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国際特許分類[C23C16/44]の内容

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【課題】 観察窓の位置に係わらず反応ガスの逆拡散を抑え、観察窓の曇りを防止した気相成長装置を提供する。
【解決手段】 反応ガスを供給して基板の被成膜面に成膜する気相成長装置であって、基板を保持する基板保持台と、基板保持台と対向して配置され、基板と対向する位置に貫通穴を有するシャワーヘッドと、内部にパージガスを充満し、貫通穴を介して前記基板の被成膜面を臨み得る観察窓を有するビューポートとを備え、基板と貫通穴の間に流す反応ガスの方向と、貫通穴と観察窓の間に流すパージガスの方向が逆方向であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハWの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置1であって、天板3の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板3の下面に近接して配置された遮蔽板12は、チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、ガス導入口9を反応空間Kの内側に臨ませる開口部12を中央部に有して、この開口部12を中心に同心円状に複数のリング板16,17,18に分割された構造を有する。 (もっと読む)


【課題】数十nmから数十μmの大きさの、任意の材料の微粒子を、任意の場所に、任意の形状に短時間で配列させる微粒子配列装置および微粒子配列方法を提供する。
【解決手段】微粒子配列装置20は、プラズマ3を発生させるプラズマ発生装置10と、プラズマを発生させている領域に微粒子6を注入する微粒子注入部16と、プラズマ発生装置内で、プラズマに面する位置に微粒子を配列させるための基板を保持する基板保持部と、基板12上に配置するパターン14であって、基板上に微粒子を配列させる箇所を中心とする開口部を設けたパターンと、を備え、プラズマを発生させている領域に微粒子を注入した後、プラズマ発生装置内のプラズマを消滅させて基板上にパターンに対応して微粒子を配列させる。 (もっと読む)


【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】反応室内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応室内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、反応室内の圧力が10Torr以上となるまでクリーニングガスを供給する第1段階と、反応室内の圧力が下がるよう反応室内を排気する第2段階と、を有し、第1段階と第2段階とを1サイクル以上行う。 (もっと読む)


【課題】ビューポート内面に熱分解生成物などが付着することを防止し、ビューポートからの基板の光学的な監視、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】シーリングプレート15で覆われた反応炉11内に設置した基板12を、あらかじめ設定された温度に加熱するとともに、前記反応炉内に原料ガスを供給して前記基板面に薄膜を形成する気相成長装置において、前記シーリングプレートの反応炉外部側に設けたビューポート16と前記シーリングプレートに設けた通孔23との間に筒状部材21を配置し、該筒状部材内を、基板表面を監視、測定する光学的測定器20の測定光を通すための光路とする。 (もっと読む)


【課題】静電気の発生を抑制できる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜装置のクリーニング方法は、成膜装置の周辺を加湿するステップ(S40)と、成膜装置を大気開放するステップ(S60)と、成膜装置の内部の堆積物を除去するステップ(S70)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】被処理体が大型化した場合であっても、蓋体の肉厚を過度に大きくすることなく、蓋体の重量増加を抑える。
【解決手段】熱処理装置1は被処理体Wを収容して熱処理するための処理容器3と、処理容器3の周囲を覆う断熱材16と、断熱材16内周面に設けられたヒータ5とを有する熱処理炉2と、処理容器3の炉口3aを閉塞する蓋体10と、蓋体10上に保温筒11を介して支持され被処理体Wを多段に保持する保持具12とを備えている。蓋体10はステンレス等の耐食性金属製となっており、下方へ向って突出する湾曲板からなる。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマCVD装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 (もっと読む)


【課題】フットスペースの小型化が図られるとともに、対象物を確実に位置決めすることができる位置決め装置を提供する。
【解決手段】位置決め装置は、位置決め対象物を支持する支持部と、位置決めすべき方向と略平行な方向に沿って延びる軸線を回転中心Oとして回動可能に構成されたアーム部12と、アーム部12を回動駆動するモータとを備える。モータは、アーム部12が対象物から退避した退避位置と、アーム部12が当該対象物の外周縁に接触することで当該対象物を位置決め方向に沿って押し出して位置決めを完了させる位置決め完了位置との間を行き来するように、アーム部12を回動駆動する。アーム部12は、アーム部12が退避位置から位置決め完了位置へ回動する際に、接触した対象物の外周縁がその表面に沿って摺動することで対象物を位置決め方向に沿って押し出すための傾斜面14bを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材14が巻回されるリール本体18と、リール本体18を収納するケース32と、ケース32に設けられ、ケース32内に基材14との非反応性ガスを導入可能なガス導入口36と、ケース32に設けられ、基材14がケース32の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口38と、リール本体18に一体回転可能に設けられ、基材14上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構60と、を備える。 (もっと読む)


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