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国際特許分類[H01G5/16]の内容

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国際特許分類[H01G5/16]に分類される特許

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【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぐ。
【解決手段】可変容量素子1は、支持板2、可動梁3、下容量電極4A,4B、下駆動電極5A,5B、上容量電極6、上駆動電極7A,7B、および誘電体膜8を備える。可動梁3は、長手方向に垂直な撓み方向に、ギャップ空間を介して支持板2と対向する。誘電体膜8は支持板2と可動板3との間のギャップ空間に露出して設けられる。下駆動電極5A,5Bおよび上駆動電極7A,7Bは駆動電圧が印加される。下容量電極4A,4Bおよび上容量電極6はRF信号が印加される。可動梁3の変位開始位置近傍での上容量電極6と誘電体膜8との接触面積を低減するストッパ12を設ける。 (もっと読む)


【課題】加熱接合法を利用しても、梁構造体に歪みや変形が生じることを防ぐことができる、梁構造デバイスの製造方法の提供を図る。
【解決手段】犠牲層17を介して支持基板11に梁構造体16を積層して底面側積層体10を形成する。そして、予熱処理によって梁構造体16の結晶構造を安定化させる。その後、犠牲層17を除去して梁構造体16を支持基板11からリリースする。そして、天面側積層体20を底面側積層体10に対して加熱接合法により接合し、梁構造体16を底面側積層体10と天面側積層体20とによるパッケージ構造に内装する。 (もっと読む)


【課題】可変キャパシタとその製造方法において、可変キャパシタの容量値を大きくすること。
【解決手段】第1のレジストパターン11をマスクにするエッチングで第2の犠牲膜9に開口9aを形成する工程と、開口9a内と第1のレジストパターン11の上に、第2の誘電体膜13とキャパシタ電極14とを順に形成する工程と、第1のレジストパターン11を除去することにより、開口9a内に第2の誘電体膜13とキャパシタ電極14とを残す工程と、第2の犠牲膜9とキャパシタ電極14の上に第3の犠牲膜17を形成する工程と、第3の犠牲膜17の上面17bの凹部17xに突起抵抗21aを形成する工程と、第3の犠牲膜17と突起抵抗21aの上に可動上部電極25を形成する工程と、可動上部電極25を形成した後、第2の犠牲膜9と第3の犠牲膜17とを除去する工程とを有する可変キャパシタ100の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】可変容量装置において容量可変域を従来よりも広げる。
【解決手段】可変容量装置1は、支持板2、可動板3、駆動電極4,5、可変容量電極7A,8A、および可変容量電極7B,8B、を備える。可動板3は支持板2と平行に支持される。駆動電極4,5、可変容量電極7A,8A、および可変容量電極7B,8Bはそれぞれ可動板3と支持板2との間に設けられる。駆動電極4,5は駆動電圧が印加されて可動板3と支持板2との間隔を変化させる静電引力を形成する。可変容量電極7A,8A、および可変容量電極7B,8Bは、可動板3と支持板2との間隔に応じて変化する可変容量を形成する。駆動電圧に対して可変容量が線形性を持って変化する容量可変域では、駆動電圧の変化に対する駆動電極4,5の電極間隔の変化と可変容量電極7A,8A、および可変容量電極7B,8Bの電極間隔の変化とが互いに逆になることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも広範な容量変化範囲を実現することが可能な可変容量装置、ならびにそのような可変容量装置を備えたアンテナモジュールおよび通信装置を提供する。
【解決手段】可変容量装置1は、固定用部材12と、この固定用部材12により一端側が固定された固定電極16と、固定用部材12により直接もしくは間接的に一端側が固定されたアクチュエータ素子(ポリマーアクチュエータ素子131,132)と、このアクチュエータ素子と直接もしくは間接的に接続するように設けられ、固定電極16と略対向配置された可動電極17と、固定電極16と可動電極17との間の距離d1が変化するように、アクチュエータ素子の他端側を変形させる駆動部18とを備えている。アクチュエータ素子の変形量は比較的大きなものであるため、それに伴い、固定電極16と可動電極17との間の距離d1の変化量も大きくなる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い電気部品を提供する。
【解決手段】電気部品は、基板100と、前記基板上に形成された機能素子120と、前記基板上において前記機能素子を収納するキャビティ130を形成し、複数の貫通孔109cを有する第1層109と、前記第1層上に形成され、複数の前記貫通孔を塞ぐ第2層110と、を具備し、前記第1層は、下部側に形成された第1膜109aと、前記第1膜上に形成され、前記第1膜より熱膨張係数が小さい第2膜109bと、を含む。 (もっと読む)


【課題】可変容量特性の温度変化およびQ値の低下を抑制する可変容量素子を提供すること。
【解決手段】基板に設けられた固定電極と、前記基板に設けられた第1支持体および第2支持体に支持され、前記固定電極との間に印加される電圧に応じて、前記固定電極との間隔が変化する可動電極とを有し、前記可動電極は、前記第1支持体に支持された第1可動部と、前記第2支持体に支持された第2可動部と、前記第1可動部と前記第2可動部の間に設けられ前記第1可動部および前記第2可動部より伸縮しやすい弾性部とを有すること。 (もっと読む)


【課題】MEMSキャパシタとその制御用集積回路を反りの抑えられた1枚の基板上に有する半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のMEMSキャパシタと、前記MEMSキャパシタの下方の前記MEMSキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。前記制御用集積回路は、前記基板上のトランジスタを含む。前記MEMSキャパシタの真下の前記基板上の領域と前記貫通孔領域とは、少なくとも一部において重なる。 (もっと読む)


【課題】立ち上がり荷重が小さく、ユーザによって加えられる押圧力に応じた出力値やヒステリシスが所望の特性となるようにした可変容量コンデンサ及びこれを利用した位置指示器を提供する。
【解決手段】誘電体の第1の面部には第1の電極が配設され、該誘電体の第2の面部に対向するように第2の電極3が配設されて、該第2の電極は押圧部材を介して誘電体側に押圧されたときには誘電体に接触する構成となっている。第2の電極3は、押圧部材が接触する部分の中心(当接中心部)31から誘電体1の第2の面部1bに沿ってその端部の方向に放射状形状に延伸された部分32a、32bを備えた電極片であり、押圧部材を介して加えられる押圧力に応じて、誘電体1との接触面積が変えられることにより、コンデンサとしての静電容量を変化させる構成となっている。 (もっと読む)


【課題】電気特性および信頼性に優れたMEMSキャパシタを有するMEMS素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るMEMS素子100は、半導体基板1と、面内方向に配置された複数のエアギャップ21a(21b、21c)からなるエアギャップ群20a(20b、20c)を含むエアギャップ層2a(2b、2c)を有する、半導体基板1上の島状の絶縁層2と、絶縁層2上のエアギャップ群20a(20b、20c)の上方に形成されたMEMSキャパシタ4と、を有する。 (もっと読む)


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