【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の半導体単結晶製造装置において、排気部材の内面へのドーパント及びドーパントの酸化物の固着物、並びにアモルファスの層の固着を抑制し、また、これらが排気部材の内面に固着したとしても容易に除去することのできる半導体単結晶製造装置用の排気部材を提供する。
【解決手段】半導体単結晶製造装置用の排気部材１０は、引き上げ炉の内部でドーパントが添加された半導体の融液から、半導体単結晶を製造する半導体単結晶製造装置に用いられ、前記融液からの蒸発物及び気化したドーパントをキャリアガスとともに外部に排気するための排気部材１０であって、排気部材１０のうち、排気される前記融液からの蒸発物及び気化したドーパントが通過する空間に面した曝露面１１の表面粗さＲａが０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】輻射シールドへのＳｉＯガスの付着を防ぎ、整流を保ちつつＳｉＯガスを効果的に排出することができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】炉と、第１ガス供給手段１６０と、上部、円形の開口を有する下部及び外側が曲面に形成され前記上部と前記下部とを接続する曲面部を備える輻射シールド１２０と、一端が前記第１ガス供給手段１６０に接続されたガス供給管１２３とを備え、前記輻射シールド１２０は、内部に、一端部が前記ガス供給管１２３の他端に接続され、他端部が前記下部若しくは前記曲面部又はその双方の外側表面に設けられた１以上の開口に接続される１以上のガス供給路１２１を有し、前記ガス供給路１２１の他端部は、前記開口の中心を含み前記輻射シールド１２０の前記外側表面に対して垂直な平面上に位置し、且つ前記外側表面の法線方向に対して前記輻射シールド１２０の前記下部側の端部方向に傾斜されて配設される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引上装置において、簡単な構成で、低コストでもって不活性ガス中のＳｉＯを除去する機能を有する不活性ガス回収装置を提供する。
【解決手段】単結晶引上装置２からドライ真空ポンプ５を経て排出される不活性ガスを精製装置８に導いて高純度化し、再び単結晶引上装置２にリサイクルさせる不活性ガス回収装置において、ドライ真空ポンプ５の前段に、排ガス中に含まれるＳｉＯを蒸発させて除去する機能を持つ装置３を設ける。前記ＳｉＯ除去機能を持つ装置は、ガス流入口及びガス流出口を設けた密閉槽にカーボンヒーターを内蔵しており、ＳｉＯを含む不活性ガスを所定温度に加熱してＳｉＯを蒸発させ、炭素繊維類又は固形の黒鉛類等の炭素に反応させてＳｉＣとなし、前記ＳｉＣを炭素繊維類又は固形の黒鉛類等の炭素に付着させて除去する。ドライ真空ポンプの後段に、電気集塵機及びフィルターを備えるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶に生じる有転位化を抑制し、ピンホールの発生を低減し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上げ装置のチャンバ内に設置された石英ルツボ１２にシリコン原料を溶解してシリコン融液を貯留し、石英ルツボ１２に貯留したシリコン融液から棒状のシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶を製造する方法において、シリコン原料３３を充填する前に、石英ルツボ１２内部の底部に円盤状又は底面が石英ルツボの底面に沿った形状を有する多結晶又は単結晶のシリコンブロック３２を配置する。 （もっと読む）

【課題】育成中に破裂することなく、グローイン欠陥の無いシリコン単結晶を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配の比Ｇc₁／Ｇeが１．２〜１．３となるように育成中の単結晶１１の外周部を冷却する。熱遮蔽体２８下端とシリコン融液１５表面との間のギャップを４０〜１００ｍｍに設定し、パーフェクト領域からなるか或いはこのパーフェクト領域の引上げ時よりも引上げ速度が大きい領域からなるように、単結晶１１の引上げ速度ｖと単結晶１１中心部における融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配Ｇc₂との比ｖ／Ｇc₂を０．１６〜０．２０ｍｍ²／(℃・分)に制御する。さらに、単結晶１１の引上げ速度を制御して、固液界面３３上の単結晶１１中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス配線パターンの微細化に伴い特に問題視されるデバイス熱処理工程で発生するスリップ転位を抑制し、パターンずれを防止するために効果的なＢＭＤの密度とサイズを有するシリコンウェーハとその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハであって、酸素析出物を析出させる析出熱処理前後における酸素濃度変化量をΔＯ_ｉ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）（ＪＥＩＤＡ）、ＲＩＥ法によって検出される酸素析出物の密度をＤ（個／ｃｍ^３）とした時に、ΔＯ_ｉ／（Ｄ×１０^６）≦５、かつＤ≧１×１０^１０の関係を満たすものであることを特徴とするシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】 急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度（Ｔ_１）１３００℃以上１３８０℃で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う （もっと読む）

【課題】正確な推定温度に基づいて育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１に収容された坩堝１２にシリコンを貯留し、シリコンを加熱してシリコン融液２０とし、シリコン融液２０に種結晶２２を浸漬して回転させながら引き上げることにより、種結晶２２からシリコン単結晶２１を引き上げて育成する方法であって、整流体１８の断熱材の熱伝導率の最適値とチャンバ１１内壁の輻射率の最適値とを、育成中のシリコン単結晶２１の実温度を測定することにより求め、最適値を総合伝熱解析プログラムに代入し、総合伝熱解析プログラムを実行して育成中のシリコン結晶温度を推定し、推定されたシリコン結晶温度に基づいて育成中のシリコン単結晶２１の冷却条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】筒部材内において断熱材が落下してしまうことを防止し、所望の品質のシリコン単結晶を製造できるようにした、シリコン単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン原料を入れた坩堝と、坩堝内のシリコン原料を加熱溶融するヒータと、坩堝内のシリコン融液からシリコン単結晶棒を引き上げる引き上げ手段と、を備えてなるシリコン単結晶製造装置である。シリコン単結晶棒の外周面を囲繞する円筒状の熱遮蔽体２３を有している。熱遮蔽体２３は、内筒部材２７と、その外側に配置された外筒部材２８と、これらの間に設けられた断熱材２６と、これらの間の底部側の開口を閉塞する底板部材２９とを有してなる。熱遮蔽体２３には、断熱材２６を底板部材２９の上面より上方に所定の間隔をあけて位置させ、その状態を保持する支持部３１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】サイクロンの圧力損失を抑えながら、集塵効率を向上させ、分離径の小型化が可能なサイクロン集塵装置を提供する。
【解決手段】サイクロン本体３１の直筒状胴体部３３のガス導入口３６付近に、ガス排気管３７より径が大きく流入したガスの流路を規制するような内筒３８を配置する。ガス導入口３６から流入したガスは、この内筒３８と直筒状胴体部３３との間の流路３９を通過して、サイクロン本体３１内を旋回しながら徐々にダストチャンバ３２方向に流れる。サイクロン本体３１の下部では、逆流防止部材としてのテーパー部４４が設けられた排気誘導管４２の周囲を通過してダストチャンバ３２に流入する。ここで、粉塵が分離、捕集され、ガスのみが排気誘導管４２、サイクロン本体３１の中央部及びガス排気管３７を介して、排気管２０ｂから排気される。
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