配線パターン形成方法、デバイスの製造方法、非接触型カード媒体の製造方法、電気光学装置の製造方法及びアクティブマトリクス基板の製造方法
【課題】複数の材料を積層してパターンを形成することによって、一種類の材料では得られなかった機能性をパターンに付与する。
【解決手段】機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板Ｐ上に上記パターンの形成領域に応じたバンクＢを形成する工程と、上記バンク間３４に第１の機能液Ｘ１を配置する工程と、配置された上記第１の機能液Ｘ１上に第２の機能液Ｘ２を配置する工程と、上記バンク間に積層した上記第１の機能液Ｘ１と上記第２の機能液Ｘ２とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターン３３を形成する工程とを有する。
【解決手段】機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板Ｐ上に上記パターンの形成領域に応じたバンクＢを形成する工程と、上記バンク間３４に第１の機能液Ｘ１を配置する工程と、配置された上記第１の機能液Ｘ１上に第２の機能液Ｘ２を配置する工程と、上記バンク間に積層した上記第１の機能液Ｘ１と上記第２の機能液Ｘ２とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターン３３を形成する工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体集積回路などの微細な配線パターン（パターン）の製造方法としては、フォトリソグラフィ法が多用されている。一方、特許文献１、特許文献２などには、液滴吐出方式を用いた方法が開示されている。これら公報に開示されている技術は、パターン形成用材料（導電性微粒子）を含んだ機能液（配線パターン用インク）を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている。
【０００３】
ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを上記の液滴吐出方式による方法によって形成しようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすのが難しい。そのため、基板上に仕切部材であるバンクを設けるとともに、バンクの上部を撥液性にし、それ以外の部分が親液性となるように表面処理を施す方法も提案されている。
【０００４】
一方、バンクはフォトリソグラフィ法を用いて形成され、コスト高につながる可能性があることから、予め撥液部（撥液領域）と親液部（被機能液配置領域）とのパターンを形成した基板の親液部に液滴吐出方式により選択的に配線パターン用インクを吐出することも提案されている。この場合、導電性微粒子を分散させた配線パターン用インクは、親液部に溜まりやすくなるため、バンクを形成することなく、位置精度を保って配線パターンを形成することが可能である。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の配線パターンは、通常、１種類の金属からなっているため、配線としての主たる機能である電流を流すという機能以外の機能を有していない。このため、例えば、配線パターンの密着性が弱いために基板から剥離したり、配線パターンのエレクトロマイグレーションによって短絡が発生する等の種々の問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、複数の材料を積層してパターンを形成することによって、一種類の材料では得られなかった機能性をパターンに付与することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るパターン形成方法は、機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板上に上記パターンの形成領域に応じたバンクを形成する工程と、上記バンク間に第１の機能液を配置する工程と、配置された上記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程と、上記バンク間に積層した上記第１の機能液と上記第２の機能液とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
このような特徴を有する本発明に係るパターン形成方法によると、複数の材料が積層されてなるパターンが基板に形成されたバンク間に形成される。これによって、パターンに一種類の材料では得られなかった機能性を付与することが可能となる。
【０００９】
また、上記配置された上記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程は、先にバンク間に配置された機能液を固化させた後に異なる種類の機能液をバンク間に配置させることによってバンク間に異なる種類の機能液を配置して積層させる工程であることが好ましい。
これによって、先にバンク間に配置された機能液が、後にバンク間に配置される機能液と混じり合わなくなるために、確実にバンク間に異なる種類の機能液を配置して積層することが可能となる。また、これを繰り返すことによってバンク間に３種類以上の機能液を配置して積層させることによって３層以上のパターンを形成することもできる。
【００１０】
また、バンクが予め撥液性を有していない材料から構成されている場合には、機能液をバンク間に配置させる前に上記バンクの表面を撥液化する工程を有することが好ましい。これによって、例えばバンクの上面に着弾した機能液は、バンクの上面からはじかれることによって確実にバンク間に流れ込ませることが可能なる。
また、機能液をバンク間に配置させる前にバンク間に露出した基板上を親液化する工程を有することが好ましい。これによってバンク間に露出した基板上に配置した機能液が濡れ拡がりやすくなるので、機能液をバンク間に吐出下基板上において均一に配置させることが可能となる。
【００１１】
次に、本発明に係るパターン形成方法は、機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板上に上記パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域と該被機能液配置領域を囲む撥液領域とを形成する工程と、上記被機能液配置領域上に第１の機能液を配置する工程と、配置された上記第１の機能液状に第２の機能液を配置する工程と、上記被機能液配置領域上に積層した上記第１の機能液と上記第２の機能液とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
このような特徴を有する本発明に係るパターン形成方法によると、複数の材料が積層されてなるパターンが基板に形成された被機能液配置領域に形成される。これによって、パターンに一種類の材料では得られなかった機能性を付与することが可能となる。
【００１３】
また、配置された上記第１の機能液状に第２の機能液を配置する工程は、先に被機能液配置領域上に配置された機能液を固化させた後に異なる種類の機能液を固化された上記機能液上に配置させることによって被機能液配置領域上に異なる種類の機能液を配置して積層させる工程であることが好ましい。
これによって、先に被機能液配置領域上に配置された機能液と後に配置される機能液とが混じり合わなくなるために、確実に被機能液配置領域上に異なる種類の機能液を配置して積層することが可能となる。また、これを繰り返すことによって被機能液配置領域上に３種類以上の機能液を配置して積層させることによって３層以上のパターンを形成することもできる。
【００１４】
また、本発明において、撥液領域は単分子膜が上記基板上に形成されることによって撥液化される領域であることを特徴とする。この単分子膜しては有機分子からなる自己組織化膜が好ましい。この場合容易に単分子膜を形成できる。
また、単分子膜の変わりに、フッ化重合膜を形成することによって撥液領域を撥液化しても良い。フッ化重合膜の形成は、例えばフルオロカーボン系化合物を反応ガスとするプラズマ処理によって容易になすことができる。
【００１５】
なお、被機能液配置領域には親液性を付与することが好ましく、この場合、紫外光の照射や酸素を反応ガスとするプラズマ処理、基板をオゾン雰囲気にさらす処理を好適に採用できる。この場合、一旦形成された撥液性の膜を、部分的に、しかも全体的に均一に破壊することができるので、撥液性を緩和し、所望の親液性を均一に得ることができる。
【００１６】
また、機能液に導電性微粒子を含ませることによって、パターンに導電性付与することができるので、パターンを配線として形成することができる。
また、機能液に熱処理または光処理により導電性を発現する材料が含まれている場合には、バンク間あるいは被機能液配置領域に配置された機能液に対して熱処理または光処理を施すことによって、パターンを配線パターンとすることができる。
【００１７】
また、本発明に係るパターンが、パターンの主なる機能を担う主材料からなる層と、この主材料と基板との密着性を向上させるための材料からなる層とを含む場合には、主材料が基板から剥離することを防止することが可能となる。
なお、本発明において主材料とは、パターンの主なる機能を有する材料であり、例えばパターンを配線として形成する場合には、主として電流を流す機能を担う銀や銅である。
また、主材料と基板との密着性を向上させるための材料としては、クロム、マンガン、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン及びタングステン等が挙げられる。
【００１８】
また、本発明に係るパターンが、上記主材料からなる層と、この主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料からなる層とを含む場合には、主材料のエレクトロマイグレーションを抑制することが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションとは、長時間にわたり配線に電流を流すことによって原子が電子の流れに沿って移動する現象であり、配線の抵抗値の増加や断線の原因となる。
このエレクトロマイグレーションを抑制する材料としては、チタン等が挙げられる。
【００１９】
また、本発明に係るパターンが、上記主材料からなる層と、この主材料の酸化を防止する材料からなる層とを含む場合には、外気等による配線の酸化を防止することが可能となる。
また、本発明に係るパターンが、上記主材料からなる層と、この主材料の損傷を防止する材料からなる層とを含む場合には、外力（本発明のパターン上に更に薄膜を形成する場合等）によって配線が損傷することを防止することが可能となる。
なお、主材料の酸化を防止する材料及び主材料の損傷を防止する材料としては、クロム、ニッケル、タングステン、タンタル等が挙げられる。
【００２０】
また、上述の材料以外にも、本発明に係るパターンを上記主材料からなる層と、ＩＴＯやＡＴＯからなる補助電極層とを含む構成としても良い。
【００２１】
次に、本発明に係るデバイスの製造方法は、基板上に形成されたパターンを備えるデバイスの製造方法であって、上述のパターン形成方法によって基板上にパターンを形成することを特徴とする。
このような特徴を有するデバイスの製造方法によれば、異なる複数の機能を有する材料が積層されてなるパターンを例えばスイッチング素子に接続される配線として有するデバイスを製造することが可能となる。
【００２２】
そして、本発明に係る電気光学装置は、上記のデバイス製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴としている。
