【課題】集積回路上の冗長メモリの試験に際し、冗長メモリにおける不良発生位置を取得する。
【解決手段】スペアのメモリセルをもつ冗長メモリ３０と、冗長メモリ３０に与えるテストパターンと当該テストパターンを冗長メモリ３０に与えた際に冗長メモリ３０から出力されるべきデータの期待値とを生成する生成部４１と、生成部４１によって生成された期待値と、第１生成部４１によって生成されたテストパターンを冗長メモリ３０に与えた際に冗長メモリ３０から出力されるデータとを比較する比較部４２と、比較部４２の比較結果を記憶する記憶部１０と、比較部４２の比較結果が不一致である場合、当該比較結果を、当該比較結果を得た冗長メモリ３０の位置情報に対応付けて記憶部１０に書き込む一方、比較部４２の比較結果が一致である場合、当該比較結果の記憶部１０への書込を抑止する書込制御部５０Ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路において消費電力を低減するとともに、ノイズの発生を低減する。
【解決手段】半導体集積回路は、複数のＤＦＦを有し、その少なくとも１つが冗長回路とされる。半導体集積回路が通常動作モードである際に、ＡＮＤゲート１によって冗長回路であるＤＦＦ３−３に印加されるクロック信号を停止する。冗長回路へのクロック信号が停止されると、当該冗長回路においてクロック信号が停止された状態における冗長回路のドレイン−グランド間容量よりもその容量を増加させる。 （もっと読む）

【課題】電子装置において、動作クロックの周波数の異常を、動作クロックを選択的に通過させるフィルタ回路を用いることなく、高精度に検出できるようにする。
【解決手段】ＰＬＬ回路１０にて生成された動作クロックを受けて動作する制御装置２において、動作クロックの周波数の異常判定を行う際には、動作モード切換部３２が、半導体メモリ１２への書込用電圧を生成するＦ／Ｖ変換回路２０のＦ／Ｖ変換特性を、動作クロックの周波数変動に対し出力電圧が略一定となる第１特性から、動作クロックの周波数に対応して出力電圧が変化する第２特性に切り換え、電圧検出部３４が、その出力電圧を検出し、周波数異常判定部３６が、その検出された電圧値に基づき動作クロックの周波数異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】アナログ／デジタル変換器のより詳細な故障診断のための技術を提供する。
【解決手段】アナログ／デジタル変換回路（１００〜１０８）は、入力されたアナログ信号（ｘ、１５）を所要の演算式（ｆ（ｘ））にしたがって診断用に演算する演算部（１２）と、前記入力されたアナログ信号（ｘ）又は前記演算部によって演算されたアナログ信号（ｙ）のいずれかを選択する第１選択部（１１）と、前記第１選択部によって選択されたアナログ信号をデジタル信号に変換する変換部（１０、２１、２２、２３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を斜めにセットする場合でも電気検査工程における検査精度の低下を抑制することができる基板検査装置及び基板検査方法を得る。
【解決手段】ストッパーピン３６が円孔１１８の周囲に接触した状態で、レバーを操作して支持台１２を近接離間方向の近接側に移動さて、支持部材２２をバネ３４の付勢力に対抗して支持台１２側に移動させる。そして、ガイドピン４６の円錐部４６Ａを円孔１１８に挿入し、ストッパーピン３６と円錐部４６Ａとの間で基板１００を保持させる。円孔１１８の円縁が、接触部４０によって夫々の円錐部４６Ａに押し付けられ、基板１００を基板１００の面沿い方向に移動させることで、基板１００の位置ずれが補正されるため、電気検査工程における検査精度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】スキャンチェーンから出力される複数の被試験回路の試験結果情報に基づいて、不良の被試験回路を効率的に特定する半導体回路及びテスト方法を提供する。
【解決手段】複数の被試験回路と、試験回路に対応して設けられた複数の第１のラッチ回路と、第２のラッチ回路と、パターンアドレスに対応して入力信号が規定されたテストパターンのパターンアドレス順に入力される入力信号に基づいて、被試験回路に試験動作を実行させ、動作結果に基づく良否判定値を第１のラッチ回路にそれぞれ出力する複数の内部試験回路と、複数の良否判定値のうち不良判定を示す値がある場合に当該不良判定を示す良否判定値を第２のラッチ回路に出力する総合判定回路と、複数の第１のラッチ回路と第２のラッチ回路とを、第２のラッチ回路に保持された値が最初に出力されるように接続しスキャンチェーンを構成する接続経路とを有し、スキャンチェーンは、入力信号がスキャン出力モードを示す時に、第１、２のラッチ回路に保持された良否判定値を順番に出力値として出力する。 （もっと読む）

