【課題】シリコン単結晶の引上げ条件を変更しても、シリコン単結晶及びシリコン融液の固液界面形状やこの固液界面近傍の温度分布の計算値が実測値と極めて良く一致する、シリコン単結晶製造における数値解析方法を提供する。
【解決手段】メッシュ構造でモデル化したホットゾーンの各部材の物性値をコンピュータに入力し、各部材の表面温度分布をヒータ１９の発熱量及び各部材の輻射率に基づいて求める。上記各部材の表面温度分布及び熱伝導率に基づいて各部材の内部温度分布を求めた後に対流を考慮したシリコン融液１３の内部温度分布を求め、固液界面形状をシリコン単結晶２３の三重点を含む等温線に合せて求め、更に上記ステップを三重点がシリコン単結晶の融点になるまで繰返す。シリコン融液のメッシュを所定の範囲に限定し、乱流モデル式がｋｌ−乱流モデル式であり、このｋｌ−乱流モデル式中の乱流プラントル数がチューニングパラメータである。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンの引き上げ経路を囲繞する熱遮蔽体からシリコン融液への塵の落下を防止するシリコン融液の汚染防止装置を提供する。
【解決手段】熱遮蔽体５５は、下方の開口よりも上方の開口が大きく、上方の開口と下方の開口の間にあって単結晶シリコンの引き上げ経路側に向く斜面５５ａを有し、この斜面５５ａに高低差が０．５〜１０．０ｍｍ程度の凹凸を有する。こうした構成によりシリコン融液への塵の落下を低減し、単結晶シリコンの品質低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶からの輻射熱の冷却効果が時間の経過と共に低下するのを防ぐことができるチョクラルスキー法による単結晶製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボ１及び前記原料融液を加熱するヒータ８を格納するメインチャンバ２と、該メインチャンバ２の上部に連設され、成長した単結晶が引き上げられて収容される引上げチャンバ３と、前記引上げチャンバ３に設けられたガス導入口１１と、前記メインチャンバ２の天井部から下方に延設される整流筒１４を有する単結晶製造装置において、前記メインチャンバ２内の整流筒１４の外側に設置したガス導入口１７から不活性ガスを流し、メインチャンバーの内壁面および整流筒の外側側面への酸化物の堆積を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】原料融液の放熱を抑制することによって種結晶の着液を適切な融液表面温度で行うことができ、コーン部においてはコーンの拡径速度が臨界値を超えて有転位化することなく、直胴前半部においては固液界面形状の変化に追いつかず有転位化することのない無転位の単結晶を製造することが出来る単結晶製造装置及びその単結晶製造装置を用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液５を収容するルツボ６，７及び原料融液５を加熱するヒータ８を格納するメインチャンバ２と、原料融液５に着液して下方に単結晶４を育成するための種結晶１２を保持する種ホルダ１３と、原料融液５上方から下流する不活性ガスを単結晶４の近傍に整流するための整流筒１４を有した単結晶製造装置１であって、不活性ガスを通すための切り欠きを有する円錐状の反射体１７を種結晶１２の上方に具備し、反射体１７の外径が整流筒１４の内径未満である。 （もっと読む）