また、本発明に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これによって、本発明では、複数の機能性を有したパターンを備える電気光学装置及び電子機器を得ることが可能となる。
【００２３】
次に、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、アクティブマトリクス基板の製造方法において、基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、上記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、上記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、上記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、上記ソース電極及び上記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、上記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する６の工程と、を有し、上記第１の工程、上記第４の工程及び上記第６の工程の少なくとも１つの工程では、本発明に係るパターン形成方法を用いることを特徴とする。
【００２４】
このような本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、ゲート配線、ソース電極及びドレイン電極、画素電極に一種類の材料では得られなかった機能性が付与されたアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明に係るパターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００２６】
（第１実施形態）
本実施の形態では、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に配線パターンに応じて形成されたバンクの間に複数の導電膜からなる配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。
【００２７】
この配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散液）に分散した溶液からなるものである。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２８】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２９】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３０】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３１】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３２】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３３】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３４】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００３５】
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（配線パターン用インク）を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００３６】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含む配線パターン用インクが吐出される。
【００３７】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００３８】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３９】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出する。
【００４０】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４１】
次に、本発明の配線パターン形成方法の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図３〜図５を参照して説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、ＨＭＤＳ膜形成工程、バンク形成工程、ＨＭＤＳ膜パターニング工程、残渣処理工程（親液化処理工程）、撥液化処理工程、材料配置工程、中間乾燥工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００４２】
（ＨＭＤＳ形成工程）
ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）膜は、基板とバンクとの密着性を向上させるものであり、例えばＨＭＤＳを蒸気状にして対象物に対して付着させる方法（ＨＭＤＳ処理）によって形成される。これによって、図３（ａ）に示すように、基板Ｐ上にＨＭＤＳ膜３２が形成される。
【００４３】
（バンク形成工程）
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図３（ｂ）に示すように、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターンの形成領域）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、下層が無機物または有機物で機能液に対して親液性を示す材料で、上層が有機物で撥液性を示す材料で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。
これによって、図３（ｃ）に示されるように、配線パターンを形成すべき領域（例えば１０μｍ幅）の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが形成され、上述のバンク間３４が形成される。
【００４４】
バンクＢを形成する有機材料としては、液体材料に対してもともと撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（テフロン（登録商標）化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００４５】
（ＨＭＤＳ膜パターニング工程）
基板Ｐ上にバンクＢが形成されると、続いてバンク間３４のＨＭＤＳ膜３２（バンクＢ、Ｂ間の底部）をエッチングすることによって図４（ａ）に示すようにＨＭＤＳ膜３２をパターニングする。具体的には、バンクＢが形成された基板Ｐに対してバンクＢをマスクとして、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでＨＭＤＳ膜をエッチングする。これによって基板ＰがバンクＢ、Ｂ間の底部に露出される。
【００４６】
（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、バンク間３４におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ２プラズマ処理を実施する。
【００４７】
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンク間３４の底部に露出した基板Ｐの親液性を高めることができる。
【００４８】
（撥液化処理工程）
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００４９】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、基板Ｐに対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行っても良いが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ２プラズマ処理することが好ましい。
なお、バンクＢに対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしても良い。
【００５０】
（材料配置工程）
次に、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用インク（機能液）をバンク間３４に露出した基板Ｐ上に吐出して配置させる。なお、ここでは、導電性微粒子としてクロムを用いた配線パターン用インクＸ１を吐出する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００５１】
この材料配置工程では、図４（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴をバンク間３４に露出した基板Ｐ上に配置させる。
このとき、バンク間３４に露出した基板ＰはバンクＢに囲まれているので、配線パターン用インクＸ１が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢの表面は撥液性が付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１の一部がバンクＢ上にのっても、バンクＢ表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間３４に流れ落ちるようになる。さらに、バンク間３４に露出した基板Ｐは親液性を付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１がバンク間３４に露出した基板Ｐ上において拡がり易くなる。これによって図４（ｃ）に示すように配線パターン用インクＸ１をバンク間３４の延在方向において均一に配置することができる。
【００５２】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに所定量の配線パターン用インクＸ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用インクＸ１は、自らの上に配置される他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
そして、この中間乾燥工程によって、図５（ａ）に示すように、バンク間３４の基板Ｐ上には、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１の層が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも配線パターン用インクＸ１と他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
【００５３】
