【課題】二次相が発生せず、組成の均一な結晶を育成できるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法、及びこれを用いた圧電デバイス用基板を提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の化学量論組成を含まない組成領域（点Ａ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇで囲まれる組成範囲）から、点Ａ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．８１重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．６９重量％）、点Ｂ１（Ｌａ２Ｏ３が４７．９７重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．２６重量％、ＳｉＯ２が５．７７重量％）、点Ｃ１（Ｌａ２Ｏ３が４８．０４重量％、Ｇａ２Ｏ３が４６．５０重量％、ＳｉＯ２が５．４６重量％）で囲まれる組成範囲を除外した組成範囲内で原料を秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を引き上げ育成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶育成時にその原因が形成され、デバイスの製造過程で顕在化してその性能に大きく影響する微細欠陥、すなわちＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥がなく、かつ酸素析出物（ＢＭＤ）がウェーハ面に均一に生じ、しかもＢＭＤ形成量を高レベルまたは低レベルに作り分けるシリコン単結晶の製造方法、および該単結晶により製造されるシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】ＣＺ法（チョクラルスキー法）によるシリコン単結晶育成において、育成装置内の不活性雰囲気中の水素分圧を４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下とし、単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成する。その場合、ＢＭＤを多く生じさせるには水素分圧を４０Ｐａ以上１６０Ｐａ以下とし、ＢＭＤを少なくするには水素分圧を１６０Ｐａを超え４００Ｐａ以下とし、さらに融液中の酸素濃度も制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は四塩化珪素の亜鉛還元によるシリコン生成に当たりその製造手間、エネルギー消費を増大させることなくより高純度化したシリコンを製造する製造方法並びに該目的のための製造装置を得る事を課題とした。
【解決手段】本発明は第一に四塩化珪素と亜鉛を高温気相中で反応させてシリコンを製造するに当たり、非酸化性雰囲気中で行い、シリコン結晶として析出した後該系内でシリコンの融点以上に加熱して融体化した後に、シリコン結晶又は融体で取り出す高純度シリコンの製造方法であり、第二に雰囲気ガスの循環機構と亜鉛ガスの供給機構、該亜鉛ガスの供給機構の下流側に四塩化珪素供給機構を有し、結晶成長部を経てガス分離機構と生成シリコン保持槽、並びに生成ガスの回収機構とを有し、該機構の各部分に温度制御機構を有する高純度シリコン製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 高純度の大きな単結晶を育成することが可能な単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】 ルツボ１４に収納した原料を加熱することにより溶融した融液１３の液面に種結晶１８を接触および回転させながら引き上げて単結晶を成長させる単結晶製造装置１にあって、融液１３の表面に浮遊する不純物を除去する不純物除去部材１５、この不純物除去部材１５を昇降させるワイヤ１６、ワイヤ１６をガイドするとともに不純物除去部材１５を退避させる回動軸１７を設け、不純物除去部材１５を液面に接触させ、不純物除去部材１５の下面に不純物を付着させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げのサイクルタイムの短縮あるいは融液流出による被害を最小限に食い止めることができるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本シリコン単結晶引上装置は、炉本体に内装された石英ガラスルツボ内のシリコン溶液に種結晶を浸漬してシリコン単結晶を引上げるチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶引上装置において、前記石英ガラスルツボを支持、回転させる回転軸に不活性ガスを導入する不活性ガス導入孔が設けられ、前記不活性ガス導入孔は、不活性ガスの流入量を制御するガス導入制御手段を介して、不活性ガス供給装置に連通されている。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成でありながら容器の爆発的な破損を防ぎ、試料を損壊させることなく融液の採取を可能とする融液採取治具、及び、この融液採取治具を用いたインゴット製造装置を提供すること。
【解決手段】 融液採取治具４０は、上方に開口する有底容器本体４１と、有底容器本体４１の周壁並びに底壁に跨って形成されて有底容器本体４１を内外２重の内殻容器４１ａと外殻容器４１ｂとに分割する中空部４３と、中空部４３と連通し且つ外殻容器４１ｂを貫通する孔部４４と、を備える。孔部４４により中空部４３の気圧とチャンバ内の雰囲気圧の均衡を図ることができ、内殻容器４１ａの爆発的な破損を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 遮蔽筒とシリコン融液の液面との距離を正確に設定することで、品質が一定のシリコン単結晶インゴットを効率的に得ることが可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】 遮蔽筒３１の底部３１ａには、シリコン融液７に向けて延びる検出冶具３３が備えられている。こうした検出冶具３３は、例えばシリコン融液７に接しても溶融しない石英などで形成されれば良く、遮蔽筒３１の底部３１ａから先端３３ａまでが予め正確に設定された所定の長さＬに形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を低下させることなく、引き上げ結晶の肩部形成時において、固液界面形状の安定化および平坦化を図ることで、結晶欠陥の原因となる転位の集合および多結晶化を防止する。
【解決手段】るつぼ内の種結晶の周囲を、頂部を平坦にした傘状の保温カバーで覆うことにより、肩部形成時において結晶の引上げ方向における肩部付近の温度変化を小さく抑えることができ、結晶の引上げ方向と垂直方向における肩部付近の温度変化も小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】時間的及び材料的観点で付加的な費用なしで、融液中の及びその融液から引き上げられた単結晶中の炭素濃度を調節できる方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスフローを溶融する多結晶シリコンに向けて一定の流速で流す間に、多結晶シリコンを坩堝中でシリコンからなる融液に溶融し、かつ単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げる、制御された炭素含有量を有するシリコンからなる単結晶の製造方法において、不活性ガスフローの流速を制御することにより、融液中の炭素の濃度を調節する。 （もっと読む）

【課題】
簡単な波長変換機構を用いた、小型・高効率な真空紫外域レーザ光源として使用可能な常誘電体の擬似位相整合結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】
液体から結晶成長する部分に外部電場を印加することによって育成する結晶の対称性を制御し、結晶の対称性が逆転した結晶を繰り返し、周期的に育成することを特徴とする疑似位相整合結晶の製造方法で、結晶の対称性が逆転には、炉内の温度勾配と外部電場を利用し、常誘電体の二次非線形光学結晶として四ホウ酸リチウムを使用することを特徴とする疑似位相整合結晶の製造方法。 （もっと読む）