【課題】育成するシリコン単結晶の品種によらず一定の条件でライフタイムの測定が行えるＣＺ単結晶製造装置の内部汚染度評価方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴットの育成の間、石英坩堝の上方を上下動可能なワイヤケーブル７によって、ライフタイムの評価用試料１４を単結晶製造装置の内部に吊り下げ、育成完了後、チャンバから評価用試料を取り出し、その評価用試料のライフタイムの測定値を単結晶製造装置の内部汚染度の評価値とする。評価用試料１４は、ライフタイムの測定が可能な抵抗率を有するシリコン単結晶のウェーハからなる。また、評価用試料１４は、ワイヤケーブル７の先端に直接取り付けるほか、シードチャック６の側面に取り付けられた鍔状の載置台１５上に載置することができる。 （もっと読む）

【課題】大口径化に伴う大重量のシリコン単結晶を落下させることなく安全に育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、ルツボ２内の原料融液６に浸漬させた種結晶８を引き上げてネック部１０を形成し、ネック部１０に続いて径拡大部１１およびくびれ部１２を形成した後、径拡大部１１を把持しながら引き上げてシリコン単結晶９を育成するに際し、ネック部１０を無転位化させた後に径拡大部１１の形成に移行する。これにより、無転位化されて強度を確保されたくびれ部１２が形成されるため、シリコン単結晶９の重量負担によるくびれ部１２の破断を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＨＭＣＺ法により育成されたシリコン単結晶の格子間酸素濃度を高精度に制御し、高品質のシリコン単結晶を製造する方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】石英ルツボ５ａ内に収容したシリコン原料融液２に、磁場印加装置１０により水平磁場を印加しながら単結晶３の引き上げを行う水平磁場印加ＣＺ法により単結晶を製造する方法において、前記磁場印加装置１０により発生した磁場の中心位置を測定し、該測定された磁場の中心位置と前記単結晶３の回転軸となる引上軸との位置合せをした後に単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】石英ガラスルツボなどをモールドから容易に取り出すことができるルツボリフト装置とその取り出し方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２０が設置されたモールド３０の上側にリフト装置１０が設置される。上記ルツボ２０の開口部に向かって蓋材５が下降し、緩衝材を介して蓋材５がルツボ２０の開口部に密着し、ルツボ２０の内部空間２１を密封する。次いで、吸引ダクト６を通じて上記内部空間２１が減圧されると、蓋材５は開口部に吸着されてルツボ２０と一体になる。減圧後、昇降モータ７によってシャフト３が回転し、蓋材５と一体にルツボ２０が持ち上げられる。このとき、好ましくは、モールド３０の通気孔３１を通じて、モールド内表面とルツボ２０の間に圧縮空気を導入し、ルツボ２０がモールド３０から離れ易くする。こうして、モールドから石英ガラスルツボが自動的に取り出される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の成長過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶中にＬｉ等のアルカリ金属が取り込まれるのを防止することにより、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理における酸化膜の異常成長を抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、石英坩堝１ａ内で溶融したシリコン原料の溶融液３から単結晶４を引き上げて成長させる方法において、前記石英坩堝１ａの外壁側が正極、前記単結晶４を引き上げる引上軸５とは別途設置され、前記シリコン原料の溶融液に浸漬された電極１１側が負極となるように直流電圧を印加し、前記電極から電流を流しながら、前記引上軸５により単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】大口径で大重量のシリコン単結晶を製造する際、ネッキング工程でネック部の中心軸部分に残った転位を、確実に除去できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成方法において、溶融液に浸漬した種結晶７を上方に引き上げて種結晶径を減径する絞り部８を形成した後、ネック部９を形成する過程で、ネック部９の直径ｄを増大させた後縮小させてなる増径部９ａ−１、またはネック部９の直径ｄを縮小させてｄ１とした後増大させてなる減径部９ｂ−１〜９ｂ−４を形成してネック部径ｄを増減させる。ネック部径ｄの増減を、ネック部９を形成する過程の最終段階で行うこととすれば、軸上転位を含む全ての転位を、より効率よく除去することができる。 （もっと読む）

【課題】鞍型コイルを用いたＨＭＣＺ法において問題となる引上げ中の結晶径の急増現象を阻止して、安定な結晶引上げを可能にする。坩堝回転数を上げずに酸素濃度を上昇させることにより、ＭＣＺ法において坩堝回転数を上げたときに問題となる酸素濃度の面内分布の悪化を回避する。
【解決手段】チャンバ７内の坩堝１に収容された原料融液１３に水平磁場を印加するために、坩堝１を挟んで対向配置されたコイル３０ａ，３０ｂを、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型コイルとする。コイル３０ａ，３０ｂの中心線Ｃ−Ｃの坩堝１内の原料融液１３の表面からの位置を、予め測定した結晶径の急増が発生しない位置に設定するとともに、結晶成長の後半においてより深い位置とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】引き上げられる結晶を冷却する水冷体を備えた単結晶引上げ装置において、冷却水の漏れや水蒸気爆発など、水冷体に関する事故を防ぐことができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶２２の冷却装置３０を備える単結晶引上げ装置１０において、冷却装置３０の水冷体３１を支持する支持アーム３４を、水冷体３１に対して冷却水の給水、排水を行う水配管３２と単結晶２２との間に配置し、水配管の異種金属接合部３２ｃをチャンバー１１の外部に配置するとともに、前記水冷体３１の内部に配置された水路３１ａが、給水管３２ａから供給された冷却水を底部に下降させた後、循環流動させるとともに逐次上昇させて水冷体３１から排出させる構造とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン原料として使用されないシリコン原料を精製して、単結晶シリコン製造用結晶原料又は単結晶シリコンインゴット（シリコン単結晶）を製造する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）において、シリコン原料１３をルツボ１ａ内で溶融した後、この溶融液１１からＣＺ法によりシリコンインゴット５ａを育成する際に、育成されるシリコンインゴット５ａとシリコン溶融液１１間に電圧を印加し、単結晶シリコン製造用結晶原料５ａを製造する。また、（ｂ）においては、シリコン原料１３を溶融して育成した原料用シリコンインゴット５ｂを溶解した後、このシリコン溶融液からＣＺ法により単結晶シリコンインゴット１４を引上げる際に、育成される単結晶シリコンインゴット１４とシリコン溶融液間に電圧を印加する。シリコンインゴット５ａ，１４を正極（＋極）とし、＋５０Ｖ以下の電圧を印加するのが望ましい。 （もっと読む）