【課題】スキャンテストに要する時間を削減するテストパタン作成方法を提供する。
【解決手段】テストパタン作成方法は、組み合わせ論理回路と少なくとも一つのスキャンチェーンとに関する情報を、記録媒体から読み出し、少なくとも一つのスキャンチェーンの入力側に近いフリップフロップから順番に抽出し（ステップＳ２１）、抽出したフリップフロップがスキャンキャプチャ動作によって組み合わせ論理回路から取り込むキャプチャデータと照合する期待値の必要性を判定し（ステップＳ２２〜Ｓ２５）、期待値が不要と判定されたフリップフロップが入力側から連続して存在するフリップフロップの数を取得し（ステップＳ２７）、スキャンチェーンに含まれるフリップフロップの総数と、取得したフリップフロップの数との差分を、スキャンキャプチャ動作後のスキャンシフト回数として決定する（ステップＳ２８）。 （もっと読む）

【課題】アンチヒューズ型のＯＴＰメモリへの書き込み時間を短縮化すること。
【解決手段】書込回路は、ＯＴＰマクロに対して書き込むデータを記憶する記憶部と、前記書き込むデータの書き込みを前記ＯＴＰマクロに実行させる第一の信号を印加し、前記ＯＴＰマクロが記憶しているデータの読み出しを前記ＯＴＰマクロに実行させる第二の信号を印加する制御部と、前記第二の信号に応じて前記ＯＴＰマクロから読み出されたデータと、前記記憶部が記憶するデータとを比較し、比較結果を出力する比較部とを有し、前記制御部は、前記比較結果が一致を示す場合、前記書き込むデータに関する処理を終了し、前記比較結果が不一致を示す場合、前記第一の信号及び前記第二の信号の印加を再度行う。 （もっと読む）

【課題】チップごとに適正な電源電圧を設定する。
【解決手段】チップのレイアウトデータ２０からクリティカルパスのゲート遅延と配線遅延の遅延比を抽出する（ステップＳ１，Ｓ２）。チップのモニタ回路で実測されたゲート遅延及び配線遅延を、その遅延比に基づき合成して第１遅延値を生成し（ステップＳ３）、モニタ回路のシミュレーションで得られるゲート遅延及び配線遅延を、その遅延比に基づき合成して第２遅延値を生成する（ステップＳ４，Ｓ５）。このようにゲート遅延、配線遅延、クリティカルパスでの遅延比が考慮された第１遅延値及び第２遅延値に基づいて、チップに適用するチップ電源電圧を設定する（ステップＳ７）。 （もっと読む）

【課題】テスト時間の増大を抑制し、スキャンチェーンの故障診断を容易化し故障箇所推定用の故障診断時間の短縮を図る。
【解決手段】スキャンチェーン上の故障の範囲を絞り込むシステムは、バイパステストモードでのテストパタンと、圧縮テストモードでのテストパタンの両方で故障候補スキャンＦＦを絞り込む手段２４と、圧縮テストモードとバイパステストモードでのスキャンチェーン構造の差異から圧縮テストモードにおける故障スキャンチェーンを特定して記憶部に記憶する手段２３と、バイパステストモードの故障候補の範囲を圧縮テストモードのスキャンＦＦの範囲に変換する手段２７と、圧縮テストモードのテストパタンを用いて故障候補を含むスキャンチェーンの故障シミュレーションを実行し、圧縮テストモードのテスト結果と照合し、照合結果を出力装置に出力する手段２５を備える。 （もっと読む）