国際特許分類[C23C18/31]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ (2,675) | 還元または置換によるもの,例.無電解メッキ (2,437) | 金属による被覆 (1,076)
国際特許分類[C23C18/31]の下位に属する分類
鉄,コバルトまたはニッケルのうちいずれか一種による被覆;これら金属の1つとりんまたはほう素の混合物で被覆するもの (257)
銅による被覆 (116)
貴金属による被覆 (215)
国際特許分類[C23C18/31]に分類される特許
441 - 450 / 488
液冷式発電機用ステータバー内の漏れを補修および防止するための無電解金属めっき方法
【課題】液冷式発電機における漏れを補修および防止するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】ステータバー(16)の少なくとも一部を形成する冷媒を流すための内部液体通路を備えるステータバー(16)を封止する方法は、ステータバー(16)の濡れた内部表面の少なくとも一部分を無電解めっきするステップを含む。
(もっと読む)
カルコゲニド型メモリ・デバイスのための金属キャップの無電解メッキ
カルコゲニド型メモリ・デバイスにおいて導電性相互接続部の上側に金属キャップを形成する方法が提供され、該方法は、基板10の上側に第1導電性材料の層21を形成する工程と、基板及び第1導電性材料の上側に絶縁層20を堆積させる工程と、絶縁層に開口22を形成して、第1導電性材料の少なくとも一部分を露出させる工程と、絶縁層の上側に且つ開口内に第2導電性材料30を堆積させる工程と、第2導電性材料を部分的に除去して開口内に導電性区域を形成する工程と、開口内の導電性区域を絶縁層の上面よりも低い高さまで凹ます工程と、開口内の凹まされた導電性区域の上側に第3導電性材料のキャップ40を形成する工程と、キャップの上側にカルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックを堆積させる工程と、カルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックの上側に導電性材料を堆積させる工程とを備え、第3導電性材料は、コバルト、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、及びそれらの合金の群の中から選択される。
(もっと読む)
ハンダ性に優れた表面処理Al板、それを用いたヒートシンク、およびハンダ性に優れた表面処理Al板の製造方法
【課題】 めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに、熱放射率や熱伝導率が大きく、ハンダ付けが可能で放熱性が求められるヒートシンクに好適に適用することができる表面処理Al板、それを用いたヒートシンク、およびその表面処理Al板の製造方法を提供する。
【解決手段】 Al基板表面に置換めっきによりZn層を形成させ、その上にNi層とZn層をめっきにより形成させ、さらにZn層上に熱伝導性を向上させる層を設けて表面処理Al板を構成し、この表面処理Al板をヒートシンクに適用する。
(もっと読む)
垂直磁気記録媒体の製造方法、垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置
【課題】 軟磁性裏打ち膜を無電解メッキ法により形成する際に、軟磁性裏打ち膜に磁壁が発生するのを防止できる垂直磁気記録媒体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板1上にコバルト、ニッケル及び鉄を組成元素として含む軟磁性裏打ち膜2を無電解メッキ法により形成する工程を備える。無電解メッキ法に用いられるメッキ液は、軟磁性裏打ち膜2の組成元素のイオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンを含み、更に、鉄イオンのモル濃度をコバルトイオンとニッケルイオンの合計モル濃度で割った値が0.5〜10の範囲に設定されている。
(もっと読む)
めっきポリエステル樹脂成形品及びその製造方法
【課題】めっき層の表面平滑性と密着強度に優れ、高度の耐熱性を有し、必要に応じて難燃化することができ、材料強度が顕著に優れためっき合成樹脂成形品とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリエステル樹脂成形品1の表面にめっき層2が形成され、照射架橋されためっきポリエステル樹脂成形品であって、ISO178に従って測定した曲げ強度が110MPa以上、めっき層表面の算術平均粗さRaが1μm以下、該樹脂成形品とめっき層との間の密着強度が2MPa以上、かつリフロー炉の260℃に設定したゾーンを60秒間通過させる条件で測定した寸法変化率が長手方向及び幅方向ともに1%以下であるめっきポリエステル樹脂成形品、及びその製造方法。
(もっと読む)
半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法
均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのAl電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
(もっと読む)
無電解めっき装置
【課題】 例えば半導体デバイスの製造工程において無電解めっき処理をおこなうにあたって、無電解めっき液には電子の供給源である還元剤が含まれていて特に加熱して使用する場合には、液中にて金属が析出し不安定な状態になることから、これを回避して無電解めっき液の状態の安定化を図り、基板の表面に対して安定しためっき処理をすること。
【解決手段】 無電解めっき液を金属塩が含まれる第1の薬液と還元剤が含まれる第2の薬液に分け、各薬液供給路においてその合流点の近傍に薬液用開閉手段を設けると共に、合流した後の無電解めっき液の供給路における吐出口の近傍にめっき液用開閉手段を設け、これら開閉手段により挟まれる供給路内のめっき液を、概ね1回のめっき処理に必要な吐出量に対応させ、一の基板のめっき処理が開始され、次の基板の処理が開始されるまでの間だけ両薬液が混合されるようにする。
(もっと読む)
ころ軸受用軌道輪およびその製造方法
【課題】ころの付着異物を効率的に除去し、ころ転走面や軌道輪の軌道面の摩耗を低減すること。
【解決手段】本ころ軸受用軌道輪は、ころ16が転動接触する軌道面12a,14aを有し該軌道面12a,14aが凹凸加工され、かつ、全体に軟質金属18の鍍金が施された後の研磨により凹部12c,14c内に軟質金属18が埋没されている。
(もっと読む)
スリーブ
【課題】 割りスリーブに形成されためっき層の表面硬度を確保して耐磨耗性を向上させると同時に、割りスリーブを長期間にわたって使用した場合にもめっき層の表面が変色しないように耐候性を向上させることである。
【解決手段】 スリーブ本体16と、このスリーブ本体16の少なくとも内周面にめっき層17が形成されてなる略円筒状の割りスリーブにおいて、前記めっき層17を少なくとも2層で形成する。そして、下地めっき層18を非結晶構造のめっきで形成し、表面めっき層19を結晶構造のめっきで形成することによって、めっき表面の耐摩耗性と耐候性とを満足させる。
(もっと読む)
無電解めっき装置及び無電解めっき方法
【課題】被めっき材の被めっき面により均一な膜厚のめっき膜を容易に形成できるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材Wを保持する保持部10と、めっき液22を保持するめっき槽24とを有し、被めっき材Wをめっき槽24内のめっき液22に接液させてめっきを行うめっき装置において、保持部10は加熱部14を有する。
(もっと読む)
441 - 450 / 488
[ Back to top ]