また、この中間乾燥工程において、乾燥条件によっては、基板Ｐ上に配置された配線パターン用インクＸ１が多孔体になる場合がある。例えば、１２０℃加熱を５分間程度、あるいは１８０℃加熱を６０分間程度行った場合には、配線パターン用インクＸ１が多孔体となる。このように、配線パターン用インクＸ１が多孔体になった場合には、配線パターン用インクＸ１上に配置される機能液（異なる金属）が配線パターン用インクＸ１の中に入り込んでしまい、配線パターン用インクＸ１の層が所望の機能を得られないことが懸念される。このため、本中間乾燥工程においては、配線パターン用インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。例えば、６０℃加熱を５分間程度、２００℃加熱を６０分間程度あるいは２５０℃加熱を６０分間程度行うことによって、配線パターン用インクＸ１が多孔体になることを抑止することができる。
【００５４】
そして、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１上に異なる導電性微粒子を含む配線パターン用インクを配置することによってバンク間３４に異なる種類の配線パターン用インクが積層されてなる配線パターンを形成する。なお、ここでは銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置する。
【００５５】
具体的には、上述の材料配置工程を配線パターン用インクＸ２を用いて再び行うことによって、図５（ｂ）に示すように、配線パターン用インクＸ１上に配線パターン用インクＸ２を配置させる。
そして、上述の中間乾燥工程を再び行うことによって、配線パターン用インクＸ２の分散媒が除去され、図５（ｃ）に示すように、バンク間３４に配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とが積層されてなる配線パターン３３が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去するための中間乾燥工程を省略して、後述する熱処理／光処理工程を行っても良い。
また、配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置させる前に、撥液化処理工程を再度行い、バンクＢの表面に再び撥液性を与えても良い。これによって、配線パターン用インクＸ１をバンク間３４に配置させた際に、バンクＢの上面等に配線パターン用インクＸ１が接触することによってバンクＢの撥液性が低下した場合であっても、配線パターン用インクＸ２を確実にバンク間３４の配線パターン用インクＸ１上に配置させることが可能となる。
【００５６】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
以上の工程によって、バンク間３４にクロムと銀とが積層されてなる配線３３が形成される。
なお、機能液に、導電性微粒子でなく、熱処理または光処理により導電性を発現する材料を含有させておき、本熱処理／光処置工程において配線パターン３３に導電性を発現させても良い。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態では、バンク間３４にクロムと銀とが積層されてなる配線が形成されるので、配線としての主な機能を担う銀をクロムによって確実に基板Ｐに密着させることが可能となる。
【００５９】
なお、上述のようにバンクＢ表面が撥液性となっていることにより配線パターン用インクＸ１，Ｘ２は、バンクＢからはじかれ、バンク間３４に流れ落ちるようになる。しかしながら、配線パターン用インクＸ１，Ｘ２の一部が、例えばバンクＢの上面に触れた場合には、バンクＢの上面に微細な残渣が残る場合がある。このため、例えば、本実施形態に係るパターンの形成方法によって形成した配線パターンをＴＦＴのゲート配線に用いた場合には、ＴＦＴのチャネル長が変化し、リーク電流が増大する等の不都合が生じることが懸念される。そこで、バンク間３４に配線３３を形成した後に、バンクＢの上面の残渣を除去する工程を行うことが好ましい。具体的には、バンクＢの上面に対してウエットエッチング処理、ドライエッチング処理あるいは研磨処理等の行うことによって、バンクＢの上面を削り取ることによって、バンクＢの上面の残渣を除去することができる。
また、バンクＢの上面の残渣を除去する際に、バンクＢの上面と配線３３の上面とが略同一面となるようにバンクＢの上面を削り取ることが好ましい。このように、バンクＢの上面と配線３３の上面とが略同一面とされることによって、例えば、本実施形態に係るパターンの形成方法によって形成した配線パターンを液晶表示装置に備えられるＴＦＴのソース線あるいはドレイン線に用いる場合には、ＴＦＴ上に配置される配向膜の平坦性を確保することができ、ラビング処理等にムラが生じることを抑止することができる。
【００６０】
（第２実施形態）
第２実施形態として、上記第１実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図６を参照して説明する。なお、本第２実施形態においては、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００６１】
本第２実施形態では、上記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図６に示すように、バンク間３４にチタンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ３と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、バンク間３４には、基板Ｐから順に配線パターン用インクＸ３、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ３の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ３に挟まれた状態でバンク間３４に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ３に上記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間３４には、チタン、銀、チタンの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００６２】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなる配線３３は、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。従って、本実施形態によれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制した配線３３を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、上述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００６３】
（第３実施形態）
第３実施形態として、上記第１実施形態及び第２実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図７を参照して説明する。なお、本第２実施形態においては、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００６４】
本第３実施形態では、上記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図７に示すように、バンク間３４にクロムを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ１と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、バンク間３４には、基板Ｐから順に配線パターン用インクＸ１、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ１の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ１に挟まれた状態でバンク間３４に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ１，Ｘ２に上記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間３４には、クロム、銀、クロムの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００６５】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるクロムの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上されると共に、銀の上に配置されるクロムの層によって、銀の酸化及び損傷を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、密着性が向上すると共に、耐酸化性及び耐傷性を有した配線３３を得ることが可能となる。
【００６６】
（第４実施形態）
第４実施形態として、上記第１実施形態〜第３実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図８を参照して説明する。なお、本第４実施形態においては、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００６７】
本第４実施形態では、上記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図８に示すように、バンク間３４に、基板Ｐから順にマンガンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ４、銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２、ニッケルを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ５が順に積層されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ４，Ｘ５に上記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間３４には、マンガン、銀、ニッケルの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００６８】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルが配置されることによって、配線３３が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができる配線３３を得ることが可能となる。
【００６９】
（第５実施形態）
次に、本発明のパターン形成方法の第５実施形態について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板上に配置し、その基板上に配線パターンを形成するものであり、表面処理工程、材料配置工程、中間乾燥工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００７０】
（表面処理工程）
表面処理工程は、基板Ｐの表面を撥液化する撥液化処理工程と、撥液化された基板Ｐの表面を配線パターン形成領域に応じて親液化する親液化処理工程とに大別される。
撥液化処理工程では、配線を形成する基板Ｐの表面を配線パターン用インクに対して撥液性に加工する。具体的には、導電性微粒子を含有した配線パターン用インクに対する所定の接触角と、後に詳説する親液部（被機能液配置領域）Ｈ１における接触角との差が好ましくは５０°以上となるように基板Ｐの表面に対して表面処理を施す。
