【課題】拡径部における無転位化率を低下させることなく、単結晶棒の生産性を向上させる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、先端２の尖ったシリコン種結晶１をシリコン融液に接触させた後、種結晶１を保持することによって保温をし、その後種結晶１を先端２から所定の直径の位置Ａまでシリコン融液に溶かし込み、ネッキングを行って絞り部３を形成し、続いて拡径して拡径部４、直胴部５を形成して単結晶棒を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、直前２回分の種結晶１をシリコン融液に接触させたときのシリコン融液の表面温度と絞り部３の最小直径Ｗとの関係から、今回の種結晶１をシリコン融液に接触させるときのシリコン融液の温度を補正した後、補正後のシリコン融液の温度において種結晶１をシリコン融液に接触させた後、保温し、その後の工程を行って単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成されたウェーハ表面にＥＰ欠陥がなく、ゲッタリング能力に優れた特性を有するエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＣＺ法によって、ＯＳＦ核潜在領域を有し、かつ酸素濃度が１２×１０¹⁷〜１５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２１−１９７９）に調整されたシリコン単結晶インゴットを引き上げるに際し、引き上げ途中の１０３０〜９２０℃の温度領域を１．０℃／分以上の冷却速度で、続いて９２０〜７２０℃の温度領域を０．５℃／分以上１．０℃／分以下の冷却速度で成長させたシリコン単結晶インゴットを育成した後、当該単結晶インゴットから切り出されたウェーハの表面上にエピタキシャル層を形成することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、およびその方法により得られるシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

結晶成長システムにおいて結晶成長を制御することを示す。該結晶成長システムは、そこからチョクラルスキー法により単結晶インゴットを成長させる半導体融液を含む加熱された坩堝を含み、該インゴットは該融液から引き上げられるシード結晶上に成長する。本願の方法は、上部コイルに第１の交流電流（Ｉ_ＵＡＣ）を供給し、かつ下部コイルに第２の交流電流（Ｉ_ＬＡＣ）を供給することによりカスプ磁場を該融液に印加することを含む。該方法はまた該上部コイルに第１の交流電流（Ｉ_ＵＡＣ）を供給し、かつ該下部コイルに第２の交流電流（Ｉ_ＬＡＣ）を供給し時間的に変化する磁場を形成することも含み、該時間的に変化する磁場は該半導体融液中にポンプ力を形成する。
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【課題】結晶内の組成のばらつきの小さいランガサイト系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ランタンの酸化物、タンタルの酸化物、ガリウムの酸化物、及び、アルミニウムの酸化物を原子比で、La:Ta:Ga:Al=3.0:0.5:5.5-x:x(ただし、0.1≦x≦0.3)の量比で混合した原料を用い、不活性ガス中に酸素を体積基準で1.0%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気下で、チョクラルスキー法によりLTGA単結晶を育成する。結晶育成時は、ワークコイル５と坩堝３の内径比を調整することにより炉内温度勾配と坩堝内融液対流を制御し、同時に、固液界面形状が平らになるように引上げ速度と種結晶の回転速度を調整する。この後、LTGA単結晶の育成後の冷却時に、不活性ガス雰囲気、又は、不活性ガスと酸素ガスの混合ガス雰囲気で、700℃以上、900℃以下、5時間以上、24時間以下のアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】マルチプリング法を採用する場合に、石英ルツボの損傷を効果的に抑制し、結晶品質を向上させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、石英ルツボ３にシリコン原料８を供給する工程と、石英ルツボ３内でシリコン原料８を溶融させこの原料融液５からシリコン単結晶７を引き上げる工程とを繰り返し、同一の石英ルツボ３を用いて複数本のシリコン単結晶７を製造する際、シリコン単結晶７を繰り返し引き上げるのに伴って、引き上げ開始前の石英ルツボ３内の原料融液５の液面６の位置を、直前に行った単結晶引き上げにおける引き上げ開始前の液面６の位置よりも低い位置に変更する。 （もっと読む）

