【課題】 光送信リンク上で光信号を送信する方法および装置を提供すること。
【解決手段】 光信号送信性能を著しく改善するために、送信リンクの色分散が、分散閾値より大きいまたは小さいとき、それぞれ、デュオバイナリ信号または逆データ信号が送信される。 （もっと読む）

【課題】環境温度が変化しても消光比が劣化しないマッハツェンダ型光変調器を提供すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板１に形成された二つの干渉腕光導波路２３、２３’をもつマッハツェンダ型光導波路２と、該二つの干渉腕光導波路２３、２３’の温度を一定にする温度制御体１４、１４、１６、１６’と、を有することを特徴とするマッハツェンダ型光変調器。
環境温度が変化しても二つの干渉腕光導波路の温度又は温度変動が温度制御体で一定にされるので、動作点が変動し消光比が劣化することがない。 （もっと読む）

リラクサー強誘電体固溶体単結晶は、（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３・ｘＰｂＴｉＯ_３、（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３・ｘＰｂＴｉＯ_３、及び（１−ｘ）Ｐｂ（Ｉｎ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３・ｘＰｂＴｉＯ_３のいずれかで表される鉛系複合ペロブスカイト化合物からなる。組成比ｘは０．１よりも大きくかつ０．２よりも小さい。リラクサー強誘電体固溶体単結晶は、キュリー温度未満において、高誘電率でかつ光の透過を阻止する第１の状態と低誘電率でかつ光の透過を許容する第２の状態の間を変移可能である。第１の状態のときにリラクサー強誘電体固溶体単結晶に閾値以上の大きさの電界を印加すると、リラクサー強誘電体固溶体単結晶は第２の状態に変移する。第２の状態のときにリラクサー強誘電体固溶体単結晶をキュリー温度以上に加熱すると、リラクサー強誘電体固溶体単結晶は第１の状態に変移する。 （もっと読む）

フルカラーイメージを表示するのに適したレーザ投影機器（ＬＰＤ）が開示される。このＬＰＤは、改変されたラスタ走査を使って、イメージを制御可能なように生成するために、イメージデータを用いて、１つ以上のレーザによって生成されるレーザビームを変調する様々な技術を含む。本発明の一つの側面で提供されるレーザビームを変調する方法は、レーザビームを音響光学結晶に送達すること、および、レーザビームからの光学エネルギの少なくとも一部を少なくとも１つの副ビームに転換して、音響光学結晶の中に音響波を生成することを包含する。
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所望されるアウトプット波形を提供する高エネルギー光ビーム生成器である。その生成器は、インプットビームを生成するための、モードロックレーザ（４０）のようなマスター発振器（１０）、周波数成分にインプットビームを分解するための第１の分散要素（１４）、周波数成分を個別に変調するための位相振幅変調器のセット（１６）、周波数成分を個別に増幅するためのパワー増幅器のセット（１８）、および単一のアウトプットビーム（２２）に、増幅され、変調された周波数成分を再結合するための第２の分散要素（２０）を含む。位相コントロールエレクトロニクス（６０）は、意図されるアプリケーション、および、インプットビームとアウトプットビームの感知された特性に基き、アウトプットビーム（２２）の所望される波形を提供するために変調器（１６）をコントロールする。
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フォトニック相互接続システム(300)は、光信号を用いてデバイス間でデータを通信することにより、高いキャパシタンスの電気相互接続を避ける。そのシステムは、論理アドレスを周波数帯域にマッピングすることにより、超並列情報出力を与えることができ、結果として、選択された周波数帯域の変調により、論理アドレスに対応する特定の場所のための情報を符号化することができる。フォトニック相互接続システムのための波長特有の方向性結合器(600)、変調器(660)及び検出器(650)は、フォトニックバンドギャップ結晶内の欠陥において効率的に製作され得る。 （もっと読む）

光制御装置８の画素１０には、現フレームの輝度値を記憶する第一の記憶素子１８と、次のフレームの輝度値を記憶する第二の記憶素子１６と、第二の記憶素子１６に記憶された輝度値を第一の記憶素子１８に転送して画素１０の輝度値を変更するスイッチ素子である第一のトランジスタ１４と、がそれぞれ設けられる。制御部６０は、複数の画素１０が第一の記憶素子１８に保持された輝度値に応じて発光している間に、各画素１０の第二のトランジスタ１２を順次オンとして第二の記憶素子１６に次のフレームの輝度値の書き込みを行う。 （もっと読む）

基板３２と、基板３２の上部に形成された光変調膜４６とを含む構造体であって、光変調膜４６は、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含む多結晶ＰＬＺＴからなり、膜中のＬａの含有率が５原子％以上３０原子％以下であり、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率が１２００以上であることを特徴とする構造体。 （もっと読む）

光制御装置８は、基板３２と、絶縁膜３８と、第一のトランジスタ１４と、絶縁膜３８上に設けられた反射膜４４と、反射膜４４上に設けられた光変調膜４６と、光変調膜４６に配して二次元に配置された複数の電極対４８および４９と、第一の電極４８の上に設けられた偏光板５２とを有する。ここで、光変調膜４６は、印加された電界の大きさにより屈折率が変化する材料により構成される。このような材料として、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含むＰＬＺＴを用いることができる。 （もっと読む）

エルビウムファイバ（或いはエルビウム−イットリビウム）ベースチャープパルス増幅システムが説明される。通信の窓で動作するファイバ増幅器の使用は、優れた機械的安定性をもつ通信要素と通信コンパチ式手順の実施を可能にする。
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