基板Ｐの表面を撥液化する方法としては、例えば、基板Ｐの表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
【００７１】
自己組織膜形成法では、配線パターンを形成すべき基板Ｐの表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。
基板Ｐの表面を処理するための有機分子膜は、基板Ｐに結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板Ｐに結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【００７２】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００７３】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板Ｐとの密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００７４】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板Ｐ（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板Ｐと結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ２）等のフルオロ基を有するため、基板Ｐの下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００７５】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板Ｐとを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板Ｐ上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板Ｐ上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板Ｐを浸積し、洗浄、乾燥することで基板Ｐ上に自己組織化膜が形成される。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板Ｐの表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板Ｐの表面の前処理を施すことが望ましい。
【００７６】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板Ｐに対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、配線パターンを形成すべき基板Ｐの表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を例示できる。
なお、基板Ｐの表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板Ｐの表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板Ｐとして用いてもよい。
このように、自己組織膜形成法やプラズマ処理法を実施することにより、図９（ａ）に示されるように、基板Ｐの表面に撥液性膜Ｆが形成される。
【００７７】
次に、配線パターン用インクを塗布して配線パターンを形成すべき領域の撥液性を緩和して親液性を付与することで（親液化処理）、親液部Ｈ１を形成する。
以下、親液化処理について説明する。
親液化処理としては、波長１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。このとき、配線パターンに応じたマスクを用いて紫外光を照射することで、一旦形成した撥液性膜Ｆの中、配線パターン形成領域部分のみ部分的に変質させて撥液性を緩和して親液化することができる。つまり、上記撥液化処理及び親液化処理を施すことにより、図９（ｂ）に示されるように、基板Ｐには、配線パターンが形成されるべき位置に親液性を付与された親液部Ｈ１と、親液部Ｈ１を囲む撥液性膜Ｆで構成される撥液部（撥液領域）Ｈ２とが形成される。
なお、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。
【００７８】
親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理が挙げられる。具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
また、例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする等、プラズマ処理条件を調整することによって、導電性微粒子を含有した配線パターン用インクに対する親液部Ｈ１の接触角を好ましくは１０°以下に設定する。
さらに、別の親液化処理としては、基板をオゾン雰囲気に曝す処理も採用できる。
【００７９】
（材料配置工程）
次に、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用インク（機能液）を親液部Ｈ１上に吐出して配置させる。なお、ここでは、導電性微粒子としてクロムを用いた配線パターン用インクＸ１を吐出する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００８０】
この材料配置工程では、図９（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴を親液部Ｈ１上に配置させる。
このとき、撥液部Ｈ２は撥液性が付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１の一部が撥液部Ｈ２にのっても撥液部Ｈ２からはじかれ、図１０（ａ）に示されるように、撥液部Ｈ２間の親液部Ｈ１に溜まるようになる。さらに、親液部Ｈ１は親液性を付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１が親液部Ｈ１にてより拡がり易くなり、これによって配線パターン用インクＸ１が、分断されることなく所定位置内でより均一に親液部Ｈ１を埋め込むようにすることができる。
【００８１】
（中間乾燥工程）
親液部Ｈ１に所定量の配線パターン用インクＸ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用インクＸ１は、自らの上に配置される他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
そして、この中間乾燥工程によって、図１０（ｂ）に示すように、親液部Ｈ１上には、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１の層が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも配線パターン用インクＸ１と他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
【００８２】
なお、この中間乾燥工程においても、上記第１実施形態と同様、配線パターン用インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。
【００８３】
そして、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１上に異なる導電性微粒子を含む配線パターン用インクを配置することによって親液部Ｈ１上に異なる種類の配線パターン用インクが積層されてなる配線パターンを形成する。なお、ここでは銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置する。
【００８４】
具体的には、上述の材料配置工程を配線パターン用インクＸ２を用いて再び行うことによって、図１０（ｃ）に示すように、配線パターン用インクＸ１上に配線パターン用インクＸ２を配置させる。
そして、上述の中間乾燥工程を再び行うことによって、配線パターン用インクＸ２の分散媒が除去され、図１０（ｄ）に示すように、親液部Ｈ１上に配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とが積層されてなる配線パターン３３が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去するための中間乾燥工程を省略して、後述する熱処理／光処理工程を行っても良い。
また、配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置させる前に、撥液部Ｈ２に再び撥液性を与える工程を行っても良い。これによって、配線パターン用インクＸ１を親液部Ｈ１に配置させた際に、撥液部Ｈ２に配線パターン用インクＸ１が接触することによって撥液部Ｈ２の撥液性が低下した場合であっても、配線パターン用インクＸ２を確実に親液部Ｈ１の配線パターン用インクＸ１上に配置させることが可能となる。
【００８５】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００８６】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
以上の工程によって、親液部Ｈ１にクロムと銀とが積層されてなる配線３３が形成される。
なお、機能液に、導電性微粒子でなく、熱処理または光処理により導電性を発現する材料を含有させておき、本熱処理／光処置工程において配線パターン３３に導電性を発現させても良い。
【００８７】
以上説明したように、本実施形態では、親液部Ｈ１にクロムと銀とが積層されてなる配線が形成されるので、配線としての主な機能を担う銀をクロムによって確実に基板Ｐに密着させることが可能となる。
【００８８】
なお、上記第１実施形態に示したバンクＢと同様、配線パターン用インクＸ１，Ｘ２の一部が、例えば撥液部Ｈ２に触れた場合には、撥液部Ｈ２に微細な残渣が残る場合がある。このため、親液部Ｈ１上に配線３３を形成した後に、撥液部Ｈ２の残渣を除去する工程を行うことが好ましい。具体的には、Ｏ２アッシング処理やＵＶ照射処理によって、撥液部Ｈ２上の残渣を除去することができる。
【００８９】
（第６実施形態）
第６実施形態として、上記第５実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図１１を参照して説明する。なお、本第６実施形態においては、上記第５実施形態と異なる部分について説明する。
【００９０】
本第６実施形態では、上記第５実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図１１に示すように、にチタンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ３と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、親液部Ｈ１上には、基板Ｐから順に配線パターン用インクＸ３、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ３の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ３に挟まれた状態で親液部Ｈ１上に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ３に上記第５実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、親液部Ｈ１上には、チタン、銀、チタンの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００９１】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなる配線３３は、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。従って、本実施形態によれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制した配線３３を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、上述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００９２】
