【課題】高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向けて温度勾配を有する成長容器１の高温部に酸化亜鉛原料２が配置され、上記成長容器１の低温部において化学気相輸送法により酸化亜鉛単結晶を析出させる酸化亜鉛単結晶の成長方法であって、酸化亜鉛原料２中に含まれる窒素の濃度を５００mass ppm以下とする。更に、窒素濃度が３００mass ppm以下の酸化亜鉛原料を用いることにより収率がより改善される。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータなどの磁気光学デバイスを構成するのに好適な酸化物及びこの酸化物を備えた磁気光学デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃（ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ユウロピウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ホルミウム、及び、ルテチウムよりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含む）で表される酸化物を主成分とする単結晶あるいはセラミックスであって、波長１．０６μｍでのベルデ定数が０．１８ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上であり、かつ、波長１．０６μｍ、光路長３ｍｍでの透過率が７０％以上である。前記酸化物は光アイソレータ３００のファラデー回転子３１０として使用され、該ファラデー回転子３１０の前後に、偏光材料である偏光子３２０及び検光子３３０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ結晶を放射線検出に利用する場合に、蛍光寿命が長い長波長発光により放射線検出の弁別機能の安定性が害されるという問題を解決できる４５０〜６００ｎｍの発光が少ない励起子発光型シンチレータＺｎＯ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりＺｎＯ単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープＺｎＯ単結晶やＩＩＩ族元素やランタノイド元素をドープしたＺｎＯ単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いた酸化亜鉛単結晶の連続引上げ法において、酸化亜鉛種子結晶の昇華を抑制し、結晶製造初期段階での種子結晶の溶損および育成途中での結晶の脱落を防ぐことが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を溶解することができかつ融液において酸化亜鉛より高い平均密度を有する溶媒と、酸化亜鉛との混合融液から、酸化亜鉛の結晶を種子結晶３９上に析出させる製造方法において、種子冷却用引上げ回転軸３５は二重管構造をしており、ガス導入穴３３からガス排出穴３４に向けて冷却流体を流すことにより強制冷却し、種子結晶３９を前記混合融液の温度より５℃以上低い温度に冷却するとともに、溶媒として、酸化亜鉛と共晶を形成する化合物であって、共晶点の組成が酸化亜鉛の濃度で３０モル％から９９．９％の範囲で、共晶温度が７００℃から１７２０℃の範囲である化合物のうち一種類以上を用いる。 （もっと読む）

基質またはシードを含有するより暖かい堆積区域と、ＺｎＯの原材料を含有するより冷たい溶解区域との間で、ＺｎＯで飽和した成長溶液を連続的に循環させるステップを含む、ＺｎＯを合成するための方法。本発明の方法は、ＺｎＯの膜、ナノ構造、およびバルク単結晶を合成するために必要とされる核生成および成長機構の両方に対する制御を可能にする、独特の連続循環方法および反応器を利用する。本発明の方法は、第１の温度で亜鉛含有栄養素を溶解させるために、成長水溶液組成物を使用し、第２の温度でＺｎＯを合成し、ＺｎＯが合成される第２の温度は、栄養素が溶解させられる第１の温度よりも暖かく、ＺｎＯの合成は、第１のより冷たい温度と比較して第２のより暖かい温度において、水溶液組成物内のＺｎＯの溶解度の低減によって引き起こされる。
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【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく、熱応力歪みが生じにくい六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶を提供する。
【解決手段】結晶粒原料を主体とし、水熱成長開始時に１℃／ｍｉｎ以上、６℃／ｍｉｎ以下で昇温し、成長時における育成容器内の上部と下部で下部の温度差が３〜７℃の範囲で水熱成長することによって得られる結晶マイクロドメイン構造Ｄを有する六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶であって、前記六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶は、連続かつ一様な結晶格子を有するマトリックス領域Ｍ内に、該マトリックス領域Ｍとは結晶格子の配列が異なる島状の結晶マイクロドメインＤを含み、該結晶マイクロドメインＤ内のｃ軸が、前記マトリックス領域Ｍのｃ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】
光学的特性に優れたＺｎＯ系結晶を提供する。
【解決手段】
（０００１）（＋Ｃ面）を主面とするＺｎＯ単結晶基板を準備し、熱処理する工程と、 加熱した前記主面上にＩＩ−ＶＩ族半導体結晶をＩＩ族原子の極性面で成長する工程と、を含み、前記熱処理する温度は、前記ＩＩ−ＶＩ族の半導体結晶の成長工程における結晶成長温度よりも高い温度である半導体結晶の成長方法。 （もっと読む）