【課題】 真空中で基板全体の温度を正確に測定しその測定結果に基づいて、基板全面で均一な温度分布を与えるための温度分布の管理と、基板の温度制御と、が可能な基板処理技術を提供すること。
【解決手段】 基板処理装置は、第１の処理室内で、基板を加熱するための複数のヒータを有する加熱部と、第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する間に、加熱部により加熱された基板の温度を測定する複数の温度測定部と、第２の処理室内で、基板を再加熱するための複数のヒータを有する再加熱部と、温度測定部の測定結果に基づき、再加熱部の出力を制御する出力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】防着シールドを交換した場合でも安定した成膜結果を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、所定電位に維持されるチャンバ１０３と、チャンバ内で基板を保持するための基板ステージ１０４と、交流電力の印加によりチャンバ内にプラズマを生成するための電極１０５と、プラズマ形成時に、基板ステージと電極との間のプラズマ空間を取り囲むように構成することで基板ステージとチャンバの側壁とを接続し、プラズマ非形成時に、少なくとも一部の部材が駆動機構により移動することにより分離されて、基板ステージへ基板を導入するための開口を形成することが可能な導電性部材３０２と、導電性部材のプラズマ空間側の面を覆う防着シールド２００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基体との密着性、皮膜の異層間の密着性に優れた特性を有する硬質被覆層を得るための皮膜形成方法と、この皮膜形成方法により被覆した被覆部材を提供する。
【解決手段】複数の蒸発源に複数の陰極物質を装着し、該蒸発源の前面に遮蔽板を設け、減圧容器内でプラズマを発生させて基体の表面に陰極物質材料の皮膜を形成する物理蒸着装置を用いて、少なくとも該基体表面にボンバードメント処理を行うボンバードメント工程と、皮膜を形成する被覆工程とから構成され、該ボンバードメント工程は該遮蔽板により該蒸発源の放電による放出物質を該基体から遮蔽した状態で、少なくとも非金属イオンによる該基体のボンバードメント処理を行うことにより、前記基体及び前記減圧容器内に残存する不純物成分を前記放出物質とともに前記遮蔽板に吸着するようにしたことを特徴とする皮膜形成方法である。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【課題】装置の製造コストの増大を抑制でき、真空ポンプを有効に活用することが可能な成膜システムおよび真空ポンプの制御システムを提供する。
【解決手段】一定の時間間隔で連続的に基板Ｗが投入されるローディング室１１と、基板が取り出されるアンローディング室１５と、を備えた成膜装置１０Ａ，１０Ｂが並行して二組配置され、一方の成膜装置１０Ａのローディング室と他方の成膜装置１０Ｂのローディング室とが対向配置されるとともに、一方の成膜装置のアンローディング室と他方の成膜装置のアンローディング室とが対向配置され、一方の成膜装置のローディング室と他方の成膜装置のローディング室との間に、ローディング室内を真空状態にすることができる真空ポンプ３１が設けられ、真空ポンプと一方のローディング室とが接続されるとともに、真空ポンプと他方のローディング室とが接続され、真空ポンプで排気する系統を切替可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】耐久力が高く、コストの低い位置合わせ機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置を提供する。
【解決手段】載置台１２の四辺に貫通孔９を設け、貫通孔９内に筒部３と、筒部３に挿通した軸部４を配置する。軸部４の上端にフランジ部８を設けておき、筒部３と軸部４を上昇させて、載置台１２の上方に位置する基板２０をフランジ部８に乗せ、四辺のうちの二辺の軸部４を傾斜機構によって、他の二辺である位置決め辺の軸部４に向けて傾斜させ、基板２０を押圧して位置決め辺の軸部４の側面に接触させ、位置決めを行う。カメラやＸＹθステージが不要であり、精度よく位置合わせできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンゲージの破損を抑制し、安定して放電を開始することができるスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、チャンバー２と、チャンバーを真空排気する配管７と、ガスを導入するガスライン１３と、ターゲット５と、ウェハ４を保持するステージ台３と、ターゲットに電力を印加する電源と、ターゲットとステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定器９と、チャンバーに設けられた開口部と、開口部に連結したイオンゲージ１２ａと、開口部を遮蔽可能に設けられたシャッター１１ｂと、シャッターにスイッチ８を介して電気的に接続されたアースと、シャッター、イオンゲージ及び電流測定器に電気的に接続された制御機構１０と、を具備し、制御機構は、スイッチのオンとオフを制御するとともに、シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本件は、磁気記録媒体を作製する磁気記録媒体作製方法および基板上に成膜する成膜装置に関し、非磁性材料の必要以上の成膜を抑える。
【解決手段】非磁性材料の成膜の途中で成膜を中断して、又は成膜を実行しつつ、媒体表面にレーザビーム等のビームを照射して表面でのビームの散乱強度を測定し、一方、散乱強度と表面の平坦度との対応関係をあらかじめ求めておき、測定された散乱強度が所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了する。 （もっと読む）

【課題】光学膜厚制御の精度を大きく改善することができ、又さらに水晶膜厚計に代わる光学膜厚計を提供することにより、成膜速度の安定化とコストダウンに貢献することができるようにする。
【解決手段】光学膜厚制御装置は、容器内に成膜材料を飛散させ、基板に成膜材料を堆積させて光学薄膜を製造する光学薄膜製造装置の光学膜厚制御装置において、所定の非線形モデル式により推測される透過率と、成膜する膜に照射した測定光に対して受光器が計測した透過光又は反射光の検出光量値とに基づいて、目標光学膜厚情報を推定する目標光学膜厚推定手段と、目標光学膜厚情報までの到達時間を予測し、この到達時間に達したときに成膜終了を指示する予測制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部１１と、基板保持部１１に対向して設けられる板状のターゲット１２の被スパッタ面１２ａの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心Ｃ１に対して偏心した位置に中心Ｃ２を有する電子の周回軌道２０を被スパッタ面１２ａの近傍に生じさせるマグネット１３と、ターゲット１２と基板１０との間に設けられ、基板１０側からターゲット１２を見た平面視で電子の周回軌道２０の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道２０との相対位置は変えずに、マグネット１３と同期して回転する遮蔽体１４と、を備えている。 （もっと読む）