【課題】トランジスタを構成するゲート電極の空乏化が抑制され、電気的特性の安定したトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体基板５と、半導体基板５上に設けられた、第１ゲート絶縁膜２４および第１ゲート長Ｌ１を有する第１ゲート電極２６が順に積層されてなる第１ゲート電極部１６を備える第１トランジスタ１０と、半導体基板５上に設けられた、第２ゲート絶縁膜３２および第１ゲート長Ｌ１より短い第２ゲート長Ｌ２を有する第２ゲート電極３０が順に積層されてなる第２ゲート電極部２０を備える第２トランジスタ１２と、を含む。第１ゲート電極２６を構成するポリシリコン粒子のグレインサイズは、第２ゲート電極３０を構成するポリシリコン粒子のグレインサイズよりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 サリサイドプロセスにおいて、低消費電力性能に寄与すると共に抵抗変動や高抵抗化を抑制するソース／ドレインのエクステンション領域を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１のドーズ量で低濃度のエクステンション領域１５１を形成後、第１のドーズ量より大きい第２のドーズ量でもってソース／ドレインの主拡散領域１５２を形成する。さらに、第１不純物領域内に、第１不純物と同じ導電型を有する別の第２不純物を、第１不純物のドーズ量と第２のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。これにより、エクステンション領域１５１よりも高く、かつソース／ドレインの主拡散領域１５２よりも低い濃度の第２不純物による補助拡散領域１５３が形成される。この補助拡散領域１５３は、後に形成されるシリサイド層（破線）が納まるような形態とする。 （もっと読む）

