【課題】歩留まりを高めるとともに、抵抗率のバラツキが小さなウェーハの製造が可能である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）用シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶からなり、膜厚が５０〜１５０ｎｍのゲート酸化膜を備えたＩＧＢＴの製造に用いられるシリコン単結晶ウェーハであって、格子間酸素濃度が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ウェーハ面内における抵抗率のばらつきが５％以下であり、タイムゼロ絶縁破壊（ＴＺＤＢ）の合格率を評価する際のゲート酸化膜の膜厚及び電極面積をそれぞれｔ_ＯＸ（ｃｍ）及びＳ（ｃｍ^２）としたとき、ゲート酸化膜厚の２倍以上のサイズを有するシリコン単結晶中のＣＯＰの密度ｄ（ｃｍ^−３）が下記式を満たす範囲であるシリコン単結晶ウェーハを採用する。 ｄ≦−ｌｎ（０．９）／（Ｓ・ｔ_ＯＸ／２） （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置において、シールド下端とシリコン融液が接触してもシリコン融液を汚染せず、育成される単結晶への輻射熱を効果的に遮断し、単結晶育成速度（引上速度）を向上することのできる輻射シールド及びそれを具備する単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３内のシリコン融液Ｍから単結晶Ｃを育成しながら引上げる単結晶引上装置１において、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６であって、前記ルツボ３の上方で単結晶Ｃの周囲を包囲するように設けられ、所定の熱遮蔽材料により形成されたシールド本体６ａと、前記シールド本体６ａよりも下方においてシリコン融液面に臨むように設けられ、石英ガラスにより形成されたシールド下端部６ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を育成している際のシリコン融液表面の温度分布を制御することができ、シリコン融液表面の温度に起因する直径の変動を小さくすることができる単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置において、メニスカス近傍に配置され、前記メニスカス近傍の前記シリコン融液４を保温する保温体４０が設けられている単結晶製造装置３０とする。 （もっと読む）

【課題】ソレノイド型超電導コイルを用いる磁場発生装置において、十分な磁場強さ及び安定したコイル設置状態を確保しながら装置の高さ寸法を有効に削減する。
【解決手段】磁場利用空間Ｓを挟んで一方の側に、複数個のソレノイド型超電導コイル１０をその磁場利用空間Ｓの半径方向に対して略直交する水平方向及び鉛直方向の双方に並ぶように複数個配列し、他方の側に前記一方の側に配列された各超電導コイル１０と前記磁場利用空間Ｓを挟んで対向するように複数個の超電導コイル１０を配列する。 （もっと読む）

【課題】成長させたシリコン単結晶を十分に冷却させることができる熱遮蔽効果を発揮させるべく大きな体積を有するとともに、引上げ操作の終了時に石英るつぼ内深くまで下降させることができる断熱部形状を有する熱遮蔽部材を提供する。
【解決手段】下部に筒内方向に膨出して設けられた蓄熱部４１とを備えた熱遮蔽部材において、この蓄熱部４１の底面を、蓄熱部の筒面４７下端に連設された頂角の大きい裁頭円錐面からなるリング状下面４８と、熱遮蔽部材筒部３７外面下端に連設された頂角の小さい裁頭円錐面であって、前記リング状下面４８の上端に連設されたリング状上面４９から形作る。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に取付けた黒鉛部材中の不純物を短時間加熱で除去し、ＯＳＦの発生が抑制された高品質のシリコン単結晶を低コスト製造する方法。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際、チャンバに黒鉛及び断熱材からなる熱遮蔽部材を取り付け、かつ黒鉛質サセプタを取り除いた状態でチャンバ内を加熱し、その後に黒鉛質サセプタ及び多結晶シリコン充填石英るつぼをチャンバ内に装填して単結晶引上げ操作を行う。
熱容量の比較的大きいサセプタを取り除き、ヒータの熱を熱遮蔽部材に直接照射することができるため、短時間で熱遮蔽部材に含まれる不純物を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶変形などによる歩留まりの低下を抑えることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内の融液にカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、前記融液５に種結晶を接触させてネック部６を育成する工程と、前記ネック部６を育成後、拡径して拡径部７を育成する工程と、前記拡径部７を前記融液５から切り離す工程と、直胴部８育成中、直胴部８最外周部の磁束の角度θを結晶引上げ軸方向Ｌに対して３０〜６０°で引上げる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】活性酸素種であるＯ_２⁻イオンラジカル及び／又はＯ⁻イオンラジカルを十分に高濃度に包接するマイエナイト構造の結晶であって、気泡やコロイドなどの欠陥の発生が十分に抑制されたカルシア・アルミナ系酸化物結晶を提供する。
【解決手段】化学組成が下記一般式（１）で表されるマイエナイト型の骨格構造を有しており、かつ、下記式（２）で表される条件を満足するカルシア・アルミナ系酸化物結晶。
Ｃａ_１２Ａｌ_１４−ｘＩｒ_ｘＯ_３２ （１）
０．００１≦ｘ≦０．０１ （２） （もっと読む）

【課題】単結晶を基板とする太陽電池素子において、変換効率をより高くすることのできる太陽電池用シリコン単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）ゲルマニウムの含有量が０．１モル％以上、１．０モル％未満とし、さらに望ましくはゲルマニウムの含有量を０．１モル％以上、０．６モル％以下する太陽電池用シリコン単結晶基板である。この基板は、ＣＺ法で引き上げられたシリコン単結晶から切り出して作製することができ、さらに、表面を研磨後、所定の処理を施工して電池素子を構成することができる。（２）ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、ルツボ内でゲルマニウムを添加させたシリコン融液の表面に種結晶を接触させて馴染ませた後、回転させながら引き上がられてゲルマニウムを含有した単結晶から切り出す太陽電池用シリコン単結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の抵抗率と酸素濃度を制御し、かつ、単結晶収率を向上させることが可能なＣＺ法による半導体単結晶製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１のチャンバ内壁１ｃと、るつぼ２およびヒータ６を画成する壁１０を設ける。壁１０は、単結晶側整流部材１１、融液表面側整流部材１２、ヒータ側整流部材１３の３個の部材からなり、連結されてパージガス誘導路１００を形成している。半導体単結晶が引き上げられるときに、パージガス導入手段により石英るつぼ３の融液表面近傍を通過するパージガスの流速を０．２〜０．３５ｍ／ｍｉｎに制御する。 （もっと読む）