【課題】 高重量無転位単結晶のテール部を形成中または形成後の工程において、ネック部が破断するような大きな地震等の揺れが発生しても、単結晶の落下を回避できる引上装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１において、単結晶Ｃの引上げを行う引上げ手段５と、前記単結晶Ｃの引上げ通路に沿って昇降自在に設けられ、下端に単結晶Ｃのテール部を抱持するための抱持手段１６を有する支持手段７と、所定値以上の振動を検知する振動検知手段１７と、前記支持手段７の動作制御を行う制御手段８ｂとを備え、前記制御手段８ｂは、単結晶Ｃのテール部が形成されると、前記抱持手段１６が該テール部近傍に常時位置するよう、支持手段７の昇降動作を制御し、前記振動検知手段１７が所定値以上の振動を検知すると、前記抱持手段１６により前記テール部を抱持させる。 （もっと読む）

【課題】大規模な工事を伴わず、単結晶が振れる前に地震を検知して、単結晶の振れを抑制することができる制振機構を備えた単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】本単結晶引上げ装置はＣＺ法を用いて単結晶を引き上げる単結晶引上げ装置において、この単結晶引上げ装置１の上部の引上げチャンバ２ａに設けられ、単結晶をワイヤ１１により引き上げる引上げ機構７が設置され、かつ、水平面内２次元方向に進退可能なＸＹテーブル１２と、このＸＹテーブル１２を後退させる駆動機構とを備えた制振機構９と、単結晶引上げ装置１が載置、固定された基礎に取り付けられた変位計１５と、変位計１５から出力される変位情報に基づき、単結晶引上げ装置１の移動量と移動速度を演算し、その演算結果に基づき前記制振機構９の動きを制御する制御手段とを備え、単結晶の振れを制御する。 （もっと読む）

【課題】リングＯＳＦ発生領域の外側の酸素析出抑制領域（ＰＩ領域）からなるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリー単結晶を生産性よく安定に育成する。
【解決手段】水素を含む不活性雰囲気中でシリコン単結晶を引き上げることにより、結晶径方向全域にＣＯＰおよび転位クラスタを含まず、かつ、格子間シリコン優勢領域の単結晶を引き上げ可能なＰＩ領域引き上げ速度の範囲を拡大して、この拡大されたＰＩ領域引き上げ速度範囲の引き上げ速度で引き上げることにより、単結晶直胴部を格子間シリコン優勢領域とする。 （もっと読む）

【課題】育成中のシリコン単結晶の側面部の温度を調整することで生じる熱応力に起因する有転位化を抑制でき、割れにくく、無転位部の長さの長いシリコン単結晶を歩留まりよく育成できる生産性に優れたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶の側面部に熱応力が負荷される条件でチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとするシリコン単結晶の育成方法とする。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝を使用するチョクラルスキ法によるシリコン単結晶の製造方法において、結晶径の変更、初期原料融液量の増減等の影響を受けることなく、酸素濃度分布の均一なシリコン単結晶を歩留まり良く製造できるようにする。
【解決手段】石英坩堝の回転数（Ω）、坩堝の温度（Ｔ）、およびシリコン融液が坩堝の内壁と接触する面積と雰囲気ガスと接触する面積との比（β）の３つのパラメータの相関に基づいて、育成中のシリコン結晶中の酸素濃度を予測し、その予測濃度を目標濃度に一致させるべく、回転数（Ω）と温度（Ｔ）の少なくとも１つを制御するようにした。温度（Ｔ）と比（β）とを、石英のシリコン融液に対する溶解エネルギ（Ｅ）を用いた関数１／β×Ｅｘｐ（−E／T）として関連させることによって、シリコン単結晶中の酸素濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】育成中のシリコン単結晶の側面部を強制的に冷却することで生じる熱応力に起因する有転位化を抑制でき、割れにくく、無転位部の長さの長いシリコン単結晶を歩留まりよく育成できる生産性に優れたシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶の側面部を強制的に冷却しながらチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとする。 （もっと読む）

【課題】 次世代光リソグラフィー技術用の光学材料として有用である、ＶＵＶ透過率が良好なフッ化金属単結晶を容易かつ安定的に製造する
【解決手段】 フッ化金属単結晶を結晶引上げ法（チョクラルスキー法）などの融液成長法で製造するに際し、単結晶成長炉にフッ化金属原料を投入する前に、用いる炉の内部を、電気陰性度が対象となるフッ化金属を構成する金属元素よりも大きくかつ酸素よりも小さい元素のフッ化物であって、水と反応し得るフッ化物の存在下に加熱する工程を設ける。例えば、フッ化カルシウムの単結晶を製造する場合、Ｃａの電気陰性度が１．０、酸素の電気陰性度は３．５であるから、電気陰性度が１．６の亜鉛、１．８の鉛、２．５の炭素などのフッ化物の存在下に炉を加熱する。該加熱による生成物は減圧排気などで系外へ排出することが好ましい。その後、フッ化カルシウム原料を炉内に投入し単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 その有する歪み等を除去するために、高温状態からゆっくりと冷却した場合でも微細ボイドの発生が少なく、よって、光リソグラフィー用などの光学材料としての物性に優れたフッ化金属単結晶を効率的に得る。
【解決手段】 原料フッ化金属の溶融液面に種結晶を接触させ引き上げることによりフッ化金属の単結晶体を成長させるフッ化金属単結晶体の製造方法を、該成長を、成長炉内の圧力が０．５〜７０ｋＰａ、好ましくは５〜５０ｋＰａの圧力となる減圧下、より好ましくは１０〜３０ｋＰａの圧力となる減圧下に行う。結晶成長中は、成長炉を外部と遮断して気密化することにより該圧力を維持するとよい。 （もっと読む）

【課題】二次相が発生せず、組成の均一な結晶を育成できるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法、及びこれを用いた圧電デバイス用基板を提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の化学量論組成を含まない組成領域（点Ａ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇで囲まれる組成範囲）から、点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で原料を秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハに切り出した後のＥＧ効果が期待できる処理を一切施すことなく、エピタキシャルウェーハのデバイスプロセスにおける１０８０℃以下の低温のデバイス製造工程においても充分なＩＧ効果を発揮する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶を引き上げる際に、酸素濃度、炭素濃度をを適宜制御すると共に、シリコンウェーハに切り出した後、低温にて短時間のアニールを実施することによりＩＧ能を持たせる以外は、従来のシリコンウェーハ成形後に施される各種の複雑なＥＧ処理を一切施さないことによる省工程化ができ、低コストが図られ、エピタキシャルウェーハを使った低温のデバイスプロセスで発生するＩＧ能の付与が可能で、高精度平坦度実現のため、両面鏡面研磨仕上げが必要となった場合にもＥＧが必要ないため、高精度化に対応し得る基板の作製が可能。 （もっと読む）