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国際特許分類[G01R33/02]の内容

物理学 (1,541,580) | 測定;試験 (294,940) | 電気的変量の測定;磁気的変量の測定 (31,836) | 磁気的変量を測定する計器または装置 (5,084) | 磁界または磁束の方向または大きさの測定 (2,011)

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【課題】直交フラックスゲート磁力計及びサーチコイル磁力計を同時に動作させることができ、直交フラックスゲート磁力計とサーチコイル磁力計とを近傍に配置してセンサの小型化を図ると共に、同一又は近傍の地点の直流磁界から高域周波数帯域の交流磁界までの磁界を測定する磁界センサを提供する。
【解決手段】磁界センサは、少なくとも平行部分1aを磁性体として形成される第1の磁心1及び第1の磁心に巻回される第1の検出コイル2からなる第1のセンサヘッド3を有し、第1の磁心の平行部分が互いに近接する直交フラックスゲート磁力計と、直交フラックスゲート磁力計10の第1の磁心の中心軸と同軸上に中心軸がある第2の磁心21及び第2の検出コイル22からなる第2のセンサヘッド24を有するサーチコイル磁力計とを備え、直交フラックスゲート磁力計の第1のセンサヘッドが、第2の磁心の集磁効果により磁束密度が増加する領域に配設される。 (もっと読む)


【課題】追加的なインフラの設置なしに端末の位置及び移動方向を測定することができる磁場を利用した端末の位置測定方法及び装置並びにコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】本発明の磁場を利用した端末の位置測定方法は、端末が位置する領域の磁場マップを受信するステップと、端末に含まれて第1情報及び第2情報を各々検出する第1センサ及び第2センサの各々から検出された値を受信するステップと、磁場マップ、第1センサによって検出された第1情報、及び第2センサによって検出された第2情報に基づいて端末の位置を測定するステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】電池の磁気計測装置において、磁気雑音の強い環境においても磁気センサの出力を飽和させることなく、充放電時における電池内部の電流によって発生する磁気信号を正確に計測でき、リチウムイオン電池内部の電流分布を可視化する。
【解決手段】充放電前に、個々の磁気センサで測定される磁気と逆相の磁気を、個々の磁気センサの周囲に配置したキャンセルコイルに発生させ、その後、充放電時の磁気データから充放電前に記録した磁気データ(補正用磁気データ)を差し引くことによって磁気雑音を低減し、充放電時におけるリチウムイオン電池から生じる磁気信号を正確に計測することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 精度が高い磁気センサおよびそれを用いた電流センサを提供する。
【解決手段】 一対の環状磁路10,20と、第1および第2の接続磁路31,32と、第1乃至第3のコイル41〜43とを備え、一対の環状磁路10,20は、互いに間隔を開けて対向するように配置され、周回方向の一部分である第1部分11,21および第2部分12,22を有しており、第1の接続磁路31は、一対の環状磁路10,20の第1部分11,21を接続し、第2の接続磁路32は、一対の環状磁路10,20の第2部分12,22を接続し、第1のコイル41は、第1の接続磁路31を囲むように巻かれており、第2のコイル42は、環状磁路10,20の間に配置されており、第3のコイル43は、一対の環状磁路10,20の少なくとも一部を纏めて囲むように巻かれている磁気センサとする。 (もっと読む)


【課題】複数のチップを組み合わせることなく、3軸方向の検出が可能な磁気センサ装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10と、基板10の上に設けられた下地犠牲層20と、下地犠牲層20に接触すると共に下地犠牲層20に接触する部分の面積が下地犠牲層20よりも広い一面31を有するフレキシブル層30と、を備える。フレキシブル層30に複数の磁気抵抗素子部42が設けられている。そして、一つの磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きが基板10の表面11に対して平行に向けられていることによりX軸方向もしくはY軸方向の磁化が検出される。また、フレキシブル層30が下地犠牲層20との接触箇所を起点として半円筒状に反っていることにより、一つの磁気抵抗素子部42のピン磁性層42aの磁化の向きがX軸およびY軸に対して傾けられ、これによりZ軸方向の磁化が検出される。 (もっと読む)