【課題】結晶長に対する抵抗率のばらつきを小さく抑え、無転位化率の高い単結晶を得ると共に、不活性ガスの消費量が増加することなく、且つ、操業時間が長時間化することのない単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶引上領域を囲むようにルツボ３の上方に配置された輻射シールド６内に、上方から下方に向けて流れる不活性ガスＧを供給し、単結晶Ｃが所定の長さに成長するまで、輻射シールド６の下方からルツボ３内に導出される不活性ガスＧを、輻射シールド６とシリコン融液面Ｍ１との間の空間に設けられた整流板７により空間が高さ方向に分割されて形成された二つの流路に沿って流すステップと、単結晶Ｃが所定の長さを超えると、整流板７を輻射シールド６に接触させ、輻射シールド６の下方からルツボ３内に導出される不活性ガスＧを、整流板７とシリコン融液面Ｍ１との間に形成された一つの流路に沿って流すステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】絞り工程でシード直径の制御性を向上させ、また更に、増径工程、定径工程で引き上げ途中の単結晶径の制御性を向上させ得る単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶の育成方法において、シード直径を減少させる絞り工程で、ルツボ回転数を、前記種結晶の回転方向に対して正方向または逆方向に０．１ｒｐｍ以下とする。絞り工程およびこれに続く増径工程で、ルツボ回転数を、同じく０．１ｒｐｍ以下とする。シリコン単結晶の育成を、０．１Ｔ以上０．４Ｔ以下の横磁場印加の下で行うこととする実施形態を採用することが望ましい。目標シード直径を各引上げ単結晶の重量での破断限界に応じた最小径とすることができるので、転位が抜け易く、かつ、ネック部での破断の危険性を著しく低減することができる。また、単結晶径の制御性を向上させて引上げ速度の変動を抑制し、製品歩留りを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ネック部が長くなるのを阻止することにより、チャンバが長大化するのを防止し、また単結晶の引上げ長さが制限されるのを防止できる単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３に融液１４を貯留し、この融液１４に種結晶２３を浸漬して引上げることにより単結晶１１を成長させ、更に融液１４表面より上方に設けられた熱遮蔽体２４が成長中の単結晶１１外周面を包囲してヒータ１８による単結晶１１外周面への輻射熱の照射を遮る。融液１４表面と熱遮蔽体２４下端とのギャップＧが５０ｍｍ〜２００ｍｍになるようにるつぼ１３を下降させた後に、融液１４表面に種結晶２３を浸漬して単結晶１１のネック部１１ａを成長させる。そして融液１４表面から単結晶１１の肩部を成長させている間に、ギャップＧが１５ｍｍ〜１００ｍになるようにるつぼ１３を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げ用ワイヤに付着した付着物を効率良く、確実に除去することができ、その付着物に起因する有転位化の発生を防止することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置は、内部にルツボを配置するメインチャンバと、メインチャンバの上端から切り離して退避が可能なプルチャンバ２と、単結晶引き上げ用のワイヤ８をプルチャンバ２の上端からプルチャンバ２内に垂下させ昇降させるワイヤ昇降機構と、を備える。この単結晶引き上げ装置に用いられるワイヤ洗浄装置は、プルチャンバ２をメインチャンバから退避させた状態で、プルチャンバ２内に垂下されたワイヤ８を、上壁３１ａおよび底壁３１ｂに形成された挿通孔３２、３３を通して貫通させる洗浄箱３１と、洗浄箱３１内でワイヤ８に向け洗浄液を霧状にして噴射するノズル４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶から熱の放射が遮られるのを抑制し、単結晶の冷却効果を向上することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液６を収容するルツボ９，１０及び原料融液６を加熱するヒータ１１を格納するメインチャンバ５と、メインチャンバ５の上部に連設され、成長した単結晶８が引き上げられて収容される引上げチャンバ７と、引上げチャンバ７に設けられたガス導入口１６と、メインチャンバ５の天井部から下方に延設される黒鉛製の整流筒３と、整流筒３の下端部から、整流筒３を取り囲むように外上方に拡径して延出した断熱リング４とを有したチョクラルスキー法による単結晶製造装置１であって、整流筒３の下端より５０〜２００ｍｍの領域に少なくとも１つの窓２を設け、窓２の開口面積が、整流筒３の下端より５０〜２００ｍｍの領域の表面積の５０％以上を占めるものである。 （もっと読む）