【課題】 ＧａＡｓ融液中の酸化物の発生を抑止することが可能で、単結晶化率の高いＧａＡｓ単結晶製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー２内で加熱させるるつぼ５を有し、るつぼ５内のＧａＡｓ融液９ｓに種結晶７を接触させ、その種結晶７を回転させながら引き上げて単結晶１０を成長させるＧａＡｓ単結晶製造方法において、上記ＧａＡｓ融液９ｓよりも酸化物の生成自由エネルギーの低い元素１１をＧａＡｓ融液以外の場所に配置するＧａＡｓ単結晶製造方法及びＧａＡｓ単結晶製造装置１である。 （もっと読む）

【課題】単結晶支持部にかかる応力を分散させることによって種結晶の破損を防止し、種結晶の中心軸が容易にセットできる種結晶保持装置を得る。
【解決手段】上部ホルダ１と下部ホルダ２とはいずれも略円筒状形状で、ネジ結合で嵌め込むことが可能となっている。下部ホルダ２は、種結晶３が挿通可能で、種結晶のテーパ部５で面接触するように一端側が縮径され、すぼまった形状を呈している。下部ホルダ２の他端側にはフランジ部２ａが形成されている。上部ホルダ１の上部は先細り形状となっており、結晶引上用ワイヤ７と連結する連結部１ａを有している。上部ホルダ１は、連結部１ａと連なる略断面ハ字形のフード体１ｂを成しており、このフード体１ｂの内周壁は傾斜面を有している。フード体１ｂの縁近傍には、ネジ１ｃが形成されている。種結晶保持装置は種結晶３の中心軸を鉛直方向に導く為、保持リング６を備えている。保持リング６は種結晶３の径大部を挿通し、下部ホルダ２のフランジ部２ａに載置され、略円錐台形を呈している。 （もっと読む）

【課題】要求される熱輻射の遮断量を比較的容易に変更する。
【解決手段】石英るつぼ１３に貯留されたシリコン融液１２からシリコン単結晶棒２５を引上げる装置に設けられる熱遮蔽部材であって、下端がシリコン融液表面から間隔をあけて上方に位置しかつシリコン単結晶棒の外周面を包囲する円筒部３７と、円筒部の下部に筒内の方向に膨出して設けられた膨出部４１とを備える。円筒部内に挿脱可能に構成され円筒部内に挿入した状態でシリコン単結晶棒の外周面を包囲するリング状の断熱カバー５１と、円筒部に挿入された断熱カバーを膨出部と所定の間隔をあけて膨出部の上方に支持する支持部材５６とを備える。支持部材が円筒部３７内面に設けられた複数の凸部５６であって、リング状の断熱カバー５１の外周面に凸部５６に相応しかつ断熱カバー５１の挿入時に凸部５６を通過可能な複数の切り欠き５１ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するにあたり、単結晶が融液に落下することなく、無転位の大口径、高重量のシリコン単結晶の育成方法を得る。
【解決手段】直径１２．７ｍｍの＜１００＞結晶をシリコン融液表面に接触させた後、直径３ｍｍ、長さ１００ｍｍのネック部を作成して、ネック部の先端を無転位化させた。次に、ネック部の先端を融液から切り離すことなく、そのまま種結晶のシリコン融液接触面から２０ｍｍ（Ｌ≧Ｌ’＝１２．７０×ｔａｎ５４．７４°＝１２．７０×１．４１＝１７．９６ｍｍ）の位置までメルトバックさせた。その後、ネック部を育成しないで、直径３００ｍｍまで拡径して、直径３００ｍｍ、長さ１０００ｍｍのシリコン単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、かつ音速が小さいニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶を提供することである。
【解決手段】 酸化カリウムの含有量を、２６モル％〜３４モル％、酸化リチウムの含有量を１９モル％〜２７モル％、酸化ニオブの含有量を４５モル％〜５３モル％に、主成分の組成を設定したニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶における、酸化ニオブの５モル％以下（０を含まない）を、酸化モリブデンで置換する。また、単結晶の育成には、融液からの引き上げ法または引き下げ法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、かつ音速が小さいニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶を提供することである。
【解決手段】 酸化カリウムの含有量を、２６モル％〜３４モル％、酸化リチウムの含有量を１９モル％〜２７モル％、酸化ニオブの含有量を４５モル％〜５３モル％に、主成分の組成を設定したニオブ酸カリウムリチウム圧電単結晶における、酸化ニオブの５モル％以下（０を含まない）を、酸化タングステンで置換する。また、単結晶の育成には、融液からの引き上げ法または引き下げ法を用いる。 （もっと読む）

【課題】単結晶を円滑に引上げて育成することができ、単結晶の落下を完全に防止することができて、高品質の単結晶を確実に得ることができる単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】種結晶９の直径を測定しながら引上げを行い、その測定値が予め設定した限界値になると、このまま引上げ作業を続けると、種結晶部が自重に耐えきれないと判断して引上げを停止する。従って、単結晶引上げ中に単結晶１が落下することが未然に防止される。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単で安価で、安全なネック直径で大重量の無転位単結晶を製造することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶引上装置において、石英ガラスルツボの上方に設けられシリコン単結晶が貫通する開口が形成された輻射シールドと、シードチャックに取り付けられ、種結晶が融液に接触する位置において、輻射シールドの下部近傍域に種結晶を加熱する高温空間が形成されるように、輻射シールドの開口部の面積を減じる断熱板を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、５０（ｋＶ／ｍ）以上の直流の電場、又は、実効値が５０（ｋＶ／ｍ）以上の交流の電場と、１０００（Ｏｅ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜耐圧特性に優れたシリコン単結晶を製造でき、複数の製造装置を用いてシリコン単結晶を製造する場合においても、酸化膜耐圧特性に製造装置間でバラツキが生じ難いシリコン単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 メインチャンバ１０と、メインチャンバ１０の上端部にゲートバルブ１１を介して接続されたプルチャンバとを有し、プルチャンバからメインチャンバ１０に向けて垂下される引上軸２４を用いて、メインチャンバ１０内に設置されたルツボ２１内の融液２５からシリコン単結晶２６を引上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造装置で、メインチャンバ１０は、その上端部にゲートバルブ１１と接続される筒状の接続部１６を備え、接続部１６の下端に連続する状態で上壁部１３を備え、上壁部１３の内周面の形状が、上方に向けて漸次小径となる略円錐状に形成される。 （もっと読む）