（第７実施形態）
第７実施形態として、上記第５実施形態及び第６実施形態とは異なる構成からなる配線について、図１２を参照して説明する。なお、本第７実施形態においては、上記第５実施形態と異なる部分について説明する。
【００９３】
本第７実施形態では、上記第５実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図１２に示すように、親液部Ｈ１上にクロムを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ１と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、親液部Ｈ１上には、配線パターン用インクＸ１、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ１の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ１に挟まれた状態で親液部Ｈ１上に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ１，Ｘ２に上記第５実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、親液部Ｈ１には、クロム、銀、クロムの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００９４】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるクロムの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上されると共に、銀の上に配置されるクロムの層によって、銀の酸化及び損傷を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、密着性が向上すると共に、耐酸化性及び耐傷性を有した配線３３を得ることが可能となる。
【００９５】
（第８実施形態）
第８実施形態として、上記第５実施形態〜第７実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図１３を参照して説明する。なお、本第８実施形態においては、上記第５実施形態と異なる部分について説明する。
【００９６】
本第８実施形態では、上記第５実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図１３に示すように、親液部Ｈ１上に、基板Ｐから順にマンガンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ４、銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２、ニッケルを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ５が順に積層されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ４，Ｘ５に上記第５実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、親液部Ｈ１上には、マンガン、銀、ニッケルの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００９７】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルが配置されることによって、配線３３が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができる配線３３を得ることが可能となる。
【００９８】
（第９実施形態）
第９実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図１４は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１５は図１４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１６は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１７は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【００９９】
図１４及び図１５において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【０１００】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【０１０１】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１０２】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１６に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１０３】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１５に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１０４】
図１７はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記実施形態のパターン形成方法によって形成された複数の異なる材料が積層されてなるゲート配線６１が形成されている。なお、本実施形態では、ゲート配線６１を形成する際に、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃まで加熱されるため、その温度に耐えられる材料として無機質のバンク材を用いている。また、本実施形態においては、クロム６１ａと銀６１ｂとが積層されてなるゲート配線６１を一例として図示する。
【０１０５】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【０１０６】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を形成し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、ソース線、ドレイン線を形成することができる。なお、これらのソース線及びドレイン線も本発明に係るパターンとして構成することが可能である。
【０１０７】
したがって、本実施形態では、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線を複数の異なる材料が積層されてなる配線として形成することができ、複数の機能性を有するゲート線６１、ソース線及びドレイン線を得ることができる。
なお、この配線が上記第１実施形態において説明したクロムと銀との２層からなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、上記配線が第２実施形態において説明したチタン、銀、チタンの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線のエレクトロマイグレーションが抑制された液晶表示装置１００を得ることができる。また、上記配線が第３実施形態において説明したクロム、銀、クロムの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に耐酸化性及び耐傷性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、上記配線が上記第４実施形態において説明したマンガン、銀、ニッケルの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に銀のプラズマ処理による劣化が抑止された液晶表示装置１００を得ることができる。
なお、本実施形態においては、図１７に示すようにバンクＢ、Ｂ間にゲート線６１を形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１８に示すように、基板Ｐに親液部Ｈ１と撥液部Ｈ２を形成し、親液部Ｈ１上にゲート配線６１を形成しても良い。
【０１０８】
（第１０実施形態）
上記実施の形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、上記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものであり、複数の機能性を有する配線を備える有機ＥＬデバイスを得ることができる。
【０１０９】
図１９は、上記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図１９を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１９において、有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【０１１０】
各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【０１１１】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【０１１２】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための液状体材料を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための液状体材料を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって上記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで上記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【０１１３】
（第１１実施形態）
上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図２０を参照しながら説明する。
【０１１４】
図２０（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板５１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝５１１ａを設けるための第１層目のバンク５１１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク５１１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。
