説明

国際特許分類[H01G5/16]の内容

国際特許分類[H01G5/16]の下位に属する分類

国際特許分類[H01G5/16]に分類される特許

21 - 30 / 109


【課題】高周波信号の損失を低減することができるMEMSデバイスを提供すること。
【解決手段】基板11と、基板11上に設けられ、信号が通過する固定電極12と、基板11の上方に固定電極12と対向して設けられ、信号が通過する可動電極14と、基板11内に設けられ、可動電極14を変位させるための駆動電圧を印加するための駆動配線DLと、基板11内に形成された第一のビアホールに設けられた信号を遮断するためのビア抵抗RVaと、を備え、固定電極12または可動電極14は、ビア抵抗RVaを介して駆動配線DLと接続されている。 (もっと読む)


【課題】Siを材料として用いた場合でも犠牲層の表面をできるだけ平坦とすることができ、犠牲層の上に形成される可動梁のような第2の電極を適正に形成することのできる方法を提供すること。
【解決手段】基板11の上方に、少なくとも一方の端部にテーパ側壁TS1を有した基部電極14aを形成する工程と、基部電極14aが形成されていない領域から延びてテーパ側壁TS1の上方に重なるようにかつ端部に当該テーパ側壁TS1と逆の方に傾斜するテーパ端面TS2を有する犠牲層BGP0を形成する工程と、基部電極14aの上に、犠牲層BGP0のテーパ端面TS2に当接するスペーサ14bを形成する工程と、犠牲層BGP0およびスペーサ14bの上に可動電極15を形成する工程と、可動電極15を形成した後で犠牲層BGP0を除去する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】Q値の変動を抑制することができ、特性の安定した可変容量デバイスを提供する。
【解決手段】固定電極12、固定電極の上に形成された誘電体層13、誘電体層の上に形成されたキャパシタ電極14、キャパシタ電極に対向して設けられキャパシタ電極に対して接離可能な可動電極15、およびキャパシタ電極14の表面に形成された突起21を有する。キャパシタ電極14と可動電極15との間において、突起21を介した間接的な接触時に、接触抵抗Rmおよび接触容量Cmが形成され、接触抵抗Rmの抵抗値および接触容量CmのリアクタンスXCmによる誘電正接tanδ=XCm/Rmの逆数をQ値としたときに、Q値が10以上となるように、接触抵抗Rmの抵抗値が設定される。 (もっと読む)


【課題】高い導電性を有しかつ繰り返し動作しても機械的な物性の変化が抑制される可動部を備えたMEMSデバイスを提供すること。
【解決手段】基板11と、基板11上に設けられる支持層14a、14bと、基板11上に設けられる固定電極12と、支持層14a、14bによって支持されており、固定電極12と対向して設けられる可動電極13と、を備え、可動電極13は、導電性を有する材料からなる電気的機能層131と、電気的機能層131よりも強度が高い材料または電気的機能層131よりも脆性が高い材料からなる補強材料層132と、を含む。 (もっと読む)


バラクタデバイスを有するシステムが提供される。バラクタデバイス(400)は、ドライブ櫛型構造(201)と、出力キャパシタンスを定義する出力バラクタ構造(514)と、基準キャパシタンスを定義する基準バラクタ構造(214)と、ドライブ櫛型構造、出力バラクタ構造及び基準バラクタ構造と嵌合する可動トラス櫛型構造(204)とを有するギャップ閉塞アクチュエータ(GCA)バラクタ(200)を有する。トラス櫛型構造は、バイアス電圧に基づき嵌合位置の間で運動軸に沿って動く。バラクタデバイスは、出力バラクタ構造で入力バイアス電圧に関連する目標キャパシタンスを提供する出力バイアス電圧を生成するために基準キャパシタンスに基づき入力バイアス電圧を変更するよう構成されるフィードバック回路(404)を更に有する。
(もっと読む)


