【課題】この発明は、チョクラスキー法によるシリコン単結晶の引上げで、回転しているシリコン単結晶が偏芯運動を起こした場合、或いは地震その他の突発的な要因で装置全体が振動した場合などに、単結晶がその周囲に設けた衝撃吸収部材に接触して偏芯運動や震度による衝撃を吸収するようにして、単結晶がその外周に配置されている輻射チューブに接触するのを回避するようにしたものである。
【解決手段】シリコン融液に接触させた種結晶を引上げてシリコン単結晶を成長させるチョクラスキー法によりシリコン単結晶を製造する装置であって、引上げたシリコン単結晶２５の周囲に配置される輻射チューブ２０と、該輻射チューブ２０の内側に引上げたシリコン単結晶２５に近接して、シリコン単結晶２５の偏芯運動による衝撃を吸収する衝撃吸収リング２１を輻射チューブ２０との間のスプリング２２を介して設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物単結晶の製造装置及び製造方法に関し、高品質な単結晶を得られる単結晶の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】原料が充填される坩堝３と、高周波誘導加熱を用いて坩堝３内の原料を加熱溶融して融液２を生成する高周波誘導加熱コイル１０と、融液２から単結晶１を引き上げる引き上げ軸６と、坩堝３の上方を覆い、Ｐｔ円盤１１が配置された放射率の低い天井面４ｂを融液２の液面２ａに相対して備えるセラミック耐火物構造材４とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 液体封止チヨクラルスキー法（ＬＥＣ法）による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶側面から液体封止剤への放熱を抑制し、結晶側面付近の固液界面形状の凹面化を無くすことで、多結晶化の発生を効果的に抑制することを可能にする。
【解決手段】 成長結晶径よりも大きな内径を有する高温耐熱性物質からなる筒９を、引き上げる成長結晶２と同軸に設置し、その筒の一端を液体封止剤４中に浸漬し、他端を液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にあるように位置させることを前提とし、その液体封止剤４中にある一端の内径を、液体封止剤４と不活性ガスとの界面の不活性ガス側にある他端の内径よりも大きく設定した筒を用いて成長する。 （もっと読む）

【課題】
炉内で発生した蒸発物、反応生成物を黒鉛るつぼ、ヒータに触れさせることなく排気できるようにするとともに、排気管自体を高温に保持できるようにして、蒸発物、反応生成物の付着、凝縮を抑制して排気管の詰まりを防止し、また、排気管自体のＳiＣ化を抑制して排気管の耐久性を向上させ、また、熱膨張率の変化を抑制して熱単結晶を高品質で引上げることができるようにする。また、排気管を、少ない材料で構成されるようにすることで、製造コストを低減する。
【解決手段】
ヒータ６の外側に、断熱材で構成されたヒートシールド１２が設けられ、ヒータ６とヒートシールド１２との間に、複数の排気管２０が設けられる。複数の排気管２０は、チャンバ１の底部に設けられた複数の排気口８ｂ（２２ｂ）に連通している。
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【課題】 ＬＥＣ法において結晶中に取り込まれる不活性ガスを軽減する化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 不活性ガス側から液体封止剤２を貫き原料融液３中に達するように、高温耐熱性物質からなる円筒材８を、引き上げる化合物半導体単結晶１の周囲に設置し、該円筒材８でるつぼ５と単結晶１との間における液体封止剤２及び原料融液３を内外の領域に仕切り、これにより単結晶成長中に取り込まれる不活性ガスの気泡を減らした環境下で、化合物半導体単結晶１を成長させる。 （もっと読む）

波長が短く空間分解能が高い紫外線、特に、波長３００ｎｍ以下の深紫外線や波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を容易かつ安定して発生することのできる光源を構成するために用いることを可能にしたフッ化物単結晶の製造方法および波長変換素子を提供する。チョクラルスキー法により結晶成長させて製造するフッ化物単結晶の製造方法において、結晶成長の際の雰囲気ガスとして、ＣＦ_４ガス、Ａｒガス、ＡｒガスとＣＦ_４ガスとの混合ガスまたはＮ_２ガスのいずれかを用いる。また、分極反転により疑似位相整合を生じる。
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【課題】ＣＺ法単結晶引上げ装置において、シリコン融液がルツボ外へ流出しても、これを溜めて金属部品や冷却配管から成る下部機構に到達するのを防止する湯漏れ受皿を利用して、受皿の底部の測定温度のバッチ間のばらつきを抑えて、漏れてくる融液をいち早く高精度に検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早くかつ確実に行うことができる湯漏れ検出器を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による単結晶引上げ装置のチャンバ底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、少なくとも前記湯漏れ受皿の底部の温度を検出する温度検出手段および該温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段を具備しており、前記温度検出手段は少なくとも温度センサと該温度センサを覆って保護する保護キャップを有し、該保護キャップが前記湯漏れ受皿の底部に当接している単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。 （もっと読む）

【課題】種結晶に発生する熱ショック転位の製品部分への伝播を防止し、かつ、大直径の無転位単結晶を安全に引上げることができるシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】メインチャンバ内に整流ガスを導入するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、ネック部にネック部の径を拡径する拡径部及びネック部の径を縮径する縮径部を形成し、前記拡径部の形成時、この拡径部を冷却する。 （もっと読む）

化学式ｓ[L]−ｘ[P]ｙ[M]ｚ[N]ｐ[T]の組成を有する強誘電体セラミック化合物およびその製造方法並びに強誘電体単結晶およびその製造方法を提供する。本発明による強誘電体セラミック及びその単結晶は、圧電性が大きく、電気機械結合係数が高く、かつ、電気光学係数の大きい緩和型強誘電体であり、無線通信用可変素子、光通信用素子、弾性表面波素子やＦＢＡＲ素子、超音波探触子デバイス、微細変位制御用アクチュエータ、不揮発性メモリ素子、小型蓄電池などの製造に有用であり、特に、本発明による単結晶製造方法は、直径５ｃｍ以上の単結晶とその組成が非常に均一なウエハの製造を可能にし、商用化及び大量生産が図られる。
上記の化学式中、[Ｐ]は酸化鉛、[Ｍ]は酸化マグネシウムまたは酸化亜鉛、[Ｎ]は酸化ニオビウム、[Ｔ]は酸化チタンであり、[Ｌ]は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム、リチウム、リチウム酸化物、白金、インジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、ストロンチウム、スカンジウム、ルテニウム、銅、イットリウム、イッテルビウムからなる群から選ばれた単一物質またはその混合物であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｐ及びｓはそれぞれ、０．５５＜ｘ＜０．６０、０．０９＜ｙ＜０．２０、０．０９＜ｚ＜０．２０、０．０１＜ｐ＜０．２７、０．０１＜ｓ＜０．１を満足する範囲である。
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【課題】単結晶製造において、結晶の周囲のガス流れを安定化させることで結晶の温度を安定化し、割れの発生を防止し、生産性を向上せしめるようにする。
【解決手段】炉体３内に設けられ上部に開口部１１を有した耐火物５と、この耐火物５内に設けられ内部に原料１９が入るルツボ１３と、耐火物５の外側に設けられ原料１９を加熱して融解し融液せしめる加熱手段１５と、原料１９が融解した融液に種結晶２３の下端を接触させこの種結晶２３を引き上げる引き上げ手段２１とで構成された単結晶の製造装置１において、種結晶２３により育成された結晶２９の周囲への耐火物５の上部に形成された開口部１１からの低温ガスの流入を抑制すべく、耐火物５の外側から内側にガスを流入させて、この流入したガスを耐火物５内において内側から外側への一方向に流すためのガス流れ発生手段２５とを備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）