【課題】 本発明は、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、
該クリーニングされたチャンバー内で、前記ウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ベアリングによる回転機構を介して複数の基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタを内蔵する気相成長装置の構成部品の洗浄装置であって、気相成長後の基板ホルダー、サセプタ等の気相成長装置構成部品に付着する付着物あるいは堆積物を効率よく除去する洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】 サセプタ及び基板ホルダーの収納部、サセプタを回転させる手段及び／または基板ホルダーを回転させる手段、ヒータ、洗浄ガス導入部、及び洗浄ガス排出部を備えてなる洗浄装置とする。また、この洗浄装置に、気相成長に使用した後の、基板ホルダーを保持したサセプタを収納し、サセプタ及び／または基板ホルダーを回転させるとともに、洗浄ガスを導入して、気相成長の際に付着した付着物あるいは堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバのカバーの表面の温度を慎重に制御したとしても起こり得る欠陥の発生に対する改善策を提供する。
【解決手段】上方カバー２および下方カバー３を有する処理チャンバ１において気相成長法によって半導体ウエハ５の上に層を堆積する方法および装置が提供される。方法は、半導体ウエハの前面側の温度を測定するステップと、半導体ウエハを堆積温度に加熱するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御するステップとを備え、上方カバーの温度は、上方カバーの外表面の中心において測定され、上方カバーの温度を制御する制御ループの制御変数の実際の値として使用され、方法はさらに、層を堆積するための処理ガスが処理チャンバを介して導入されるガス流量を設定するステップと、処理チャンバの上方カバーの温度を目標温度に制御する際に堆積温度に加熱された半導体ウエハの前面側に層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に安定的に膜を形成する。
【解決手段】複数の基板を配置する反応室と、前記反応室内に設けられた被加熱体と、前記被加熱体と前記複数の基板との間に設けられ、前記反応室内にシリコン原子含有ガス、炭素原子含有ガス、および水素ガスを供給するガス供給ノズル６１，６２と、を備えている。ここで、ガス供給ノズル６１、６２は、カーボングラファイトから成る基材層６３、基材層６３の表面を覆う炭化珪素から成るコート層６４、およびコート層６４の表面を覆う炭素から成るコート層６５を備えている。これによりクリーニング処理を行ってもコート層６４が取り除かれることを防止ないしは抑制できるので、成膜処理時に水素ガスがガス供給ノズル６１、６２を透過することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】選択的エピタキシープロセス及びＡＧＳプロセスの両者に対して、効率的に実施するための装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を形成する方法において、エピタキシャル膜を形成する前に、第１のガスを使用して第１の処理チャンバー１０８内で基板を前クリーニングするステップと、上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバー１０２を通して第２の処理チャンバー１１０へ基板を移送するステップと、上記第１のガスを使用せずに上記第２の処理チャンバー１１０内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、上記第１のガスは上記第２の処理チャンバー内で使用するには不適当である、を備えた方法。 （もっと読む）

【課題】基板へのダスト付着を抑制または防止して、高歩留まりで高品質な化合物半導体デバイスを製造する。
【解決手段】グローブボックス室内部にリアクタ３が内蔵された開閉自在なチャンバ５が設けられ、チャンバ５内のリアクタ３で基板４の表面に所定の材料膜を成膜する気相成長装置１において、グローブボックス室上部よりパージガスを導入してグローブボックス室下部のダストトラップ部８を介してその下部よりパージガスが排気されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒１０，２０に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒１０に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒１０から導出した処理ガスを検出手段３０に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒２０を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒２０に切り換えた後、該一つの充填筒１０内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段３０を通じて他の充填筒２０に導入し、検出手段３０で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 （もっと読む）

【課題】ガス種による排気性のばらつきを解消し、ボックス内における処理ガスの対流を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のウエハに対して処理ガスにより熱処理を施すための処理炉を収容する装置本体１００と、前記処理ガスの供給を制御するガス制御ユニットを収容するガスボックス３００と、を有し、前記ガスボックス３００の上方に設けられた吸気口３０５から外気を取り込み、前記ガスボックスの下部に設けられた排気口３０３から該ガスボックス内部の雰囲気を排気する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置内の効率的なクリーニングを可能とする。
【解決手段】実施形態の成膜装置のクリーニング方法は，塩素ガス，炭化水素ガス，および塩化炭化水素ガスのいずれか１つを有するクリーニングガスをプラズマ化するステップと，前記プラズマ化されたクリーニングガスを加熱された成膜装置の内部に供給するステップと，を具備する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を歩留まり良く形成する方法。
【解決手段】底部材および蓋部材ならびに底部材および蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および基体を保持している基体ホルダを入れ、基体ホルダの一端と底部材とを電気的に接続し、基体ホルダの他端と蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、蓋部材、基体ホルダおよび底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）とをこの順に有し、電気抵抗値が所定値以下である場合、底部材および蓋部材を反応容器の外部で電気的に接続し、反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、電気抵抗値が所定値を超える場合、工程（ｉｉｉ）に進まない。 （もっと読む）