【課題】 無電解スズメッキに際して、皮膜外観を改善する。
【解決手段】 イオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有しない中性乃至弱塩基性の前処理液に被メッキ物を浸漬した後、可溶性第一スズ塩、酸及びイオウ系錯化剤を含有する無電解スズメッキ液を用いて被メッキ物に無電解メッキを行う無電解スズメッキ方法である。チオ尿素類などのイオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有しない前処理液で予め被メッキ物を浸漬処理するため、無電解メッキで得られたスズ皮膜にシミや色調ムラが生じるのを有効に防止でき、特に、厚付けメッキに際しても優れた皮膜外観を付与できる。 （もっと読む）

【課題】 無電解Ｃｕメッキ膜の厚さバラツキを低減することにより、歩留まり向上ならびに製品間の電気特性の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬを収容したメッキ槽５３の中に、配線基板ワーク１００を、無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬが流通可能な隙間を介して鉛直に複数枚立てて並べる一方、それら複数枚の配線基板ワーク１００の設置面積を包含する広さの気泡発生器５７を、メッキ槽５３の底と配線基板ワーク１００との間に配置し、一つ一つの配線基板ワーク１００の両面を伝って気泡が立ち昇っていくように、気泡発生器５７から気泡を噴出させながら、各配線基板ワーク１００に無電解Ｃｕメッキ膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板１２上に高アスペクト構造体１１を形成する構造体の形成方法であって、下地基板１２上に、中央導電部１３ａ及び中央導電部１３ａを囲う外周導電部１３ｂを形成し、これら中央導電部１３ａ及び外周導電部１３ｂに無電解界めっきによってめっき２３を析出させ、その後、外周導電部１３ｂに析出しためっき２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細回路の具現の際、高信頼性を有し、絶縁材との接着効果に優れており、高速対応用低プロファイル資材として活用可能な光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。
【解決手段】ｐＨ２〜７のナノＴｉＯ_２ゾル溶液を用意し、前記ＴｉＯ_２ゾル溶液を基板の表面にコートした後、紫外線を照射して活性化層を形成させ、少なくとも１種の金属塩、少なくとも１種の還元剤、及び少なくとも１種の有機酸を含む無電解金属溶液を用意し、前記基板の活性化層上に前記金属鍍金溶液を接触させて無電解金属鍍金層を形成させることを含んでなる光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上の汚染の低減，及び処理費用の削減を測りつつ，その表面への流の供給,除去を効率良く行う装置並びに方法を提供する。
【解決手段】 多数の実施形態の１つとして、基板を処理するための方法と該方法に使用する近接型プロキシミティプロセスヘッドが開示される。該方法は、第１の流体メニスカスと、該第１の流体メニスカスを少なくとも部分的に取り囲む第２の流体メニスカスと、を生成する工程を含み、第１の流体メニスカスおよび第２の流体メニスカスは、基板の表面上に生成される。 （もっと読む）

本発明は、基板にめっき処理を行ったり、基板を処理液に浸漬させて処理を行ったりするのに好適な基板処理装置に関する。本発明の処理装置（１）は、基板（Ｗ）の出し入れを行うロード・アンロードエリア（１００）と、基板を洗浄する洗浄エリア（２００）と、基板のめっき処理を行うめっき処理エリア（３００）とを有し、ロード・アンロードエリア（１００）には、ドライ仕様の複数のハンド（１３７，１３９）を有する基板搬送ロボット（１３０）と、基板収納カセットを搭載するロードポート（１１０）と、基板をフェースアップからフェースダウンに切換るドライ仕様の反転機（１５０）が配置されている。
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【課題】 ガラス材料からなる基体上に１μｍ以上の厚い膜であっても密着性良く均一に無電解めっき法でめっき膜を形成することが可能なガラス基体へのめっき方法を提供する。
【解決手段】 ガラス材料からなる基体の表面に、少なくとも、基体表面のシラノール基を２倍以上に増加させる希酸水溶液によるガラス活性化処理Ｓ２、シランカップリング剤処理Ｓ３、Ｐｄ触媒化処理Ｓ４、Ｐｄ結合化処理Ｓ５を順次施した後、無電解めっきＳ６によりめっき膜を形成する。 （もっと読む）

（ａ）高密度化二酸化炭素連続相と、（ｂ）前記二酸化炭素連続相内の極性の不連続相と、（ｃ）前記不連続相内の金属（すなわち、基板から除去される金属または基板に塗布すべき金属）と、（ｄ）前記連続相、前記不連続相、または前記連続と前記不連続相の両方の中のリガンド少なくとも１種とを含み、基板から金属を除去するためまたは基板上に金属を塗布するために有用な組成物を記載する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。
【解決手段】 基板保持部に保持された基板の表面に対向するように温調用流体の通流室をなす上部温調体を設け、この中に無電解めっき液の供給路を引き回して温調用流体と無電解めっき液との間で熱交換させ、その下面側から無電解めっき液を吐出して上部温調体と基板との間に満たすようにする。また基板の裏面側に下部温調体を設けてこの中に温調用流体を通流させ、ここで裏面側用流体例えば純水と熱交換して当該純水を温調し、この純水により基板の裏面と下部温調体との間を満たすようにする。 （もっと読む）

本発明では、マイクロエレクトロニクス処理用無電解メッキにおける温度制御手順が開示されている。この手順は、堆積の均一性を改善し、メッキ浴液の寿命を延ばし、また費用効率が高い。浴液は、メッキ室の外の装置内で最低堆積温度未満の温度まで加熱される。浴液は、堆積の発生していないメッキ室へ導入される。メッキ室が満たされた後、浴液は所望の堆積温度まで加熱される。堆積が開始する。堆積後、浴液は元のタンクに戻される。 （もっと読む）