たとえばサイリスタのような高電圧炭化珪素（ＳｉＣ）デバイスが提供される。第１の導電型を有する第１のＳｉＣ層が第２の導電型を有する電圧遮断用ＳｉＣ基板の第１の表面上に備えられる。ＳｉＣの第１の領域が第１のＳｉＣ層上に備えられ、この領域は第２の導電型を有する。ＳｉＣの第２の領域が第１のＳｉＣ層内に備えられる。ＳｉＣの第２の領域は第１の導電型を有し、ＳｉＣの第１の領域に隣接している。第１の導電型を有する第２のＳｉＣ層が電圧遮断用ＳｉＣ基板の、第１の表面とは反対側の第２の表面上に備えられる。第１、第２、および第３の電極がそれぞれＳｉＣの第１の領域、ＳｉＣの第２の領域、および第２のＳｉＣ層上に備えられる。高電圧ＳｉＣデバイスの作製に関する方法も提供される。
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本発明は導電性ポリマー層（１又は複数）中に組み込まれ且つ／又はその近くに配置されたナノワイヤ（又はナノリボン、ナノチューブなどのその他のナノ構造体）を用いた薄膜トランジスタ、及び任意の生産規模でこのようなトランジスタを製造する方法に関する。特に、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）又はポリピロール（ＰＰＹ）などの導電性ポリマー物質と、その中に組み込まれた１種又は複数種のナノワイヤとを含む複合材料を開示する。いくつかのナノワイヤ−ＴＦＴ製造方法も提示するが、その代表的な態様では、デバイス基板を設け；第１の導電性ポリマー物質層をデバイス基板上にデポジットし；１又は複数のゲートコンタクト領域を導電性ポリマー層中に形成し；動作電流レベルに達するのに十分なナノワイヤの密度にて複数のナノワイヤを導電性ポリマー層上にデポジットし；第２の導電性ポリマー物質層を前記複数のナノワイヤ上にデポジットし；ソース及びドレインコンタクト領域を第２の導電性ポリマー物質層中に形成して前記複数のナノワイヤと電気接続させ、それによりナノワイヤがソース領域及びドレイン領域上の夫々の領域間の長さを有するチャンネルを形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤにより窒素よも水素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第一窒化ガリウム系半導体膜を成長し、その後３族原料ガスの供給を一旦停止し、水素よりも窒素が多いキャリアガス雰囲気でマグネシウムがドープされた第二窒化ガリウム系半導体を成長することにより、前記第一窒化ガリウム系半導体膜においては、マグネシウム濃度分布及び水素原子濃度分布は実質的に平坦であり、かつマグネシウム濃度が水素原子濃度より高く、前記第二窒化ガリウム系半導体膜においては、表面に向かってマグネシウム濃度及び水素原子濃度が増大する第１の領域が設けられ、前記第１の領域におけるマグネシウム濃度は水素原子濃度より高いと共に、前記第一窒化ガリウム系半導体膜におけるマグネシウム濃度よりも高い構造とする。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性に優れ、かつ取り出し電極の形成が容易な色素増感型太陽電池を得ることを目的とする。
【解決手段】耐熱基板１上に第１電極層２と、酸化物半導体層３とがこの順で形成された中間転写媒体用基板１０ａを形成する中間転写媒体用基板形成工程と、上記中間転写媒体用基板の酸化物半導体層上に、第１基材５と、上記第１基材と上記酸化物半導体層との密着性および剥離容易性を備える剥離密着層４とを設け、耐熱基板上に、第１電極層と、酸化物半導体層と、剥離密着層と、第１基材とがこの順で積層された積層基材１０ｂを形成する積層基材形成工程と、上記耐熱基板を剥離する耐熱基板剥離工程と、により第１基材上に、少なくとも剥離密着層と、酸化物半導体層と、第１電極層とがこの順で積層された中間転写媒体１０を形成する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な抵抗値を示すコンタクトプラグを備えた半導体装置の製造方法を提供する
こと。
【解決手段】
コンタクトプラグを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体シリコン基板表面に設けられた高濃度Ｎ導電型拡散層の表面部分および層間絶縁層により形成されたコンタクトホールを通じて、加速エネルギーを３０〜１２０ｋｅＶの範囲とし、注入量を１．０×１０^１３〜５．０×１０^１４／ｃｍ^２の範囲としてインジウムイオンを注入するこにより、前記コンタクトホール下部の前記高濃度Ｎ導電型拡散層の表面部分にインジウム含有層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極および不純物拡散層にシリサイド膜が形成された半導体装置において、不純物拡散層のシリサイド膜の異常成長や凝集を抑える。
【解決手段】 半導体装置１００は、シリコン基板１０２と、シリコン基板１０２上に形成され、ゲート電極１３２を含む半導体素子と、ゲート長方向の断面において、シリコン基板１０２の半導体素子が形成された領域の両側方に形成された不純物拡散層１２１（または１２２）と、不純物拡散層１２１（または１２２）表面に形成され、第１の金属のシリサイド化合物により構成された第１のシリサイド膜１３０と、ゲート電極１３２の少なくとも表面に形成され、第１の金属のシリサイド化合物よりシリサイド化の温度が低い第２の金属のシリサイド化合物により構成された第２のシリサイド膜１３１と、を含む。 （もっと読む）

相互接続構造において導電性バリヤ層又は他のライナ層を堆積させるための製造法、プロダクトストラクチュア、製造法、及びスパッタリングターゲット。バリヤ層（８２）は、アモルファスであってもよいがそうである必要がない、耐火性貴金属合金、例えば、ルテニウム/タンタル合金の導電性金属を含む。バリヤ層は、同様の組成のターゲット（９０）からスパッタすることができる。バリヤとターゲットの組成は、耐火性金属と白金族金属の組合わせ、例えば、ＲｕＴａから選ばれてもよい。銅貴金属シード層（１１２）は、誘電体（６６）の上のバリヤ層（７０）と接触させた銅とルテニウムの合金から形成することができる。 （もっと読む）

パワーＭＯＳＦＥＴのゲート電極（７）とｎ^＋型ドレイン領域（１５）との間に介在するオフセットドレイン領域を二重オフセット構造とし、ゲート電極（７）に最も近いｎ⁻型オフセットドレイン領域（９）の不純物濃度を相対的に低く、ゲート電極（７）から離間したｎ型オフセットドレイン領域（１３）の不純物濃度を相対的に高くする。これにより、従来は互いにトレードオフの関係にあったオン抵抗（Ｒｏｎ）と帰還容量（Ｃｇｄ）を共に小さくすることができるので、増幅素子をシリコンパワーＭＯＳＦＥＴで構成したＲＦパワーモジュールの小型化と電力付加効率の向上を図ることができる。
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