【課題】単結晶を適切に製造可能な単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１Ａを利用して単結晶６を製造する際に、添加後成長前期間における整流筒３５Ａの筒内圧力を１３３３０Pa〜７９９８０Pa、整流筒３５Ａ内の不活性ガスの流速Ｇ２を０．１００m/sec〜０．１３７m/secに制御する。このため、添加後成長前期間における不活性ガスの流速Ｇ２を上述した値に制御することにより、筒内圧力を上述したような比較的高圧力に設定した条件であっても、不活性ガスの流れをスムーズにでき、不活性ガスの逆流に伴う揮発性ドーパントの蒸発を抑制できる。したがって、揮発性ドーパントがアモルファスとして整流筒３５Ａ内に付着して結晶成長中に落下したり、固着したりすることを抑制でき、単結晶化率の低下を抑制できるとともに、付着物の除去を容易にできる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度と冷却速度に関して、正確かつ広範な条件範囲で半導体単結晶を引上げるようにして、無欠陥のシリコン単結晶を安定して歩留まり製造できるようにして生産性の向上を図る方法を提供する。
【解決手段】ＣＲ＞０．１８〔Ｏi〕−１．５３なる関係が成立するように酸素濃度Ｏi、冷却速度ＣＲを調整してシリコン単結晶を引き上げる。また、融液に磁場を印加すると共に、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ半導体単結晶を引き上げ成長させる。 （もっと読む）

【課題】原料を融解放置する温度を精細に管理し、必要以上にルツボを加熱しないことで、インクルージョンの発生を抑えて効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料を加熱溶融する際に、まず窒素または不活性ガス雰囲気下、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な条件で単結晶用原料を溶融し、次に炉内に酸素を導入し、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下、引き続き原料融液を加熱し、２０５０〜２１５０℃においてルツボ内を酸化させない程度の十分な時間保持し、その後、成長結晶の引き上げを行うことを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法により提供する。 （もっと読む）

【課題】育成される単結晶インゴットの不純物分布を改善し、かつ、高速引き上げが可能で、コストパフォーマンスに優れた単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１は坩堝４と単結晶１２とを同じ向きに回転させつつチョクラルスキ法により単結晶１２を製造する。その際、制御装置１３は、単結晶１２の下端周縁部と坩堝４の内面との間に存在するシリコン融液１５の流れが坩堝４及び単結晶１２の回転の向きに対して局所的に逆向きの環状の流れになるように回転磁場装置６により発生させる回転磁場の向き及び強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】育成される単結晶インゴットの不純物分布を改善し、かつ、高速引き上げが可能で、コストパフォーマンスに優れた単結晶インゴットの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置１は、シリコン融液１５の深さをＨとしたときに、回転磁場装置６により発生する磁場のシリコン融液１５内での最大強度の位置を、融液１５の表面から深さ０．３Ｈ以内に位置させるべく、回転磁場装置６と坩堝４の引き上げ軸方向の相対位置を調節する制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】同じルツボを用いて複数の単結晶を連続して引上げる場合、引上げられる全ての単結晶の熱履歴を同等にし、結晶特性を均一にすることのできる単結晶引上装置及び単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方において育成中の単結晶Ｃを包囲するよう設けられヒータ４からの輻射熱を遮蔽し単結晶Ｃの引上げ方向の長さ寸法が可変自在な輻射シールド６と、輻射シールド６の長さ寸法を可変させるシールド長可変手段１３，１４，１５，１６と、装置全体の動作制御を行い、単結晶Ｃの引上げを制御する制御手段８ｂとを備え、前記制御手段８ｂが、シールド長可変手段１３，１４，１５，１６によって前記輻射シールド６の長さ寸法を可変させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶育成中に単結晶の落下を防止できる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】単結晶引上装置１は、引上機構１１に取り付けられ引上げられる単結晶Ｉｇの重量を検知する重量検知センサー１１ａと、炉本体２の外周に間隔を設けて複数個以上で形成され、不作動時炉本体２外に待機して作動時炉本体２内に交差するように突出して単結晶Ｉｇを挟持する結晶保持棒１５ａ及び結晶保持棒１５ａを突出するように押圧する駆動機構を有する落下防止ユニット１５Ａとを備え、重量検知センサー１１ａが所定値以上の結晶重量の変化を検知したとき、駆動機構を作動させて、結晶保持棒１５ａを炉本体２内に突出させ単結晶Ｉｇを挟持し、落下を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置において、原料シリコン溶融時間を短縮し、操業効率を向上することのできる単結晶引上装置及び単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３を鉛直軸回りに回転させる回転手段と、ルツボ３の上方において単結晶の周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成され、単結晶に対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６と、輻射シールド６を下方から支持する支持手段１４と、輻射シールド６を上昇移動させ、支持手段１４による支持を解除する昇降手段７ａと、輻射シールド６の裏面に設けられ、自重により下方に回動自在に設けられた処理治具１５とを備え、処理治具１５は、輻射シールド６が支持手段１４により支持された状態で輻射シールド６の裏面に固定され、輻射シールド６が昇降手段７ａにより上昇移動された状態で下方に回動し、回転手段により回転するルツボ３の内周面に対し摺接する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ炉の筐体の構造や、炉内部材の構造、製造条件がどのようなものであっても、多大な労力、時間を要することなく、即座にクーラの最適な設計値、最適な配置を見出すことができるようにして、シリコン単結晶製造装置の設計作業、配置作業のスピードを向上させるとともに、労力を軽減する。欠陥の発生挙動が、クーラの性能とどのような関係があるかを明らかにし、安定して無欠陥のシリコン単結晶を製造できるように、クーラを設計し配置できるようにする方法を提供する。
【解決手段】クーラの吸熱量をＱ、半導体単結晶の半径をｒとしたとき、ｒ２/１１００≦Ｑ≦ｒ２/４００を満足する条件となるように、クーラを設計し配置してシリコン単結晶を製造する。また、ｒ２・７/２０５００≦Ｑ≦ｒ２・７/１９３００を満足する条件となるように、クーラを設計し配置してシリコン単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってルツボからシリコン単結晶を引上げる単結晶引上装置において、育成する単結晶が大口径であっても、単結晶中のカーボン濃度を低減することのできる単結晶引上装置及び単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方からルツボ内に不活性ガスを供給するガス供給手段１３、１４、１７と、ルツボ内を通過した不活性ガスを炉体外に排気する排気手段１８、１９と、単結晶Ｃの周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成され、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６とを備え、輻射シールド６は、ルツボ３との間に隙間Ｌを形成すると共に、隙間Ｌの最小寸法がルツボ内の溶融液面面積の１０％以上３５％以下となるよう配置され、ガス供給手段１３、１４、１７によりルツボ３内に供給された不活性ガスは、隙間Ｌを経由して排気手段１８、１９により排気される。 （もっと読む）