【課題】シリコン融液への塵の落下を低減し、単結晶シリコンの品質低下を防止する単結晶シリコン引き上げ装置の提供。
【解決手段】単結晶シリコンの引き上げ経路と筒状体６と熱遮蔽体５の相対的な位置を調整して、筒状体６の下端と熱遮蔽体５の間隙を通過するＡｒガスの流速を制御する。例えば、単結晶シリコンの側面と筒状体の内壁面とで形成される環状空間のうち、結晶の引き上げ軸と直交する平面に含まれる断面部分の面積をＳ1とし、且つ筒状体の下端から下方に延在する筒状空間のうち、筒状体と熱遮蔽体との間に位置する部分の側面の面積をＳ2とした場合に、Ｓ2／Ｓ1が１．１５未満となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】無転位化率の高いシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、結晶軸を０．５〜５．０°傾斜させて結晶軸＜１１０＞の種結晶１を作製する工程と、前記種結晶１を融液に着液させ、結晶形状を数珠状に変動させる絞り工程とを具備することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法(チョクラルスキー法)で単結晶を引上中に地震などの振動を受けて、単結晶が大きく揺れて落下し、ルツボが破壊して融液が流出する事故が起こる等の事故に対処して、被害を最小にする単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】事故にいたる振動を受けた場合、粒状半導体材料から成る凝固剤を投入することで急速に該融液を固化させ、単結晶が落下しても融液を流出させない。 （もっと読む）

【課題】 装置製造コストの増大を抑制し、育成する単結晶の種類や部位に応じた自由度の高い熱環境を容易に形成することにより、結晶欠陥の少ない単結晶を得ることのできる単結晶引上装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１において、前記単結晶１の引上げを行う引上げ手段５と、前記引上げ手段５により引上げられる単結晶Ｃの周囲を空隙を介して包囲し、単結晶Ｃを冷却する円筒状の冷却筒２ｂと、前記単結晶Ｃと冷却筒２ｂとの間に形成された空隙内に設けられ、前記単結晶Ｃの周囲を包囲する円筒形の断熱部材２０と、前記断熱部材２０を前記単結晶に対して昇降移動させる昇降手段１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高品質のシリコン単結晶インゴットを高生産性で製造することが可能な、チョクラルスキ法によるシリコン単結晶インゴット成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 （もっと読む）

【課題】無転位化の成功率が高く、かつ高速な引き上げ速度を必要としないテイル処理を備えたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液に接触させた種結晶を徐々に引き上げることにより、シリコン単結晶からなる直胴部を引き上げ、続いて、前記シリコン単結晶を先窄まり状にしてから前記シリコン単結晶を前記シリコン融液から切り離すテイル処理を行うシリコン単結晶の製造方法であって、前記テイル処理の際の雰囲気を、不活性ガス中に水素含有物質が含まれてなる水素含有雰囲気とし、前記水素含有雰囲気中の水素含有物質の濃度を、水素ガス換算濃度で３％以上２０％以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の表面および内部の温度勾配や速度分布を適切に制御することによって、シリコン単結晶の酸素濃度を制御して且つ径方向に均一に保ちつつシリコン単結晶を高速で引き上げることができる製造装置を提供する。
【解決手段】石英坩堝４ａを周囲から加熱するヒータと、輻射熱によるシリコン単結晶１２の加熱を防止する輻射熱遮蔽体１３と、シリコン単結晶１２の引き上げ方向に対して垂直な面内における回転の向きと回転周波数と磁場強度のうち、少なくとも回転周波数が異なる複数の回転磁場ＭＦを石英坩堝４ａ内のシリコン融液１５に印加する回転磁場装置と、を備えたシリコン単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶育成中にネック部が破断するような大きな地震が発生しても、ルツボ内への単結晶の落下を回避することのできる単結晶引上装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１において、単結晶Ｃの引上げを行う引上げ手段５と、前記ルツボ３よりも上方に設けられ、前記引上げ手段５による単結晶Ｃの引上げ通路を開閉自在に設けられたゲートバルブ６と、所定値以上の振動を検知する振動検知手段１７と、前記引上げ手段５と前記ゲートバルブ６の動作制御を行う制御手段８ｂとを備え、前記制御手段８ｂは、前記振動検知手段１７が所定値以上の振動を検知すると、前記引上げ手段５により単結晶Ｃを前記ゲートバルブ６よりも上方に引上げ、且つ、前記ゲートバルブ６により前記引上げ通路を閉じ、前記引上げ手段５により単結晶Ｃを前記ゲートバルブ６の上面に下ろして載置する。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶をプルチャンバーから取り出す際に、結晶直径の細い絞り部やワイヤが破断して単結晶がプルチャンバーの開口部に倒れてきた場合に、倒れてきた単結晶をプルチャンバー内に留めておくことができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ルツボを収納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの上部にアイソレーションバルブを介して連接され、成長した単結晶を取り出すための開口部を側壁に有するプルチャンバーを備えた単結晶引上げ装置であって、前記プルチャンバーの内部に、少なくとも1つ以上のバーを具備し、該バーは前記開口部と前記単結晶の間に配置されており、前記開口部から外部に倒れようとする単結晶を支持することができるものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

【課題】 高重量無転位単結晶のテール部を形成中または形成後の工程において、ネック部が破断するような大きな地震等の揺れが発生しても、単結晶の落下を回避できる引上装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１において、単結晶Ｃの引上げを行う引上げ手段５と、前記単結晶Ｃの引上げ通路に沿って昇降自在に設けられ、下端に単結晶Ｃのテール部を抱持するための抱持手段１６を有する支持手段７と、所定値以上の振動を検知する振動検知手段１７と、前記支持手段７の動作制御を行う制御手段８ｂとを備え、前記制御手段８ｂは、単結晶Ｃのテール部が形成されると、前記抱持手段１６が該テール部近傍に常時位置するよう、支持手段７の昇降動作を制御し、前記振動検知手段１７が所定値以上の振動を検知すると、前記抱持手段１６により前記テール部を抱持させる。 （もっと読む）