【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】亜鉛シリサイドやシリカなどが残留しないＺｎＯ基板の成長前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、ＭＯまたはＭ_３Ｏ_４（ここで、Ｍは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＺｎおよびＣｕからなる群から少なくとも１つ選択される金属元素である）で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、１０〜５００であり、平面方向の面は、（１１１）結晶面である。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック１１には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ドーパント濃度の制御性に優れ、高品質なｐ型ＺｎＯ系結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、分子構造中に酸素原子を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用いてＺｎＯ系結晶層を成長する単結晶成長工程を有し、上記単結晶成長工程は、ＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を供給する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

【課題】濾過、洗浄性が良好で、かつ蛍光体原料や、ターゲット用原料、透明導電膜や透明導電性を有する単結晶基板材料として好適な、不純物含量の低い、高純度酸化ガリウムを提供する。
【解決手段】ガリウムを含有する酸性水溶液と塩基性溶液を混合し、ｐＨを８〜１０の範囲に調整し水酸化ガリウムを得る工程と、得られた水酸化ガリウムをｐＨを８〜１０の範囲で８０℃以上の温度で１時間以上保持しオキシ水酸化ガリウムを得る熱処理工程と、該熱処理により得られたオキシ水酸化ガリウムを濾別、洗浄後、乾燥、焼成し酸化ガリウムを得る工程を含んでなり、かつ該水酸化ガリウムの熱処理工程における水酸化ガリウムと接触する部位に、フッ素含有樹脂を用いこれらの反応を行う。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。このことにより、ブロック１１に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップがより大きく、紫外領域で発光する可能性があるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、所定の抵抗率及びキャリア濃度を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶を提供する。
【解決手段】β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶において、Ｓｉ濃度を１×１０^−５〜１ｍｏｌ％に変化させることにより、抵抗率が２．０×１０^−３〜８×１０^２Ωｃｍ、キャリア濃度が５．５×１０^１５〜２．０×１０^１９／ｃｍ^３の範囲に制御するドーパントの添加濃度に応じて抵抗率を可変することができる。 （もっと読む）