【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】 従来の噴流式めっき装置において、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部におけるめっき液流動の滞留を解消するめっき処理装置を提供するものである。
【解決手段】 めっき槽の上部開口縁に、めっき槽内壁面より内側に突出するように設けられた環状載置台及び該環状載置台上部に配置されたシールパッキンを有する載置部と、めっき槽の底部に設けられた液供給管と、載置部の下方位置に設けられた液流出口とを備え、液供給管から上昇流で供給されるめっき液に、液流出口からめっき槽の外部へ流出させる流動を形成させ、めっき対象物の被めっき面全面にめっき液を接触させてめっき処理を行うめっき装置において、載置部には、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部に滞留するめっき液を外部に排出するための液排出孔が設けられているものであるめっき装置とした。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、内部にボイドを発生させることなく、金属膜を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、基板Ｗを保持して該基板に通電し、基板の被めっき面をめっき槽内のめっき液に接触させるホルダ１６０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２１４と、アノードとホルダで保持した基板との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部２２０，２２４と、基板とアノードとの間に電圧を周期的に印加するめっき電源２３０を有し、基板とアノードとの間に電圧が印加されていない時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を行い、基板とアノードとの間に電圧が印加されている時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を停止する。 （もっと読む）

【課題】 異なるリードフレームにめっきを施す際の位置合わせの時間を短縮することができる部分めっき方法を提供する。
【解決手段】 同一のスパージャ３４を用いて異なる被めっき物３１に対して部分めっきを施す際の部分めっき方法において、めっきマスク３８の開口部５０およびノズル板４０のノズル４７の位置を、異なる被めっき物２１を支持手段３２に支持させたときのめっき対象領域に合わせためっきマスク３８およびノズル板４０を予め複数作成しておき、異なる被めっき物３１に対して部分めっきを施す際には、予め作成してあった複数のめっきマスク３８およびノズル板４０の中から、部分めっきを施そうとする被めっき物３１に対応するめっきマスク３８およびノズル板４０を選択し、支持手段３２の位置およびスパージャ３４の位置を変更せずに、スパージャ３４に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】メッキ液中に添加剤を均一に分散または溶解させることが可能な電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】メッキ液を満たした状態で、基板Ｗの被処理面に電解メッキ処理を行う電解メッキ槽１１と、電解メッキ槽１１にメッキ液Ｍを供給するメッキ液供給管２２と、メッキ液供給管２２に接続されるとともに、メッキ液供給管２２にメッキ液Ｍの主成分となる電解質溶液を供給する電解質溶液供給部２３と、メッキ液供給管２２の電解メッキ槽１１と電解質溶液供給部２３との間の位置に接続されるとともに、メッキ液供給管２２に添加剤を供給する添加剤供給部２４とを備え、メッキ液供給管２２には、添加剤供給部２４と接続される位置またはこの位置よりも電解メッキ槽１１側に、電解質溶液Ｅと添加剤Ａ、Ｂ、Ｃとを混合してメッキ液Ｍを調製する混合機構３１が設けられている電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】 カソード電極体及びその周辺部機構を改善することにより、被めっき物の品種切換毎に要するカソード電極体の交換部材の最小化、交換作業の簡素化を図る。
【解決手段】 めっき液の噴流を発生させる噴流めっき槽１０の開口側に、被めっき物としての基板１の導体部を下向きとして配置し、前記導体部にめっき液を噴流させながら前記導体部に接続したカソード電極体３０とアノード電極５間に電流を流してめっきする噴流めっき装置であり、カソード電極体３０は固定カソード電極部３１と給電電極部４０とに分割されている。固定カソード電極部３１はカソード固定支持部１５に支持され、給電電極部４０は昇降給電部４５で昇降自在に支持され、固定カソード電極部３１の基板１の導体部に接触する部分が少なくとも交換自在であり、昇降給電部４５の下降時に給電電極部４０が固定カソード電極部３１に接触して給電する。 （もっと読む）

【課題】 複雑な構造を用いることなく、添加剤、特に埋め込み性に影響を及ぼすアクセラレーターの分解を十分に抑制することができるメッキ装置を得る。
【解決手段】 アクセラレーターが添加されたメッキ液を入れるメッキ槽と、含リン銅からなるアノードと、カソードとなる被メッキ基板を支持する支持部と、アノード近傍のメッキ液を加熱する加熱手段と、アノード近傍からカソード近傍へ流れるメッキ液を冷却する冷却手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】
スルーホールを有するプリント配線板のメッキにおいて、メッキ液の簡単な攪拌方法で、高いアスペクト比のスルーホール表面にも、均一で十分な厚みのメッキを精度よく行うことができ、さらには、スルーホール表面のメッキ厚みとプリント配線板表面のメッキ厚みの比を100％に近づけるようなメッキ方法およびメッキ装置を提供すること
【課題を解決するための手段】
スルーホールを有するプリント配線板をメッキ液に浸漬し、該プリント配線板の一方の面に接触するメッキ液と、他方の面に接触するメッキ液の攪拌速度を異なるようにした。メッキ液の攪拌の方法は、攪拌棒を往復運動させる方法で、プリント配線板の一方の面に面する攪拌棒の往復速度と他方の面の往復速度とが異なるように攪拌する。
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【課題】 従来の噴射供給タイプのめっき装置におけるエアーの滞留や、流速ムラにより生じるバンプ形状およびめっき厚の不均一性を解消するめっき処理技術を提供するものである。
【解決手段】 めっき槽と、めっき槽上部開口に形成されたウェハー支持部と、ウェハー支持部の下側位置に形成された液流出路と、ウェハー支持部に載置されたウェハーの被めっき面中央に向けてめっき液を噴射供給する液供給管とを備えためっき装置において、液供給管は、めっき槽内に突出した状態で設置されている液吐出管部と液流入管部とからなるとともに、液吐出管部下方に液吸入口が形成されており、当該液流入管部内壁に液流調整機構が形成されているものとした。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）