【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ1は、センサ回路部2を備える。このセンサ回路部2は、第1および第3の磁気抵抗素子R1,R3を直列接続した第1の直列回路6と、第2および第4の磁気抵抗素子R2,R4を直列接続した第2の直列回路7とを備え、第1の直列回路6と第2の直列回路7とを並列接続したブリッジ回路5によって構成される。第1ないし第4の磁気抵抗素子R1〜R4の表面は絶縁膜12によって覆われる。また、第3の磁気抵抗素子R3および第4の磁気抵抗素子R4の表面には、絶縁膜12を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜13が形成される。 (もっと読む)


【課題】磁気インピーダンス効果素子に印加される交流電流の振幅が変化している状態においても外部印加磁界を正確に検出する。
【解決手段】一端が接地された磁気インピーダンス効果素子2の他端から磁気インピーダンス効果素子2に交流電流S1を供給すると共に交流電流S1の振幅に比例して振幅が変化する交流電圧Vvを出力する電流源3と、磁気インピーダンス効果素子2の他端に発生する交流電圧Vvを増幅して増幅信号V2として出力する増幅部と、増幅信号V2を検波して磁気インピーダンス効果素子2に加わる外部印加磁界の大きさに応じて振幅が変化する第1検波電圧Vd1を出力する第1検波部5と、交流電圧Vvを検波して交流電流S1の振幅に応じて振幅が変化する第2検波電圧Vd2を出力する第2検波部6と、第1検波電圧Vd1と第2検波電圧Vd2との差分を差分電圧Voutとして出力する差分検出部9とを備えている。 (もっと読む)


【課題】トランスTのコア30内の磁束φが一方向に偏る直流偏磁が生じうること。
【解決手段】コア30は、フェライト等によって構成される。コア30の軸方向において、局所的に、軸方向の直交断面積が小さくなる部分が設けられている。この部分は、コア30の突起部として検出用磁心32が形成されており、これは、検出用コイルWdを貫く。検出用コイルWdに誘起される電圧は、電圧検出回路22を介して制御装置20に出力される。制御装置20では、検出用コイルWdにパルス状の電圧が誘起されるタイミングを、コア30の磁束φのゼロクロスタイミングとして検出する。そして、このタイミング間の間隔に基づき、直流偏磁の有無を判断する。 (もっと読む)


【課題】外部導体と容量結合した状態においても外部印加磁界を正確に検出する。
【解決手段】一端が抵抗3を介して接地された磁気インピーダンス効果素子2と、磁気インピーダンス効果素子2の他端から磁気インピーダンス効果素子2に交流電流S1を供給する電流源4と、非反転入力端子が磁気インピーダンス効果素子2の他端に接続されると共に反転入力端子がコンデンサ5を介して磁気インピーダンス効果素子2の一端に接続され、反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗6bが接続されてコンデンサ5に流れる電流I1を電圧Viに変換して出力するオペアンプ6aを有する電流電圧変換部6と、電流電圧変換部6から出力される電圧Viを検波することにより、磁気インピーダンス効果素子2に加わる外部印加磁界の大きさに応じて変化する検波電圧Vdを出力する検波部7とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、使用環境が厳しい状態であっても使用することが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気センサ1であって、セラミック基板2と、セラミック基板2上に設けられた、内部にコイル3を有する矩形状のセラミック基体4と、を備え、コイル3は、セラミック基板2の上面に対して垂直方向の第1軸に巻かれた第1コイル3aと、セラミック基板2の上面に沿った平面方向の第2軸に巻かれた第2コイル3bと、第1軸および第2軸の両軸に直交する方向の第3軸に巻かれた第3コイル3cと、を含んでいるとともに、第1コイル3a、第2コイル3bおよび第3コイル3cのそれぞれは、各コイル3の一端および他端が、セラミック基板2にまで延在している。 (もっと読む)


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