【０１１５】
この形成後のバンク５１１に撥液性を持たせるために、ＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【０１１６】
以上のようにして撥液化されたバンク５１１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上、またガラス面の接触角としては、１０°以下を確保することが好ましい。すなわち、本発明者らが試験により確認した結果、例えば導電性微粒子（テトラデカン溶媒）に対する処理後の接触角は、バンク５１１の素材としてアクリル樹脂系を採用した場合には約５４．０°（未処理の場合には１０°以下）を確保することができる。なお、これら接触角は、プラズマパワー５５０Ｗのもと、４フッ化メタンガスを０．１Ｌ／ｍｉｎで供給する処理条件下で得たものである。
【０１１７】
上記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク５１１で区画された描画領域である上記溝５１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することでゲート走査電極５１２を形成する。そして、ゲート走査電極５１２を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
【０１１８】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極５１２は、バンク５１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝５１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【０１１９】
以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１１とゲート走査電極５１２からなる平坦な上面を備えた銀（Ａｇ）からなる第１の導電層Ａ１が形成される。
【０１２０】
また、溝５１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図２０（ａ）に示すように、この溝５１１ａの形状として順テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【０１２１】
次に、図２０（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜５１３、活性層５１０、コンタクト層５０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜５１３として窒化シリコン膜、活性層５１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層５０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【０１２２】
上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図２０（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ上記溝５１１ａと交差する溝５１４ａを設けるための２層目のバンク５１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク５１４としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。
【０１２３】
この形成後のバンク５１４に撥液性を持たせるためにＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【０１２４】
以上のようにして撥液化されたバンク５１４の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上を確保することが好ましい。
【０１２５】
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク５１４で区画された描画領域である上記溝５１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図２０（ｄ）に示すように、上記ゲート走査電極５１２に対して交差するソース電極５１５及びソース電極５１６が形成される。そして、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
【０１２６】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極５１５及びドレイン電極５１６は、バンク５１４に十分な撥液性が予め与えられているので、溝５１４ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【０１２７】
また、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を配置した溝５１４ａを埋めるように絶縁材料５１７が配置される。以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１４と絶縁材料５１７からなる平坦な上面５２０が形成される。
【０１２８】
そして、絶縁材料５１７にコンタクトホール５１９を形成するとともに、上面５２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）５１８を形成し、コンタクトホール５１９を介してドレイン電極５１６と画素電極５１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【０１２９】
（第１２実施形態）
図２１は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図２１に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１３０】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２１においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１３１】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１３２】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するフィルム状のベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１３３】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、複数の機能を有する配線を備える液晶表示装置を得ることができる。
【０１３４】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１３５】
（第１３実施形態）
第１３実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図２２に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【０１３６】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係るパターン形成方法によって形成された複数の材料が積層されてなるパターンによって構成されている。
したがって、複数の機能性を有するアンテナ回路４１２を備えた非接触型カード媒体を製造することができる。
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１３７】
（第１４実施形態）
第７実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２３（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２３（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２３（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、複数の機能性を有したパターンを備える電子機器を提供することが可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１３８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態を説明するための図である。
【図７】本発明の第３実施形態を説明するための図である。
【図８】本発明の第４実施形態を説明するための図である。
【図９】本発明の第５実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図１０】本発明の第５実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図１１】本発明の第６実施形態を説明するための図である。
【図１２】本発明の第７実施形態を説明するための図である。
【図１３】本発明の第８実施形態を説明するための図である。
【図１４】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１５】図１４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１６】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１７】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１８】図１７に示した液晶表示装置の変形例を示す図である。
【図１９】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図２０】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図２１】液晶表示装置の別形態を示す図である。
【図２２】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図２３】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【０１４０】
Ｂ……バンク、Ｐ……基板、Ｘ１〜Ｘ３……配線パターン用インク（機能液）、３０……ＴＦＴ（スイッチング素子）、３３……配線パターン（パターン）、３４……バンク間、Ｈ１……親液部（被機能液配置領域）、Ｈ２……撥液部（撥液領域）、１００……液晶表示装置（電気光学装置）、４００……非接触型カード媒体（電子機器）、６００……携帯電話本体（電子機器）、７００……情報処理装置（電子機器）、８００……時計本体（電子機器）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体集積回路などの微細な配線パターン（パターン）の製造方法としては、フォトリソグラフィ法が多用されている。一方、特許文献１、特許文献２などには、液滴吐出方式を用いた方法が開示されている。これら公報に開示されている技術は、パターン形成用材料（導電性微粒子）を含んだ機能液（配線パターン用インク）を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている。
