入する気体分子の気体分子源に対して最適な位置に配置することができるプロセスチャンバシステムを提供する。
【解決手段】本発明のプロセスチャンバシステム５００は、プロセス空間５１４を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに着脱可能に取り付けられた複数の冷凍機５０２と、冷凍機５０２に着脱可能に取り付けられた複数のアレイ５０４とを備える。冷凍機５０２とアレイ５０４とがプロセスチャンバ内に延在して、プロセス空間５１４内に排気面を形成している。この排気面は、プロセス空間に連通する気体分子源の近傍に配置され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有し、第１の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第１の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第１の周期よりも周期が長い第２の周期で状態情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ１０内に対向して配置される上部電極３４および下部電極１６との間に処理ガスのプラズマを形成してウエハＷにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極３４に高周波電力を供給してプラズマを形成するための高周波電源４８と、上部電極３４に直流電圧を印加する可変直流電源５０と、高周波電源４８および可変直流電源５０を制御する制御部９５とを具備し、制御部９５は、高周波電源４８からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源５０からの印加電圧が設定値となるように制御して、プラズマ形成時の異常放電を抑制する。 （もっと読む）