【課題】育成する単結晶が大口径であっても、単結晶中のカーボン濃度を低減し、有転移化を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方に設けられ、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６と、輻射シールド６の上方からルツボ３内に不活性ガスＧを供給するガス供給手段１３、１４、１７と、ルツボ３内を通過した不活性ガスＧを炉体２外に排気する排気手段１８、１９とを備え、輻射シールド６は、輻射シールド６の外周面とルツボ３の内周面との最近接部での隙間面積が溶融液Ｍの液面面積の１０％以上３５％未満であって、且つ、輻射シールド６下端と溶融液面との隙間寸法が輻射シールド６の下端面の径方向の幅寸法よりも短くなるよう配置され、ガス供給手段１３、１４、１７によりルツボ３内に供給された不活性ガスＧは、輻射シールド６の配置によって形成される隙間を経由して排気手段１８、１９により排気される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高品質の結晶成長を高い歩留で成長させ、結晶歩留の改善を図る結晶成長装置または結晶成長方法に関する。
【解決手段】 本発明は、結晶成長を行なう上で、結晶品質の低下や結晶の乱れなどの悪影響を及ぼす混入水分や、混入空気などの活性ガス成分や、生成される炭素化合物ガスの真空排気を促進するため、炉壁材の昇温、供給ガスの昇温、吸着ガスの除去を行なう微量ガスの添加と昇温シーケンスにより炉内吸着ガスや混入ガスの排気を効率よく行なえる結晶成長装置及び結晶成長方法に関する。 （もっと読む）

【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却することによって、単結晶の成長速度の高速化を図ることができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液５を収容するルツボ６及び原料融液５を加熱するヒータ８を格納するメインチャンバ２と、メインチャンバ２の上部に連設され、成長した単結晶４が引き上げられて収容される引上げチャンバ３と、引上げ中の単結晶４を取り囲むようにメインチャンバ２の少なくとも天井部から原料融液５表面に向かって延伸し、冷却媒体で強制冷却される冷却筒１２を有したチョクラルスキー法によって単結晶４を育成する単結晶製造装置１であって、少なくとも、冷却筒１２の内側に嵌合される冷却補助筒１９を有し、冷却補助筒１９は軸方向に貫く切れ目を有し、原料融液５表面に向かって延伸しているものである。 （もっと読む）

【課題】多結晶の溶融時間を短縮してサイクルタイムを短縮することによって、生産コストの低減を図るとともに、電力コストの低減させる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、チャンバー６，７と、チャンバー６，７内のルツボ１と、ルツボ１の周囲に配されたヒーター３と、種結晶を引き上げる引上げ機構と、種結晶および育成した単結晶の導通路８とを具備し、ルツボ１内に収容した原料多結晶２をヒーター３によって溶融し、溶融多結晶に種結晶を接触させて引き上げる単結晶製造装置１２において、底部を曲面状とした円筒状の石英管９ａと、ドーム形状の石英板１０とを具備し、石英管９ａは、チャンバー６，７の上部より導通路８を通して曲面状の底部がルツボ上に臨むように配置され、石英板１０は、石英管９ａを取り囲むように配置されたものであって、石英管９ａの少なくとも底部と石英板１０は、ルツボ１に向けて熱線を反射する反射構造である。 （もっと読む）

【課題】原料に含まれる不純物を十分に低減でき、優れた品質の酸化物単結晶を効率的に製造可能な酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。前記不純物除去工程において融液状態の保持は、圧力１．０×１０−４〜１．０Ｐａの減圧雰囲気下又はＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ及びＮ２からなる群より選ばれる１種以上のガス種を含有する不活性ガス雰囲気下、あるいはさらに酸素を０．０１〜２０体積％混合した不活性ガス雰囲気下にて行い、保持時間は１〜１０００時間とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げにおいて、不慮の事故によって融液がルツボ外へ流出しても、湯漏れを直接検出することによって、いち早く湯漏れを高精度に検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早くかつ確実に行うことができる湯漏れ検出方法を提供する。
【解決手段】単結晶引上装置において、支持部材１４によって支持された断熱板１３を前記ルツボ２０の底部に配置し、前記ヒーター１１に通電する電極１２を前記チャンバー１６とは電気的に絶縁させ、前記支持部材１４は前記断熱板１３と電気的に接続させ、かつ前記電極１２及び前記チャンバー１６と電気的に絶縁させ、電気的に絶縁された前記電極１２と前記支持部材１４と前記チャンバー１６間の電気的導通を検出する回路２１を設けることにより、前記結晶材料融液が前記ルツボより漏れたことを検出する。 （もっと読む）