【課題】装置を煩雑化することがなく、引上装置内の所要部分へのＳｉＯガスの凝縮を抑制して、シリコン単結晶の有転位化を防止すると共に、シリコン単結晶の引上時に使用するカーボンヒータやカーボンルツボの寿命の低下を抑制することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１００は、ルツボ３の外周囲に設けられ、ルツボ３を加熱する第１ヒータ５と、ルツボ３の上方に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇへの輻射熱を遮断する輻射シールド７と、第１ヒータ５より上方であり、かつ輻射シールド７の外周囲に設けられ、ルツボ３の上部３ａ１及び輻射シールド７の外周部７ａを加熱する第２ヒータ１０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件をフィードバック調整する。これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積をシリコンウェーハ４０の面積の１０％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】効率よく泡欠陥の発生を抑制することができ、且つ、坩堝金属のインクルージョンの発生を十分に抑制することができるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】イリジウム坩堝１７に酸化アルミニウムを含むサファイア単結晶の原料を装入して加熱溶融し、原料融液１８から成長結晶１を引き上げるチョクラルスキ法を用いたサファイア単結晶の製造方法であって、上記原料の溶融及び上記サファイア単結晶１の育成を行う際の雰囲気を、二酸化炭素ガスと不活性ガスとを混合した混合ガス雰囲気とし、上記混合ガス中の二酸化炭素ガス濃度を０．５体積％以上５．０体積％未満とする。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍあるいはそれより大径の大口径シリコン単結晶を、これより小さな径の小口径シリコン単結晶と同等の品質で、しかも低コストかつ短時間にて製造することができる大口径シリコン単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の大口径シリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法によりルツボ１１内に収容されたシリコン融液４から大口径シリコン単結晶３を成長させる方法であり、大口径シリコン単結晶３及びルツボ１１を囲むように配置された断熱部材２１〜２５各々の形状を変更することにより、大口径シリコン単結晶３の引き上げ時の熱履歴を、２００ｍｍあるいは３００ｍｍの径の小口径シリコン単結晶の引き上げ時の熱履歴に模擬し、この模擬した熱履歴に基づき大口径シリコン単結晶３を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ネック形成時の融液温度を、ネック部形成に適した温度となるよう適切に制御することによって、ネック部形成の成功率を向上させ、プロセスの効率化を図ったシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、引き上げ工程は、融液に種結晶１０１を浸漬させた後、ネック部形成のためのネック本引きを行う前に、ネック部を試し形成するためのネック試し引きを行うことを含み、該ネック試し引き後の種結晶１０１の直径の変化から、前記融液の温度がネック部形成に適した温度であるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液の湯漏れ監視及び種結晶の着液検出を行うと共に、長時間の引き上げに耐え得る石英ガラスルツボの強化並びにシリコン単結晶の不純物濃度の低減を図る方法を提供する。
【解決手段】ワイヤーの先端に取り付けられた種結晶を石英ガラスルツボ内のシリコン融液に着液させると共に、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ１を印加しながらその電圧の変化を監視することで種結晶の着液状態を検出する工程Ｓ１３、Ｓ１４と、その後の温度調整期間Ｓ１５において、ルツボ側をプラス極、ワイヤー側をマイナス極とする電圧Ｖ２を印加することで石英ガラスルツボの内表面を失透させる工程と、温度調整期間Ｓ１５の終了後、ルツボ側をマイナス極、ワイヤー側をプラス極とする電圧Ｖ３を印加しながら種結晶を徐々に引き上げることによりシリコン単結晶を成長させる工程Ｓ１６〜Ｓ２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B₂O₃）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の製造において、拡径部を形成した後、シリコン単結晶の直胴部の成長中に、後発的に拡径部にスリップが発生することを抑制し、効率良く高重量、大直径のシリコン単結晶を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも、チョクラルスキー法により、種結晶を原料融液に接触させ、拡径部を形成し、該拡径部に続いて直胴部を成長してシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法において、前記拡径部のうち、前記直胴部を成長する間に応力の集中が最大となる応力集中位置が存在する領域の格子間酸素濃度を３．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ ’７９）以上となるようにしてシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低酸素シリコン単結晶を製造するのに適しておりかつ酸素濃度を制御するために努力をあまり必要としない方法を提供する。
【解決手段】るつぼに融液を提供し、磁界中心Ｃにおける磁気誘導Ｂを有する水平方向磁界を融液に提供し、ガスをシリコン単結晶と熱遮へい体の間を融液自由面に向かって送り、融液自由面の、実質的に磁気誘導Ｂに対して垂直に延びた領域上を流れるようにガスを制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハに酸化熱処理を施すことにより、ウェーハの径方向及び厚さ方向の全域にわたってＣＯＰを消滅させる。
【解決手段】チャンバ１２に収容されたるつぼ１３にシリコン融液１５を貯留し、このシリコン融液１５に種結晶２３を浸漬して回転させながらシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１に中性子を照射することによりシリコン単結晶１１にリンをドープする。るつぼ１３から、内部の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコン単結晶１１であって、サイズが１００ｎｍ以下でありかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１を引上げた後に、このシリコン単結晶１１への中性子の照射によりシリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキを５％以下にする。 （もっと読む）