【０００３】
ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを上記の液滴吐出方式による方法によって形成しようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすのが難しい。そのため、基板上に仕切部材であるバンクを設けるとともに、バンクの上部を撥液性にし、それ以外の部分が親液性となるように表面処理を施す方法も提案されている。
【０００４】
一方、バンクはフォトリソグラフィ法を用いて形成され、コスト高につながる可能性があることから、予め撥液部（撥液領域）と親液部（被機能液配置領域）とのパターンを形成した基板の親液部に液滴吐出方式により選択的に配線パターン用インクを吐出することも提案されている。この場合、導電性微粒子を分散させた配線パターン用インクは、親液部に溜まりやすくなるため、バンクを形成することなく、位置精度を保って配線パターンを形成することが可能である。
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の配線パターンは、通常、１種類の金属からなっているため、配線としての主たる機能である電流を流すという機能以外の機能を有していない。このため、例えば、配線パターンの密着性が弱いために基板から剥離したり、配線パターンのエレクトロマイグレーションによって短絡が発生する等の種々の問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、複数の材料を積層してパターンを形成することによって、一種類の材料では得られなかった機能性をパターンに付与することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るパターン形成方法は、機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板上に上記パターンの形成領域に応じたバンクを形成する工程と、上記バンク間に第１の機能液を配置する工程と、配置された上記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程と、上記バンク間に積層した上記第１の機能液と上記第２の機能液とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
このような特徴を有する本発明に係るパターン形成方法によると、複数の材料が積層されてなるパターンが基板に形成されたバンク間に形成される。これによって、パターンに一種類の材料では得られなかった機能性を付与することが可能となる。
【０００９】
また、上記配置された上記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程は、先にバンク間に配置された機能液を固化させた後に異なる種類の機能液をバンク間に配置させることによってバンク間に異なる種類の機能液を配置して積層させる工程であることが好ましい。
これによって、先にバンク間に配置された機能液が、後にバンク間に配置される機能液と混じり合わなくなるために、確実にバンク間に異なる種類の機能液を配置して積層することが可能となる。また、これを繰り返すことによってバンク間に３種類以上の機能液を配置して積層させることによって３層以上のパターンを形成することもできる。
【００１０】
また、バンクが予め撥液性を有していない材料から構成されている場合には、機能液をバンク間に配置させる前に上記バンクの表面を撥液化する工程を有することが好ましい。これによって、例えばバンクの上面に着弾した機能液は、バンクの上面からはじかれることによって確実にバンク間に流れ込ませることが可能なる。
また、機能液をバンク間に配置させる前にバンク間に露出した基板上を親液化する工程を有することが好ましい。これによってバンク間に露出した基板上に配置した機能液が濡れ拡がりやすくなるので、機能液をバンク間に吐出下基板上において均一に配置させることが可能となる。
【００１１】
次に、本発明に係るパターン形成方法は、機能液を基板上に配置させてパターンを形成する方法であって、上記基板上に上記パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域と該被機能液配置領域を囲む撥液領域とを形成する工程と、上記被機能液配置領域上に第１の機能液を配置する工程と、配置された上記第１の機能液状に第２の機能液を配置する工程と、上記被機能液配置領域上に積層した上記第１の機能液と上記第２の機能液とに対して所定の処理を施すことによって複数の材料が積層されてなる上記パターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
このような特徴を有する本発明に係るパターン形成方法によると、複数の材料が積層されてなるパターンが基板に形成された被機能液配置領域に形成される。これによって、パターンに一種類の材料では得られなかった機能性を付与することが可能となる。
【００１３】
また、配置された上記第１の機能液状に第２の機能液を配置する工程は、先に被機能液配置領域上に配置された機能液を固化させた後に異なる種類の機能液を固化された上記機能液上に配置させることによって被機能液配置領域上に異なる種類の機能液を配置して積層させる工程であることが好ましい。
これによって、先に被機能液配置領域上に配置された機能液と後に配置される機能液とが混じり合わなくなるために、確実に被機能液配置領域上に異なる種類の機能液を配置して積層することが可能となる。また、これを繰り返すことによって被機能液配置領域上に３種類以上の機能液を配置して積層させることによって３層以上のパターンを形成することもできる。
【００１４】
また、本発明において、撥液領域は単分子膜が上記基板上に形成されることによって撥液化される領域であることを特徴とする。この単分子膜しては有機分子からなる自己組織化膜が好ましい。この場合容易に単分子膜を形成できる。
また、単分子膜の変わりに、フッ化重合膜を形成することによって撥液領域を撥液化しても良い。フッ化重合膜の形成は、例えばフルオロカーボン系化合物を反応ガスとするプラズマ処理によって容易になすことができる。
【００１５】
なお、被機能液配置領域には親液性を付与することが好ましく、この場合、紫外光の照射や酸素を反応ガスとするプラズマ処理、基板をオゾン雰囲気にさらす処理を好適に採用できる。この場合、一旦形成された撥液性の膜を、部分的に、しかも全体的に均一に破壊することができるので、撥液性を緩和し、所望の親液性を均一に得ることができる。
【００１６】
また、機能液に導電性微粒子を含ませることによって、パターンに導電性付与することができるので、パターンを配線として形成することができる。
また、機能液に熱処理または光処理により導電性を発現する材料が含まれている場合には、バンク間あるいは被機能液配置領域に配置された機能液に対して熱処理または光処理を施すことによって、パターンを配線パターンとすることができる。
【００１７】
また、本発明に係るパターンが、パターンの主なる機能を担う主材料からなる層と、この主材料と基板との密着性を向上させるための材料からなる層とを含む場合には、主材料が基板から剥離することを防止することが可能となる。
なお、本発明において主材料とは、パターンの主なる機能を有する材料であり、例えばパターンを配線として形成する場合には、主として電流を流す機能を担う銀や銅である。
また、主材料と基板との密着性を向上させるための材料としては、クロム、マンガン、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン及びタングステン等が挙げられる。
【００１８】
また、本発明に係るパターンが、上記主材料からなる層と、この主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料からなる層とを含む場合には、主材料のエレクトロマイグレーションを抑制することが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションとは、長時間にわたり配線に電流を流すことによって原子が電子の流れに沿って移動する現象であり、配線の抵抗値の増加や断線の原因となる。
このエレクトロマイグレーションを抑制する材料としては、チタン等が挙げられる。
【００１９】
また、本発明に係るパターンが、上記主材料からなる層と、この主材料の酸化を防止する材料からなる層とを含む場合には、外気等による配線の酸化を防止することが可能となる。
また、本発明に係るパターンが、上記主材料からなる層と、この主材料の損傷を防止する材料からなる層とを含む場合には、外力（本発明のパターン上に更に薄膜を形成する場合等）によって配線が損傷することを防止することが可能となる。
なお、主材料の酸化を防止する材料及び主材料の損傷を防止する材料としては、クロム、ニッケル、タングステン、タンタル等が挙げられる。
【００２０】
また、上述の材料以外にも、本発明に係るパターンを上記主材料からなる層と、ＩＴＯやＡＴＯからなる補助電極層とを含む構成としても良い。
【００２１】
次に、本発明に係るデバイスの製造方法は、基板上に形成されたパターンを備えるデバイスの製造方法であって、上述のパターン形成方法によって基板上にパターンを形成することを特徴とする。
このような特徴を有するデバイスの製造方法によれば、異なる複数の機能を有する材料が積層されてなるパターンを例えばスイッチング素子に接続される配線として有するデバイスを製造することが可能となる。
【００２２】
そして、本発明に係る電気光学装置は、上記のデバイス製造方法を用いて製造されたデバイスを備えることを特徴としている。
また、本発明に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これによって、本発明では、複数の機能性を有したパターンを備える電気光学装置及び電子機器を得ることが可能となる。
【００２３】
次に、本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、アクティブマトリクス基板の製造方法において、基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、上記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、上記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、上記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、上記ソース電極及び上記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、上記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する６の工程と、を有し、上記第１の工程、上記第４の工程及び上記第６の工程の少なくとも１つの工程では、本発明に係るパターン形成方法を用いることを特徴とする。
【００２４】
このような本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、ゲート配線、ソース電極及びドレイン電極、画素電極に一種類の材料では得られなかった機能性が付与されたアクティブマトリクス基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明に係るパターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００２６】
（第１実施形態）
