【課題】液浸式露光装置のラストレンズ等として有用なＢａＬｉＦ_３結晶体を融液成長法で製造する際に、結晶体中に多量に生じる場合が多いＬｉＦの析出を、結晶体中から効率的に除去し、結晶体の透明性を向上する。
【解決手段】ＢａＬｉＦ_３結晶体が最も高温にされたときの温度分布態が、以下の（１）〜（３）の条件をすべて満足する温度勾配を有する状態になるように熱処理を行う。（１）一方の表面部とその反対側の表面部とで少なくとも１０℃以上の温度差、好ましくは２０〜７０℃の範囲の温度差を有する（２）高温側表面部の温度が８５７℃未満、好ましくは８５５℃以下、特に８５０℃以下（３）低温側表面部の温度が７７５℃よりも高く、好ましくは７８０℃以上、さらには７８５℃以上、特に７９０℃以上 （もっと読む）

【課題】散乱体の形成が抑制される溶融液が浅い状態を維持しながら、引上げられる単結晶体への輻射状態の変動を抑制することにより安定的な育成が可能なフッ化金属単結晶体の引上げ装置および製造方法を提供する。
【解決手段】外坩堝（４）と内坩堝（５）とからなる二重構造坩堝を用いて、その下端部が内坩堝（５）の上端部よりも下方に位置するように配置された円筒部材(25)によりフッ化金属単結晶体(10)がその上端部まで囲まれた状態を維持しながら単結晶体(10)を引き上げてゆき、内坩堝（５）内に収容された原料フッ化金属の溶融液（７）の育成に伴う減少に応じて、外坩堝（４）に対する内坩堝（５）の収納深さを深くしてゆき、これにより、内坩堝（５）内の溶融液の液量が一定範囲に維持されるように、外坩堝内（４）に収容された溶融液（７）を内坩堝（５）内に補給する。 （もっと読む）

【課題】制御された欠陥分布を有するシリコンウェーハを製造するために急速冷却が可能な単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラを提供する。
【解決手段】チョクラルスキープーラ２００は、チャンバ密封体２３０と、溶融シリコン２２６を保有するるつぼ２０６と、シード結晶２２４を保有するためのシードホルダー２２０ａと、るつぼ２０６を取囲むヒーター２０４と、内部及び外部熱遮断ハウジング壁３１０、３３０と連結した熱遮断ハウジング蓋３４０及び熱遮断ハウジング底３２０を含み、熱遮断ハウジング蓋３４０は上向きに傾き、熱遮断ハウジング底３２０は下向きに傾いた環状の熱遮断ハウジングと、熱遮断ハウジングを支持する支持部材３５０から構成される。 （もっと読む）

【課題】ルツボシャフトの振動に起因する有転位化をなくして、高単結晶化率が得られ、万一融液がシリカガラスルツボ外に流出しても、融液がシャフトを覆う溶接ベローズを破損するのを防止し、チャンバ内を気密に保ち、チャンバ内のカーボン部材が酸化するのを防ぎ、復旧時にカーボン部材を交換する必要がない単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本単結晶引上装置はチョクラルスキー法を用い、チャンバ２の底部２ａ内側に湯受体９、底部２ａ外側に湯受機構１０を各々設け、湯受機構１０はルツボシャフト６に設けた湯受部と、ルツボシャフト６が遊貫し、底部２ａから気密接続部１２まで延設された伸縮自在の筒状体を有し、筒状体を溶接ベローズ１４で覆う。 （もっと読む）

【課題】所定の酸素濃度に制御された無欠陥のシリコン単結晶を安定して高速で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン結晶の周囲に円筒状のクーラー２４を配設し、シリコン単結晶の引き上げ速度と、シリコン融液を貯留するルツボ２１およびシリコン単結晶１１の回転速度と、ルツボ２１の周囲に配設したシリコン単結晶の長手方向に少なくとも２分割されたマルチヒーター２２の出力の比と、を調整することにより、シリコン単結晶１１の側面の温度勾配、固液界面の高さ、および当該シリコン単結晶の長手方向の酸素濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 引上げ単結晶インゴットの径方向の温度勾配を簡便に低減し、融液面からの不純物ガスをルツボ外に効果的に排出して、引上げ単結晶の大口径化および高品質化を容易にする。
【解決手段】 単結晶育成装置１０は、円筒形状の炉体１１内に原料融液１２を充填する石英ルツボ１３ａと黒鉛ルツボ１３ｂから成る二重構造のルツボ１３、黒鉛ルツボ１３ｂを周囲から加熱するヒータ１４を備える。そして、ヒータ１４および原料融液１２からの輻射熱を遮蔽する断熱部材１５を有する。この断熱部材１５は、例えば裁頭円筒形状をしており、リング形状の水平部１５ａ、立上部１５ｂおよび取付部１５ｃから構成される。そして、非断熱材から成る補助部材１６が、水平部１５ａと原料融液１２液面の間に介在するように付設され、炉体１１内に導入される不活性ガスの流れを整流する。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液から発生するＳｉＯガスによるヒータ発熱部への悪影響を抑制し、ヒータの寿命向上、単結晶の高品質化を実現することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方から不活性ガスＧを供給する第一のガス供給手段１３、１４、１７と、前記ヒータ４の下方から不活性ガスＧを供給する第二のガス供給手段１５、１６、１７と、前記ヒータ４の上方に設けられた排気口１８から不活性ガスＧを炉体２外に排気する排気手段１９とを備え、前記第一のガス供給手段１３、１４、１７により供給される不活性ガスＧは、前記ルツボ３の上方から該ルツボ内に導入されて前記ヒータ４上方の前記排気口１８から排気され、前記第二のガス供給手段１５、１６、１７により供給される不活性ガスＧは、前記ヒータ４と前記ルツボ３との間を上方に流れて前記ヒータ４上方の前記排気口１８から排気される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶製造装置１を用いた単結晶Ｃの製造方法において、前記ルツボ３内に原料ポリシリコンを溶融するステップと、前記ルツボ３内のシリコン溶融液Ｍに対し、少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を所定回数繰り返すステップと、単結晶Ｃのネック部Ｐ１を形成し、前記ルツボ３から単結晶Ｃを引上げるステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の単結晶の製造において、１回のリチャージで供給できる固形状多結晶原料の総量を増やし、高い生産性を実現することが可能な単結晶製造装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１０１内面側に配置された輻射シールド１２５と、輻射シールド１２５内面側および上面側を覆う輻射シールドカバー３０１を有する単結晶製造装置１００において、リチャージ管２０１に充填された固形状多結晶原料１５５は、リチャージ管２０１下端外縁部とリチャージ管２０１下端に配置される底蓋２０３との隙間から、自重により輻射シールドカバー３０１上に落下し、輻射シールド３０１表面の傾斜を滑ることにより落下エネルギーが低下した状態で、結晶融液１０５を貯留する石英ルツボ１０１内に落下する。 （もっと読む）

【課題】電子部品材料や光学部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びピット、マイクロバブル、突起の発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供。
【解決手段】炉体内のルツボに結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、結晶用原料を加熱溶融する際に、加熱によって結晶用原料から発生するガスを除去するに十分な程度の圧力に、炉体内の圧を減圧した後、該ガスを除去しながら徐々に結晶用原料を溶融させ、引き続き、酸素および窒素または不活性ガスからなる混合ガスを導入し、十分な酸素分圧下、炉体内の圧を大気圧に戻してから成長結晶を引き上げることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法などにより提供する。 （もっと読む）