【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウムの融点（１９００℃）よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｇａ原子とＯ原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜（以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ）を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。昇華による酸化ガリウム化合物膜の消失を防ぐために、間隔を設けて別の酸化ガリウム化合物膜を配置する。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置１は制御部５０を備えている。制御部５０は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部５０は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部５０は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶毎のドーパント含有量の再現性向上を図ることが可能な酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、ＥＦＧ（Ｅｄｇｅ Ｄｅｆｉｎｅｄ Ｆｉｌｍ Ｆｅｄ Ｇｒｏｗｔｈ）法による酸化ガリウム単結晶の製造において、酸化ガリウムを含む原料の融点と、原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差が±３００℃内に設定されるドーパント酸化物を原料に添加した後、坩堝３内で溶融し、融液２に種結晶１０を接触させて融液２から酸化ガリウム単結晶１３を結晶成長させる。酸化ガリウムを含む原料の融点と、前記原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差を±３００℃内に設定することにより、前記原料に対する前記ドーパントの蒸発量制御が容易となる。従って、結晶成長させる酸化ガリウム単結晶に含有されるドーパント含有量の制御が容易化される。 （もっと読む）

【課題】良好なサーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子の製造方法であって、バナジウム（Ｖ）を含む物質Ａと、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）またはその水和物（Ｎ_２Ｈ_４・ｎＨ_２Ｏ）と、水とを含み、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子を実質的に含まない溶液を水熱反応させることにより単結晶微粒子を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既存の育成炉を改造することなく用いて、融液に種結晶を接触させて結晶成長させるバッチ生産方式により、より大きいサイズの酸化ガリウム単結晶を効率良く量産できる酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウムを含む原料の密度を高密度化する高密度化工程と、高密度化処理された原料を坩堝内にて溶融し、１バッチ分の融液２を得る溶融工程と、融液２に種結晶１０を接触させることにより、融液２から酸化ガリウム単結晶１３を結晶成長させる結晶成長工程と、を少なくとも経て、酸化ガリウム単結晶１３を製造する酸化ガリウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の導電性制御を効率よく行うことができるＧａ_２Ｏ_３系単結晶の導電率制御方法を提供する。
【解決手段】ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板と、このｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板の上に、ｎ型β−ＡｌＧａＯ_３クラッド層、活性層、ｐ型β−ＡｌＧａＯ_３クラッド層およびｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３コンタクト層とを備えた発光素子において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するものである。 （もっと読む）

本発明は、＋IIIの原子価を有するランタニドイオンがドープされたスカンジウム、イットリウム又は希土類金属の立方晶系三二酸化物（空間群番号２０６、Ｉａ−３）のバルク又は薄膜単結晶を高温フラックス成長技術により製造する方法及びこの方法により得られた単結晶の様々な用途、特に光学分野での用途に関する。 （もっと読む）