【課題】改良された予備加熱機構を用いてシリコン原料を予備加熱した後、誘導加熱によってシリコン原料を溶解させる。
【解決手段】シリコン原料２を収容する溶解容器１１と、シリコン原料２を取り囲む筒状の予備加熱機構１４と、予備加熱機構１４の周囲に巻回された誘導コイル１２と、誘導コイル１２に交流電流を供給する電源回路１３と、予備加熱機構の着脱を行う着脱機構１５とを備えている。そして、予備加熱機構１４を取り付けた状態で誘導コイル１２に交流電流を流すことによりシリコン原料２を予備加熱した後、予備加熱機構１４を取り外した状態で誘導コイル１２に交流電流を流すことにより、予備加熱されたシリコン原料２を誘導加熱する。これにより、シリコン原料２を誘導加熱する前に効率よく予備加熱を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を結晶成長させる際に、サファイア単結晶中への気泡の混入をより抑制する。
【解決手段】チャンバ内に置かれたるつぼ中の酸化アルミニウムを溶融させてアルミナ融液を得る溶融工程と、アルミナ融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程と、チャンバ内に、酸素と不活性ガスとを含み、酸素の濃度が０．６体積％以上且つ３．０体積％以下に設定された混合ガスを供給するとともに、融液からサファイア単結晶を引き上げて直胴部を形成する直胴部形成工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸素析出物の非常に少ないシリコン単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットから評価用試料を切り出し、as-grown状態の評価用試料にＲＩＥを施した場合に、酸化シリコンを含む欠陥を起因とした突起物が評価用試料の表面に形成されない条件で、シリコン単結晶インゴットの引き上げを行う。ＲＩＥを行うと、微小酸素析出物をも検出可能であることから、ＲＩＥによる評価で突起物が形成されない条件にて引き上げを行うことにより、微小酸素析出物を含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。このため、ＩＧＢＴのように、ウェーハのバルクの品質に影響されるデバイス用の高品質なシリコン単結晶を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造装置の炉内で用いられる、コート膜を有する黒鉛部材のライフを短時間で求め、炉内部品の破損を招くことなく、安全に評価する黒鉛部材のライフの評価方法を提供する。
【解決手段】評価対象と同じ材質で同じ膜厚のコート膜を有する黒鉛サンプルと、ライフが既知のコート膜を有する黒鉛サンプルとを用いて、黒鉛サンプルをシリコン融液に同時に所定時間浸漬し、その後、シリコン融液から黒鉛サンプルを同時に引き上げて、コート膜の膜厚を測定し、既知の黒鉛部材を炉内でそのライフまで使用したときのコート膜厚を限界膜厚としたとき、既知の黒鉛部材のライフ（Ｌｋ１）と、既知および評価対象の黒鉛サンプルのコート膜厚が限界膜厚に達するまでの浸漬時間（Ｔｋ１、Ｔｕ１）とを用いて、下記式により、評価対象の黒鉛部材のライフ（Ｌｕ１）を求めて評価する。Ｌｕ１＝Ｌｋ１×（Ｔｕ１／Ｔｋ１） （もっと読む）

【課題】プルチャンバを昇降させる際に、昇降装置に過度の負担が掛かってプルチャンバの芯ずれやたわみが発生することを抑制し、組み立てや解体等のメンテナンスを安全且つ容易に行うことができ、またコンタミが発生したり単結晶棒の直径が目標からずれることを抑制することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、坩堝を収容するメインチャンバ１１と、該メインチャンバ１１上部に配置されたプルチャンバ１２と、該プルチャンバ１２を昇降させる昇降装置１３と、前記メインチャンバ１１及び前記プルチャンバ１２を支持するフレーム１４とを備え、前記昇降装置１３は、油圧シリンダ構造によって前記プルチャンバ１２を昇降させるものであって、かつ少なくとも上部にチャンバ倒れを防止するためのガイドレール１５を備え、該ガイドレール１５によって前記フレーム１４に固定された単結晶引上装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の酸素濃度を高く維持しつつ、面内の酸素濃度を均一化できる引上げ装置及び引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１３０を回転させながら昇降させるルツボ回転駆動部１５０と、ヒータ１４２を昇降させるヒータ駆動部１４３と、磁場印加部１４０を昇降させる磁場駆動部１４１と、ルツボ回転駆動部１５０、ヒータ駆動部１４３及び磁場駆動部１４１の駆動を制御する制御部１６０と、を有し、制御部１６０は、ルツボ回転駆動部１５０によるルツボ１３０の昇降に同期させて、磁場印加部１４０の磁場中心位置がシリコン融液１１６の表面から所定の位置に常に位置するように磁場駆動部１４１の駆動を制御して磁場印加部１４０を昇降させ、同時に、シリコン融液１１６の温度が常に均一になるように所定のデータに基づいてヒータ駆動部１４３の駆動を制御してヒータ１４２を昇降させるシリコン単結晶引上げ装置１００。 （もっと読む）

【課題】サブグレインや気泡の発生を抑制して、効率的に高品質なc軸方位の酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内に配置した坩堝３に単結晶製造用の原料を入れて加熱コイル５により加熱溶融し、前記原料が溶融した融液６から単結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、原料である酸化アルミニウムの純度を99.99%以上のものを用い、酸素を0.2〜1.0体積％含有する不活性ガス雰囲気中で酸化アルミニウム単結晶を育成する。また、結晶製造装置における坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φ_Wとの比を、0.4以上、0.6以下とすることにより、結晶育成中の融液の対流を効率的に制御すことができ、高品質な結晶の製造に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の半導体単結晶製造装置において、排気部材の内面へのドーパント及びドーパントの酸化物の固着物、並びにアモルファスの層の固着を抑制し、また、これらが排気部材の内面に固着したとしても容易に除去することのできる半導体単結晶製造装置用の排気部材を提供する。
【解決手段】半導体単結晶製造装置用の排気部材１０は、引き上げ炉の内部でドーパントが添加された半導体の融液から、半導体単結晶を製造する半導体単結晶製造装置に用いられ、前記融液からの蒸発物及び気化したドーパントをキャリアガスとともに外部に排気するための排気部材１０であって、排気部材１０のうち、排気される前記融液からの蒸発物及び気化したドーパントが通過する空間に面した曝露面１１の表面粗さＲａが０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つシリコンウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。
【解決手段】アンチモン等の揮発性ドーパントを添加したシリコン融液２１からチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を引き上げることにより垂直シリコンデバイス用シリコンウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、前記シリコン融液の表面に沿って流れるＡｒガスの流量を増加させる。これにより、引き上げが進行するに連れてシリコン融液からのドーパントの蒸発が促進されることから、ドーパントの偏析が効果的に補償される。さらに、シリコン単結晶の引き上げ進行に伴って、チャンバー１１内の圧力を低下させることが好ましく、これにより、ドーパントの偏析をより確実に補償することが可能となる。 （もっと読む）