【課題】酸化物薄膜の形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理を行うに際して、必要以上に熱処理時間を長くしてコストアップを招くことがなく、また、必要以上に熱処理温度を高くして品質の低下を招くことがない酸化物薄膜の成膜装置およびこのような装置を用いた酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の配向金属基板の表面の酸化層を除去する還元熱処理室の直後に、還元熱処理室より搬送された配向金属基板の表面に酸化物薄膜を成膜する成膜室を備えた酸化物薄膜の成膜装置であって、還元熱処理室と成膜室との間に、還元熱処理室および成膜室の互いの雰囲気を実質的に独立した雰囲気とする雰囲気遮断部が設けられ、さらに、還元熱処理室および成膜室のそれぞれにガス供給機構および排気機構が設けられている酸化物薄膜の成膜装置とそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する方法を提供する。
【解決手段】真空容器中に、金属酸化物源である金属の第一電極と放電空間を囲む絶縁板、そして、該絶縁板の外面に第二電極を備え、且つ、該真空容器中への気体導入部を備えているスパッタリング装置において、前記第一電極と前記第二電極間に変動電圧を与え、前記気体導入部より酸素を0.１％以上含む気体を導入して、プラズマ中で、第一電極のスパッタリング及び飛散第一電極金属原子と酸素との酸化反応を同一放電空間で行うことにより球形金属酸化物単結晶中空粒子を生成せしめる。放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径／粒径の比の制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が低く且つ高い抵抗率の酸化亜鉛（ZnO）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶を水熱合成法で育成する場合、溶解液としてアルカリ溶液を使用する為、育成された結晶中にLi等のアルカリ金属が高濃度に混入する。そこで従来からアルカリ金属を除去するために結晶を熱処理する方法があるが、高温処理しなければならないため結晶が低抵抗率化する。そこで、高抵抗率高純度酸化亜鉛結晶を製造する方法として酸化亜鉛結晶又は酸化亜鉛単結晶基板４１の対向する一対の面に金属電極膜５４を形成又は金属箔を密着させ、上記よりも低い温度下で電界をかけることで、高抵抗率を維持しながら結晶中の不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】リチウム濃度が十分に低く、高い結晶度を持った酸化亜鉛単結晶の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長温度の変動幅を５℃以内に抑えるか、あるいは、３００〜３７０℃の範囲内の温度にて、リチウム濃度が１ｐｐｍ（重量基準）以下の溶液を用いて水熱合成法によって酸化亜鉛結晶を成長させることにより、結晶中のリチウム濃度が５×１０14atoms/cm3以下で、（０００２）面反射におけるX線ロッキングカーブ測定による半値幅が５０秒以下である酸化亜鉛単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ドーピングされたＺｎＯ基板から、少なくとも部分的に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ドーピングされたＺｎＯ基板から、部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板を製造する方法であって、ｎ型ドーピングされたＺｎＯ基板が、無水溶融硝酸ナトリウム、硝酸リチウム、硝酸カリウム及び硝酸リビジウムから選択される無水溶融塩と接触させられる方法。部分的に又は完全に半絶縁性又はｐ型ドーピングされたＺｎＯ基板であって、基板が、特に薄層、薄膜の形態またはナノワイヤーの形態であり、基板が、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ及びＲｂから選択される元素、Ｎ及びＯが同時にドーピングされ、それは、さらにＺｎＯまたはＧａＮにおいてこの基板上におけるエピタキシャル成長を可能にし得る。この基板を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）などの電子装置、光電子装置または電気光学装置。 （もっと読む）

【課題】室温より低い温度域において高いゼーベック係数を有する材料を提供すること。
【解決手段】ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンを含む熱電変換材料である。特に、３００Ｋ以下の温度域におけるゼーベック係数が５００μＶ／Ｋ以上である、ホウ素をドープしたルチル型酸化チタンである。これらの熱電変換素子材料は、たとえば、チタニアと酸化ホウ素の粉末をプラズマ焼結させることによりドープできる。 （もっと読む）

【課題】枚様式、多数枚式を問わず、均一な厚みの単結晶膜の成膜を可能にする。
【解決手段】ガス噴出部の噴出口は、行および列を成すように配列され、列の間隔が行の間隔よりも広い。これにより、基板到達後のガスは、列に沿って形成される排気空間５０１を流れ、排気されるため。常に基板にフレッシュなガスを供給できる。よって、一様な膜厚で成膜することが可能である。これに対し、比較例では、ガスが放射状に流れるため、中央部の膜厚が厚くなる。 （もっと読む）