【課題】1画素のサイズが大きくなった場合でも、検出帯域の広帯域化を図ることが可能となる容量検出型の電気機械変換素子を提供する。
【解決手段】基板に配された第1の電極と、第1の電極と間隙を介して設けられた振動膜に第1の電極と対向するように配された第2の電極と、によって構成されたセルと、
第1の電極と第2の電極との間の容量変化により、振動膜の変位の検出が可能な検出回路と、を備えた容量検出型の電気機械変換素子であって、
セルが複数備えられ、該複数のセルにおける少なくとも二つのセルの第1の電極又は第2の電極同士が、同一の検出回路に接続されてなる構成を1グループとするグループを複数有し、
複数のグループにおける各検出回路の信号を合算して1つの情報として出力する合算回路を備え、1つの検出回路に掛かる容量負荷を分散させて構成されている。 (もっと読む)


【課題】インダクタンスの調整が容易でかつ性能のよい可変インダクタなどを提供すること。
【解決手段】可変インダクタ3に、一方の端部が第1の信号線路2bと接続されたコイル31と、コイル31の他方の端部および少なくとも1箇所の中間部にそれぞれ接続され、複数の信号端子2cTの近傍にそれぞれ配置された複数のコイル端子32と、信号端子2cTとコイル端子32とを1組として各組ごとに信号端子2cTおよびコイル端子32と対向するように配置された接点部材441を含む第1の可動部材44を変位させて接点部材441を信号端子2cTおよびコイル端子32と接触または離間させることにより、各組ごとに信号端子2cTとコイル端子32とを接続または非接続とするための複数のスイッチ4と、を設ける。 (もっと読む)


【課題】 電極間隔をローレンツ力によって変化させることにより、静電容量を変化させるときの可変領域を拡大し、性能を向上させる。
【解決手段】 基板2上には、支持部5と支持梁6とを介して可動部7を設け、この可動部7に設けた可動電極8と基板2上に設けた表面電極3,4とを対面させる。また、可動部7には、マグネット13によるY軸方向の磁界Hが作用する電流路11を設ける。そして、電流路11に電流I1,I2を通電することにより、X軸方向に延びた中間配線部11AにZ軸方向のローレンツ力F1,F2を生じさせ、可動部7をZ軸方向の一側または他側に変位させる。これにより、表面電極3,4と可動電極8との間の静電容量を非通電時よりも小さい値から大きい値まで広い範囲に亘って変化させることができ、コンデンサ1の性能を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】駆動電圧の極性を切り替えなくとも、または切替えのタイミング(周期)を限定しなくとも、C−V特性のシフトが抑制される可変容量素子を提供すること。
【解決手段】可変容量素子2に、互いに絶縁された第一固定電極23a、23bおよび第二固定電極24a、24bと、第一固定電極23a、23bおよび第二固定電極24a、24bに対向する可動電極26と、第一固定電極23a、23bおよび第二固定電極24a、24bと可動電極26との間に設けられる誘電体層25a、25b、25d、25eと、第一固定電極23a、23bに可動電極26を基準とする駆動電圧V1を印加するための第一引出電極21と、第二固定電極24a、24bに可動電極26を基準としかつ駆動電圧V1とは極性が異なる駆動電圧V2を印加するための第二引出電極22と、を設ける。 (もっと読む)


【課題】製造工程が簡易で歩留まり低コスト化を可能とする圧電駆動型MEMS素子を提供する。
【解決手段】第1の基板10の可動部16となる領域上に可動部16の一部として設けられた圧電体膜22と、圧電体膜22を挟むようにして配設された一対の電極21、23とからなる圧電駆動部20により駆動されて凸状に変位する可動部16を一部に備え、該可動部16の表面中央部に可動電極25が設けられてなる第1の基板10と、第1の基板10に接合された、可動電極25と所定間隔で対向する固定電極35を支持する第2の基板30とから、圧電駆動型MEMS素子1を構成する。 (もっと読む)


21 - 30 / 109