【課題】平坦化及び表面浄化がなされて半導体膜を成長させるのに適した酸化ガリウム単結晶基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｑが１．０〜２．０Åであり、かつ、表面粗さＲａが０．５〜１．０Åである酸化ガリウム単結晶基板、及び、酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工、平滑に研磨するポリッシング加工、及び化学機械研磨を行った後、洗浄溶媒中に浸漬させてマイクロ波を照射する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】自己補償効果を緩和し、ｐ型化を行いやすくしたＺｎＯ系半導体及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
窒素がドープされたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）結晶体で構成されたＺｎＯ系半導体を、絶対温度１２ケルビンにおけるフォトルミネッセンス測定を行って、スペクトル分布曲線を形成し、３．３ｅＶ以上の前記分布曲線の積分強度Ａ、２．７ｅＶ以上の前記分布曲線の積分強度Ｂとした場合、（Ａ／Ｂ）≧０．３ を満たすようにＺｎＯ系半導体が形成されているので、自己補償効果が低減されてｐ型化しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】 配向膜の大型化および低コスト化を可能にする結晶成長用基板を提供すること。
【解決手段】 本発明による結晶成長用基板は、基材と、基材上に位置し、層状化合物から剥離されたナノシート単層膜とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の主面をＸ線光電子により分光した場合、Ｚｎ原子の２ｐ３／２内殻電子の励起ピークエネルギーが、１０２１．７５ｅＶ〜１０２２．２５ｅＶの範囲に存在するように主面を形成する。このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、酸化処理が行われる。以上により、ＺｎＯ系基板においてダメージのない主面を得ることができ、薄膜成長に適した表面となる。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】所望の結晶性を有する酸化亜鉛薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、該結晶性薄膜のｃ軸が基板に略垂直方向に配向しており、かつ該結晶性薄膜のｃ軸方向の極性面の一つである亜鉛面が最上層に形成されているものである。また、基板上に積層された酸化亜鉛薄膜であって、ウルツ鉱型の結晶性薄膜であり、金属薄膜層上に薄膜形成技術によって形成される。 （もっと読む）

【課題】凝集せずに長時間にわたり安定である、粒径が数ナノメートルの酸化亜鉛結晶を提供すること、また、これにポリマーをグラフト化し、機能性を有するナノコンポジットを提供すること。
【解決手段】表面を２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノクリスタル。これは、溶解度高い亜鉛化合物（酢酸亜鉛）を出発原料として、数ナノメートルの酸化亜鉛結晶粒子の表面にＯＨ基をもつ有機物（ヒドロキシプロピオン酸）を導入し、次に、末端ＯＨ基を酸ブロミドで修飾し、重合開始点を導入し２−ブロモ−２メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノ粒子が得られ、これにリビングラジカル重合してポリマー鎖をグラフト化すればナノコンポジットが製造できる。 （もっと読む）

【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】量子閉じ込めシュタルク効果を解消でき、光学素子の発光効率が向上される酸化亜鉛バッファ層付きのアルミン酸リチウム基板構造を提供する。
【解決手段】アルミン酸リチウムを基板として選択し、アルミン酸リチウム基板２１上において、単結晶フィルムである酸化亜鉛バッファ層２２を生長させ、これにより、アルミン酸リチウム基板２１上に無極性の酸化亜鉛を生長させて、その構造間の類似性を利用することにより、酸化亜鉛が、同じ方向になり、格子マッチングが得られ、優れた結晶界面品質が実現される。 （もっと読む）

【課題】様々なデバイスに適用できるｐ型不純物がドーピングされたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
基板上に形成されたＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ膜（０≦Ｘ＜０．５）で、ｐ型ドーパントのアクセプタ濃度を、５×１０^２０ｃｍ^−３以下になるように形成する。アクセプタ濃度が、５×１０^２０ｃｍ^−３を超えてくると、ｐ型不純物と母体となるＺｎＯ結晶との混晶化が発生し、ｐ型にドーピングされた良質のＺｎＯ系薄膜とならない。これは、ＺｎＯ２次イオン強度に変化が見られることでわかる。 （もっと読む）