【課題】シリコン単結晶の品質評価に使用したのち廃棄されている評価使用済みサンプルを、単結晶育成時の原料またはドーパントとして使用する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、評価使用済みサンプル１２を前記シリコン単結晶育成用の原料または精製原料育成用の原料として使用する。ドーパントとして使用することもできる。前記精製原料を溶融して、再度チョクラルスキー法による引き上げを行い、高純度のシリコン単結晶を育成できる。評価使用済みサンプルの抵抗値が既知であることを利用し、育成されるシリコン単結晶の品質（抵抗率）を正確にコントロールして、所望の抵抗率の単結晶育成が可能である。また、評価使用済みサンプルを石英ルツボの底に敷き詰めることにより、大型原料の投入によるルツボの割れや疵発生の危険性を著しく低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー振れの発生を防止し、プルチャンバー内壁に堆積するシリコン酸化物を減少させるように不活性ガスを供給することができる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ルツボ１６，２３を収納するメインチャンバー１２と、メインチャンバー１２の上部に連接され、成長した単結晶１４が引き上げられて収容されるプルチャンバー１１とを有する単結晶引上げ装置であって、少なくとも、プルチャンバー１１内の上方にリング状のガス供給パイプ１３が水平配置され、ガス供給パイプ１３には複数のガス吹き出し孔が均等間隔で設けられており、ガス吹き出し孔は、ガス供給パイプ１３の垂下位置から外側の水平位置の間に形成されており、ガス吹き出し孔からプルチャンバー１１内壁にガスが直接あたるように吹き出されるものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】引き上げられる結晶を冷却する水冷体を備えた単結晶引上げ装置において、冷却水の漏れや水蒸気爆発など、水冷体に関する事故を防ぐことができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶２２の冷却装置３０を備える単結晶引上げ装置１０において、冷却装置３０の水冷体３１を支持する支持アーム３４を、水冷体３１に対して冷却水の給水、排水を行う水配管３２と単結晶２２との間に配置し、水配管の異種金属接合部３２ｃをチャンバー１１の外部に配置するとともに、前記水冷体３１の内部に配置された水路３１ａが、給水管３２ａから供給された冷却水を底部に下降させた後、循環流動させるとともに逐次上昇させて水冷体３１から排出させる構造とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ中インゴットを冷却するためのクーラーを備える単結晶インゴット製造装置において、ルツボを余分に加熱して温度を上げることなしにテール部を形成することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】加熱されたルツボ２３内の原料融液２２から単結晶インゴット２７の引き上げを行うチョクラルスキー法による単結晶インゴット製造装置において、引き上げ中の単結晶インゴット２７の所定個所の冷却を行うクーラー１９をチャンバー２１内に備える単結晶インゴット製造装置を制御する方法であって、単結晶インゴット２７を原料融液２２から引き上げた後に、クーラー１９と加熱が終了したルツボ２３とを近づけることにより単結晶インゴット製造後におけるホットゾーンの冷却時間を短縮し、単結晶インゴット製造サイクルの短縮（効率化）を可能にする。 （もっと読む）

【課題】大口径例えば約２００ｍｍ以上の単結晶を引上げた後にメインチャンバー内のホットゾーン部品を短時間で冷却できる単結晶製造装置及びその方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ルツボ１３を含むホットゾーン部品を収容するメインチャンバー１１と、ルツボ１３に収容された原料融液９から引上げられる単結晶６を収納して取り出すためのプルチャンバー１２とを具備するチョクラルスキー法による単結晶製造装置１０であって、さらに、ルツボ１３上に配置され冷却媒体が流通される冷却管１と、冷却管１を上下動させる移動機構３とを具備し、単結晶の育成後に、移動機構３により冷却管１がルツボ１３に向けて降下することでホットゾーン部品を冷却するものである単結晶製造装置１０及びその方法。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶の引上げ方法において、ネック部長さと、このネック部平均変動幅における最適値を再現性よく実現することが可能なネック部形状とすることにより、ネックに起因する単結晶の有転位化を低減できる単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内シリコン融液表面に種結晶を接触させてメニスカスの晶癖線突出幅で最適なネック縮径部の育成開始の融液表面温度を見極めるステップＳ２と、種結晶のシリコン融液への接触からネッキング開始太さ迄を略逆円錐形状とした直径設定値のずれを、育成速度とシリコン融液を加熱するヒータ供給電力とで修正することで、略逆円錐形状に縮径させる絞り部育成ステップＳ３と、ネック部の長さ寸法を２００ｍｍ〜４００ｍｍの範囲内として直径設定値のずれを、育成速度とシリコン融液を加熱するヒータ供給電力で修正するステップＳ４を有する。 （もっと読む）

【課題】少量の湯漏れが発生した場合でも、その湯漏れを素早く正確に検知することができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】メインチャンバー２の底部に設置されルツボ３から漏れてくる融液５を収容する湯漏れ受け皿８と、湯漏れ受け皿８に配設され湯漏れを検出する少なくとも１つの湯漏れ検出器１１と、ルツボ３と湯漏れ受け皿８との間に配設され、ルツボ３から漏れてくる融液５を湯漏れ検出器１１の測定位置に誘導する誘導構造を設けた断熱板４とを具備し、ルツボ３から漏れてくる融液５を断熱板４の誘導構造で湯漏れ検出器１１の測定位置に誘導して湯漏れ受け皿８に収容し、湯漏れ検出器１１で湯漏れを検出するものである単結晶引上げ装置１。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内で凝固して当該るつぼの内面に付着した固体物質を十分且つ効率的に取り除くことが可能な方法及びこれを用いたるつぼ再生方法を提供する。
【解決手段】るつぼ２０内で凝固して当該るつぼ２０の内面に付着した除去対象物質Ｓの除去方法であって、除去対象物質Ｓとともに当該除去対象物質Ｓの融点よりも低い温度で液相を形成する添加物質を、るつぼ２０内に供給する供給工程と、るつぼ２０を加熱して当該るつぼ２０内の除去対象物質Ｓ及び添加物質を融解させる加熱工程と、除去対象物質Ｓと添加物質とを含有する融液をるつぼ内から排出する排出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内で凝固してるつぼの内面に付着した酸化アルミニウムを十分且つ効率的に取り除くことが可能な方法及びこれを用いたるつぼ再生方法を提供する。
【解決手段】るつぼ２０内で凝固してるつぼ２０の内面に付着した酸化アルミニウム（除去対象物質Ｓ）の除去方法であって、るつぼ２０内に酸化カルシウムを供給する供給工程と、るつぼ２０を加熱してるつぼ２０内の酸化アルミニウムＳ及び酸化カルシウムを融解させた後、冷却してるつぼ２０内に混合固体を得る熱処理工程と、機械的処理もしくは化学的処理、又はこれらの両方の処理によって、るつぼ２０内の混合固体を取り除く除去工程とを備える。 （もっと読む）