国際特許分類[C30B29/16]の内容
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β−Ga2O3系単結晶膜の製造方法及び結晶積層構造体
【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga2O3単結晶膜を形成することができるβ−Ga2O3単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga2O3系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga2O3結晶をβ−Ga2O3基板2上、又はβ−Ga2O3基板2上に形成されたβ−Ga2O3系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga2O3結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga2O3単結晶膜3を製造する。
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β−Ga2O3単結晶膜の製造方法及び結晶積層構造体
【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga2O3単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga2O3単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga2O3基板2上にβ−Ga2O3単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。
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酸化チタン球状粒子及びその製造方法並びに酸化チタン球状粒子を用いた光電子デバイス
【課題】従来の中空のナノ粒子集合体に比べて光学的・電子的・光電的性質に優れ、光増感型太陽電池の光散乱層として用いることで、光吸収によって効率的にキャリアを生成させることができる単結晶の酸化チタン球状中空粒子、および、その製造技術を提供する。
【解決手段】液相中に、アナターゼ相からなるチタン原料粉末を分散させ、この液相中の原料粉末にパルスレーザー光を照射し、原料粒子を溶融及び急冷することにより、粒子の内部に単一の空隙を有する平均粒径10〜1000nmのルチル相からなる酸化チタン球状粒子を形成する。
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ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法
【課題】ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜およびその生成方法を提供する。
【解決手段】(a)水、塩酸及び過酸化水素を含む溶液と、ガリウム化合物と、錫(II)化合物とを混合して原料溶液を調製する工程と、(b)前記原料溶液をミスト化し、ミスト状原料を調製する工程と、(c)前記ミスト状原料を、キャリアガスによって基板の成膜面に供給する工程と、(d)前記基板を加熱することにより、前記ミスト状原料を熱分解させ、前記基板上に、4価の錫が添加された導電性α‐Ga2O3薄膜を形成する工程と、を備える結晶性の高い導電性α‐Ga2O3薄膜の生成方法とする。
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窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の製造方法
【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるZnO系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板1上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを750〜900℃の温度条件で基板1に接触させて、基板1表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比(亜鉛/酸素)が1より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。
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酸化亜鉛単結晶の製造方法
【課題】水熱合成法による酸化亜鉛単結晶の育成に際し、酸化亜鉛単結晶の成長速度を速めることができる酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】育成用溶液と、育成用原料5と、種結晶6とを収容した密閉容器24内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する酸化亜鉛単結晶の製造方法において、育成用溶液として、アルカリ金属の水酸化物及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選択される1種以上の鉱化剤と、酸とを含むアルカリ性の水溶液を用いる。
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酸化亜鉛単結晶の製造方法、及び、酸化亜鉛単結晶
【課題】水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する際の酸素量の制御を容易に行うことができる酸化亜鉛単結晶の製造方法と、この製造方法により製造され得る酸化亜鉛単結晶を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶の製造方法において、過塩素酸及びその塩からなる群より選択される1種以上の酸素供給剤と、1種以上の鉱化剤とを含む水溶液を充填した密閉容器24内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する。
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ホモエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置
【課題】ZnO基板上へZnO系半導体結晶を1000℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ZnO基板40上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ZnO基板40上にZnO系半導体層46を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、1×10-4気圧以下、結晶成長温度は1000℃以上、VI族元素とII族元素の供給比VI/IIは1以上〜100以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。
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ZnO系半導体膜製造方法、及びZnO系半導体発光素子製造方法
【課題】p型伝導性のNドープZnO系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体膜製造方法は、Znソースガン、Oラジカルガン、Nラジカルガン、Mgソースガンを備え、Nラジカルガンが、ラジオ周波が印加されpBNまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、NドープMgxZn1−xO膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Znソースガン、Oラジカルガン、Nラジカルガン、Mgソースガンが円周方向に並んで配置されており、NラジカルガンとZnソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θcを90°≦θc≦270°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたBまたはSiが膜中に取り込まれない程度に低くする。
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ZnO系化合物半導体結晶の表面欠陥の検出方法
【課題】ZnO系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸(HF)を用いてZnO系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ZnO系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。
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