【課題】ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ドライエッチングによりＧａＡｓ単結晶基板８にビアホール１０を形成するに際し、エッチング残留物が生成されない程度に酸素不純物の含有量が十分少ないＧａＡｓ単結晶基板８を用い、このＧａＡｓ単結晶基板８に対してドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロバブルの発生を抑制して効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料を加熱溶融する際に、炉体内を０．０１ＭＰａ以下に維持しつつ、加熱によって単結晶用原料から発生するガスを除去しながら溶融し、引き続き、原料融液を０．０１〜０．１ＭＰａの減圧に維持して成長結晶を引き上げることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法により提供する。これにより原料に吸着または内包しているガスが容易に排除でき、融液中に含まれる過剰なガスが減少し、単結晶育成時に結晶内に取り込まれる微小な気泡が少なくなり、微小な気泡を起因とするピットやマイクロバブルが大幅に減少する。 （もっと読む）

【課題】
不純物が添加された種結晶を用いてネッキング処理を行うことなく無転位で単結晶を引き上げるに際して、融液の温度変動を抑制することにより、種結晶着液後の結晶径急増による転位導入を回避するとともに、耐荷重以下の結晶径に細くなることを回避する。
【課題を解決するための手段】
種結晶が融液に着液する前から融液に磁場を印加することで、単結晶引き上げ開始の時点で融液の温度変動を抑制して結晶径が急増したり結晶径が細くなることを回避する。
（もっと読む）

【課題】酸素濃度およびドーパント濃度が微小な範囲でばらつくことを防止し、デバイス工程においてデバイス特性および収率を良好に保つことができるシリコン単結晶を育成可能なシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】磁場印加手段５１は引上げ方向Ｚに対して中心Ｏの磁場強度Ｂｙを最も高くし、この中心Ｏから上下方向にそれぞれ磁場強度Ｂｙが漸減するように磁界を発生させる。そして、この磁場強度Ｂｙの最も高い中心Ｏに合わせてルツボ１３のシリコン融液１２の融液面１２ａが位置するように設定する。 （もっと読む）

【課題】チョコラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の製造において、シリコン単結晶中のＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）サイズを小さくするため、引き上げシリコン単結晶の冷却速度を速くすることが可能なシリコン単結晶製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】引き上げ中のシリコン単結晶１３を取り囲むように配置され、冷却媒体で強制冷却される筒状の冷却チャンバ３３を有し、上記冷却媒体として、シリコーンオイル等の水よりも気化温度の高い液体を用いる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の径方向面内分布が均一であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝２に収容されたシリコン融液Ｍからシリコン単結晶ＳＩを引き上げながら成長させて製造するシリコン単結晶の製造方法において、シリコン単結晶ＳＩの径方向に磁場９を印加する磁場印加ステップを備え、シリコン融液Ｍの液面に対する磁場９の中心Ａの高さ位置Ｂを、シリコン単結晶ＳＩ中の酸素濃度の径方向面内分布が均一になる位置とする。具体的には、シリコン融液の液面に対する磁場９の中心高さ位置Ｂを、液面上方０〜８０ｍｍの範囲とすることが望ましく、液面上方６０〜８０ｍｍの範囲とすることがより望ましい。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置において、輻射シールド下端とシリコン融液との間の距離寸法が大きい場合においても、炉体内を流れるガス流を整流して歩留まりを向上し、所望の特性を有する単結晶を容易に得ることのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方で単結晶Ｃの周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成されて設けられ、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６と、前記輻射シールド６の上方から下方に向けて不活性ガスＧを供給するガス供給手段１３と、前記輻射シールド６と前記ルツボ３との間に形成される空間に設けられ、前記ガス供給手段１３によりルツボ３内に供給されルツボ３外に導出される不活性ガスＧの流路を、該流路の高さ方向に分割する整流板７とを備える。 （もっと読む）

【課題】微小な気泡に起因するピットやマイクロバブルが大幅に減少し、電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶、及びマイクロバブルの発生を抑制して効率的に酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法において、単結晶用原料として、比表面積１ｍ^２／ｇ以下の酸化アルミニウム焼結体をイリジウム坩堝に入れて、１０時間以上かけて徐々に加熱溶融した後、炉体内雰囲気を酸素分圧１０〜５００Ｐａに設定し、酸化アルミニウム単結晶を育成する。これにより、原料に吸着または内包しているガス成分の取り込みを抑え、融液中での微小な気泡の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法)において、結晶増径部への液体封止剤の付着残留を防止し、結晶のクラック発生を防ぐ化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたルツボ４に、原料融液と液体封止剤を収納し、原料融液に種結晶を接触させ、この種結晶を引き上げることで単結晶を成長させるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、前記液体封止剤の上面温度を調整することにより、あるいは、前記液体封止剤の含有水分量を調整することにより、前記液体封止剤上面と前記単結晶表面との界面における前記液体封止剤の粘度を１３．０Pa・s以下とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置において、シールド下端とシリコン融液が接触してもシリコン融液を汚染せず、育成される単結晶への輻射熱を効果的に遮断し、単結晶育成速度（引上速度）を向上することのできる輻射シールド及びそれを具備する単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３内のシリコン融液Ｍから単結晶Ｃを育成しながら引上げる単結晶引上装置１において、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６であって、前記ルツボ３の上方で単結晶Ｃの周囲を包囲するように設けられ、所定の熱遮蔽材料により形成されたシールド本体６ａと、前記シールド本体６ａよりも下方においてシリコン融液面に臨むように設けられ、石英ガラスにより形成されたシールド下端部６ｂとを備える。 （もっと読む）