【課題】 電流センサに生じた異常を短期間に、かつ精度良く検出可能な電源装置を提供する。
【解決手段】 電流検出部６０は、制御用センサからのモータ電流ＭＣＲＴ＿Ａおよび監視用センサからのモータ電流ＭＣＲＴ＿Ｂをサンプリングし、所定の演算周期ごとにモータ電流最大値ＭＣＲＴ＿Ａｍａｘ，ＭＣＲＴ＿Ｂｍａｘをそれぞれホールドする。異常判定部６２ａは、連続する複数の演算周期の各々において、モータ電流最大値ＭＣＲＴ＿ＡｍａｘがＧＮＤ短絡範囲内にあり、かつ両者の電流差が所定しきい値を越えたことを検出して制御用センサの異常を判定し、電流センサ異常を指示する検出信号ＤＥＴを生成してリレー駆動部６４および報知部６６へ出力する。リレー駆動部６４は、検出信号ＤＥＴを受けると信号ＳＥを生成してシステムリレーをオフする。報知部６６は信号ＡＬを生成して電源装置外部の表示手段へ出力する。 （もっと読む）

【課題】 補正精度を向上することができる、測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置を提供する。
【解決手段】 試験治具２６と基準治具１６とで、相対補正データ取得用試料を測定し、試験治具２６での測定値から基準治具１６での測定値の推定値を算出するための第１の数式を求める。周波数ごとに、試験治具２６と基準治具１６とで、残留誤差補正データ取得用試料を測定し、第１の数式を用いて算出した基準治具１６での測定値の推定値に含まれる誤差を算出するための第２の数式を求める。任意の電子部品について、試験治具２６で測定し、試験治具２６での測定値から第１の数式を用いて基準治具１６での測定値の推定値を算出し、この推定値を第２の数式を用いて補正する。第２の数式は多項式又は有理式である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、素子を物理的に破壊せずに電気的に不良素子を設け半導体試験装置の検証後スペア領域の素子をスペア素子として使用することができるようにする。
【解決手段】 素子領域２には複数の素子が形成され、スペア領域３には素子領域２の素子と切替えられる素子が形成されている。切替え回路４は素子領域２の一部の素子をスペア領域３の素子に切替える。状態設定回路５はスペア領域３の素子の状態を元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させる。半導体試験装置の検証を行うときは素子領域２の素子をスペア領域３の素子に切替え、スペア領域３の素子を電気的に所定の状態にし、故意に不良素子を発生させる。そして意図する位置で不良素子が検出されたかによって半導体試験装置の検証を行う。検証が終了するとスペア領域３の素子を元の状態に戻す。 （もっと読む）

【課題】 校正基板１７をプローバ内の正確な位置に容易に設置して、検査作業を向上させる。
【解決手段】 校正基板用治具１５は、そのベース板１６を検査対象物と同じ形状に形成して、その表面に校正基板１７を設けて構成されている。即ち、校正基板用治具１５は、プローブ１１の電気的特性を検査するための校正基板１７を支持するための治具である。校正基板用治具１５を検査対象物と同じ形状に形成することで、プローバへの設置を容易にした。校正基板１７は校正基板用治具１５の表面に埋め込んだ。校正基板１７には位置決め用マーク２１を備えた。この校正基板用治具１５は半導体ウエハや液晶基板の検査に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ベクトルネットワークアナライザ（ＶＮＡ）のＴＲＬ較正において、較正標準との接続数を少なくする。
【解決手段】測定経路を較正するための方法及び装置は、少なくとも２つの基準受信器(111、112)及び全部で2N個(Nは整数)の測定ポート(103)を有するベクトルネットワークアナライザ(VNA)(100)を提供する。各ポートに関する反射特性は、高反射較正の存在下で測定される(2202)。測定ポートの各直接対に関する前方向及び逆方向の反射特性及び伝送特性は、線路較正標準(401)の存在下で測定され(2302,2303)、測定ポートの各直接対に関する前方向及び逆方向の反射特性及び伝送特性は、スルー較正標準(601)の存在下で測定される。この方法及び装置は、測定ポートの各々について、方向性、信号源整合、負荷整合及び反射トラッキング誤差係数を計算する(2601,2602)。 （もっと読む）

【課題】ベクトルネットワークアナライザを正確に較正するためのより複雑でない手段を提供する。
【解決手段】１実施形態は、較正モード中に、ベクトルネットワークアナライザ(500)によって基準周波数変換装置(FTD)(108)に刺激信号を印加するステップと、前記基準ＦＴＤの応答を測定するステップと、前記測定された応答及び単一ポート誤差較正項からのデータを使用して順方向及び逆方向の伝送追跡誤差項(505)を決定するステップを含む方法であり、この場合、前記基準ＦＴＤは、順方向及び逆方向において同一の変換効率を有し、前記基準ＦＴＤは、未知の入力及び出力反射特性を有する。 （もっと読む）

【解決手段】磁界センサーであって、基準磁界発生器（８）と、ホール効果検知素子（１２）を備える磁界検知セル（６）と、磁界センサーの遷移特性における誤差変動を補正するための単数または複数のフィードバック線（２７、２８）を備えた、磁界検知セルの出力端（１１）に接続された信号処理回路（４）とからなる。基準磁界発生器は、周波数変調された基準磁界を作成できるよう構成されている。信号処理回路は、さらに、基準磁界発生器の変調周波数と異なる周波数でそれ自体の出力信号を変調できるよう構成された、磁界検知セルに接続された変調器を備える。
【選択図面】 図１ａ
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【課題】 極低温動作に適するローパスフィルタを登載した極低温計測器を提供する。
【解決手段】 本発明は、極低温電子素子或いは回路に、室温測定系から直流バイアス電流を供給する配線に侵入する雑音を除去するローパスフィルタを備えて、上記極低温電子素子或いは回路の特性を測定する。上記ローパスフィルタを極低温環境下に配置し、かつ上記ローパスフィルタを、バイアス供給入力側で２本の配線間に並列に接続されたキャパシタと、該配線の一方内に挿入された互いに並列に接続された抵抗及びインダクタンスにより構成する。 （もっと読む）

【課題】 標準試料の測定を減らすことできる、測定誤差の補正方法及び電子部品特性測定装置を提供する。
【解決手段】 試験治具と基準治具とに実装した状態で、対応する少なくとも１つのポート（以下、「特定ポート」という。）について、少なくとも３種類の補正データ取得用試料５０，５２，５４をそれぞれ測定し、特定ポートについて試験治具及び基準治具の測定値を関係付ける第１の数式を決定する。試験治具と基準治具とに実装した状態で、特定ポートと他のポートとの間を接続する補正データ取得用スルーデバイス４６，４８をそれぞれ測定し、他のポートについて試験治具及び基準治具の測定値を関係付ける第２の数式を決定する。任意の電子部品を試験治具に実装した状態で測定し、第１の数式と第２の数式とを用いて、当該電子部品を基準治具に実装して測定したならば得られるであろう電子部品の電気特性の推定値を算出する。 （もっと読む）

測定装置において、校正標準を測定し誤差モデルを求め、系統誤差の影響を除去した測定結果を表示する。作業者が該測定結果に満足であれば、校正作業が終了する。また、作業者が該測定結果に不満であれば、校正標準の所望のパラメータを再測定し、誤差係数を求め直して系統誤差の影響を除去した測定結果を再表示する。該測定結果は、校正作業が終了するまで保持され、校正作業内に校正標準の再測定が行われた時には、最新の測定結果が参照されるように測定値が保持される。
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