【課題】 金属多層構造を持つ配線層のストレスを緩和しつつ、ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】 スパッタリング法にて絶縁層１上にＴｉＮ膜２を堆積した後、Ａｒを用いたプラズマエッチング処理を行うことにより、ＴｉＮ膜２の表面を逆スパッタして、ＴｉＮ膜２の表面の結晶性を劣化させた結晶性緩和層２ａを形成し、スパッタリング法を用いることにより、結晶性緩和層２ａを介してＴｉＮ膜２上にＡｌ−Ｃｕ膜３を堆積してから、Ａｌ−Ｃｕ膜３上にＴｉ膜４およびＴｉＮ膜５を順次堆積する。 （もっと読む）

【課題】複数の材料を積層してパターンを形成することによって、一種類の材料では得られなかった機能性をパターンに付与する。
【解決手段】機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板Ｐ上に上記パターンの形成領域に応じたバンクＢを形成する工程と、上記バンク間３４に第１の機能液Ｘ１を配置する工程と、配置された上記第１の機能液Ｘ１上に第２の機能液Ｘ２を配置する工程と、上記バンク間に積層した上記第１の機能液Ｘ１と上記第２の機能液Ｘ２とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターン３３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】新規なＡｇ／Ａｌ包含組成物および半導体デバイスの提供。
【解決手段】（ａ）（１）Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔ；（２）Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの合金；および（３）それらの混合物から選択される導電性金属粒子と、（ｂ）Ｐｂフリーであるガラスフリットと、（ｃ）有機媒体とを含み、成分（ａ）および（ｂ）が成分（ｃ）中に分散されており、該導電性金属粒子の平均直径が０．５〜１０．０μｍの範囲内である導電性厚膜組成物、および該組成物から形成される電極ならびに該電極を含む半導体デバイス（例えば、太陽電池）。 （もっと読む）

【課題】 レジストを完全に貫通するコンタクトホールを形成することにある。
【解決手段】 薄膜トランジスタの製造方法は、いずれも、光源からの光線をマスクを介してガラス基板のレジストに照射した後、該レジストを現像して前記レジストにコンタクトホールを形成することを含み、前記光線としてｉ線を用いる。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】 良好な高周波信号の分離特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子がそれぞれ形成された複数の素子領域１と、２つの素子領域１を分離する素子分離領域２とを備え、素子領域１及び素子分離領域２は、半導体基板３の表面側に形成され、素子分離領域２は、電位が固定された金属層５と、半導体基板３の表面から深さ方向に延び、金属層５を覆う絶縁層６とを有し、金属層５は、深さ方向に向けて絶縁層６から突出している。 （もっと読む）

本発明は、下部電極をフォトマスクに利用して、絶縁膜上に下部電極と概ね同一パターン形状の撥液領域と概ね反転パターン形状の親液領域を形成して、親液領域内に導電性インクを塗布焼成して、下部電極に対して概ね反転パターン形状の上部電極を自己整合して形成するため、印刷法を用いても位置ずれが発生しない。このため、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板などの半導体装置が印刷法を用いて形成できる。
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【課題】 チャンバのクリーニング及びシーズニングの影響を考慮に入れたプラズマ・エッチ・ツールにおけるエッチング線寸法制御のための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 エッチングされた構造部（１５０）の寸法を制御するための方法及びシステムである。この方法は、マスク構造部寸法値を得るために、基板（１００）上の層（１１０）の上面に形成されたマスク構造部（１４５）を測定するステップと、マスク構造部寸法値、マスク構造部寸法目標値（２５５）、層をプラズマ・エッチングする（２７５）ためのプラズマ・エッチ・ツール（１８０）の１つ又は複数のチャンバに生じた事象以降の、プラズマ・エッチ・ツールの選択された無線周波数電源投入時間の合計、及び、層のプラズマ・エッチ（２７５）の間にマスク構造部によって保護されていない層から形成されることになる層構造部についてのエッチ・バイアス目標に基づいて、マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 シリサイドがサイドウォールの下側に形成されないようにすることにより、当該シリサイド起因の接合リーク電流等の電気特性の不良の発生を低減するための半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 サイドウォールが形成されている半導体基板の上に制御膜を形成した後、シリサイドを形成するための活性化領域をイオン注入法により形成する。その後、制御膜を除去し、金属膜を形成し、熱処理してシリサイドを活性化領域に形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）