本実施の形態では、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に配線パターンに応じて形成されたバンクの間に複数の導電膜からなる配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。
【００２７】
この配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散液）に分散した溶液からなるものである。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００２８】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２９】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３０】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３１】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３２】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３３】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３４】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。
このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００３５】
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（配線パターン用インク）を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００３６】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含む配線パターン用インクが吐出される。
【００３７】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００３８】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３９】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出する。
【００４０】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４１】
次に、本発明の配線パターン形成方法の実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について図３〜図５を参照して説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、ＨＭＤＳ膜形成工程、バンク形成工程、ＨＭＤＳ膜パターニング工程、残渣処理工程（親液化処理工程）、撥液化処理工程、材料配置工程、中間乾燥工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００４２】
（ＨＭＤＳ形成工程）
ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）膜は、基板とバンクとの密着性を向上させるものであり、例えばＨＭＤＳを蒸気状にして対象物に対して付着させる方法（ＨＭＤＳ処理）によって形成される。これによって、図３（ａ）に示すように、基板Ｐ上にＨＭＤＳ膜３２が形成される。
【００４３】
（バンク形成工程）
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図３（ｂ）に示すように、基板Ｐ上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターンの形成領域）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、下層が無機物または有機物で機能液に対して親液性を示す材料で、上層が有機物で撥液性を示す材料で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。
これによって、図３（ｃ）に示されるように、配線パターンを形成すべき領域（例えば１０μｍ幅）の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが形成され、上述のバンク間３４が形成される。
【００４４】
バンクＢを形成する有機材料としては、液体材料に対してもともと撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（テフロン（登録商標）化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００４５】
（ＨＭＤＳ膜パターニング工程）
基板Ｐ上にバンクＢが形成されると、続いてバンク間３４のＨＭＤＳ膜３２（バンクＢ、Ｂ間の底部）をエッチングすることによって図４（ａ）に示すようにＨＭＤＳ膜３２をパターニングする。具体的には、バンクＢが形成された基板Ｐに対してバンクＢをマスクとして、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでＨＭＤＳ膜をエッチングする。これによって基板ＰがバンクＢ、Ｂ間の底部に露出される。
【００４６】
（残渣処理工程（親液化処理工程））
次に、バンク間３４におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。
残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ２プラズマ処理を実施する。
【００４７】
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンク間３４の底部に露出した基板Ｐの親液性を高めることができる。
【００４８】
（撥液化処理工程）
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００４９】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、基板Ｐに対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行っても良いが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ２プラズマ処理することが好ましい。
なお、バンクＢに対する撥液化処理により、先に親液化処理した基板Ｐ表面に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液処理を省略するようにしても良い。
【００５０】
（材料配置工程）
次に、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用インク（機能液）をバンク間３４に露出した基板Ｐ上に吐出して配置させる。なお、ここでは、導電性微粒子としてクロムを用いた配線パターン用インクＸ１を吐出する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００５１】
この材料配置工程では、図４（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴をバンク間３４に露出した基板Ｐ上に配置させる。
このとき、バンク間３４に露出した基板ＰはバンクＢに囲まれているので、配線パターン用インクＸ１が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢの表面は撥液性が付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１の一部がバンクＢ上にのっても、バンクＢ表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間３４に流れ落ちるようになる。さらに、バンク間３４に露出した基板Ｐは親液性を付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１がバンク間３４に露出した基板Ｐ上において拡がり易くなる。これによって図４（ｃ）に示すように配線パターン用インクＸ１をバンク間３４の延在方向において均一に配置することができる。
【００５２】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに所定量の配線パターン用インクＸ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用インクＸ１は、自らの上に配置される他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
そして、この中間乾燥工程によって、図５（ａ）に示すように、バンク間３４の基板Ｐ上には、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１の層が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも配線パターン用インクＸ１と他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
【００５３】
また、この中間乾燥工程において、乾燥条件によっては、基板Ｐ上に配置された配線パターン用インクＸ１が多孔体になる場合がある。例えば、１２０℃加熱を５分間程度、あるいは１８０℃加熱を６０分間程度行った場合には、配線パターン用インクＸ１が多孔体となる。このように、配線パターン用インクＸ１が多孔体になった場合には、配線パターン用インクＸ１上に配置される機能液（異なる金属）が配線パターン用インクＸ１の中に入り込んでしまい、配線パターン用インクＸ１の層が所望の機能を得られないことが懸念される。このため、本中間乾燥工程においては、配線パターン用インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。例えば、６０℃加熱を５分間程度、２００℃加熱を６０分間程度あるいは２５０℃加熱を６０分間程度行うことによって、配線パターン用インクＸ１が多孔体になることを抑止することができる。
【００５４】
そして、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１上に異なる導電性微粒子を含む配線パターン用インクを配置することによってバンク間３４に異なる種類の配線パターン用インクが積層されてなる配線パターンを形成する。なお、ここでは銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置する。
【００５５】
具体的には、上述の材料配置工程を配線パターン用インクＸ２を用いて再び行うことによって、図５（ｂ）に示すように、配線パターン用インクＸ１上に配線パターン用インクＸ２を配置させる。
そして、上述の中間乾燥工程を再び行うことによって、配線パターン用インクＸ２の分散媒が除去され、図５（ｃ）に示すように、バンク間３４に配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とが積層されてなる配線パターン３３が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去するための中間乾燥工程を省略して、後述する熱処理／光処理工程を行っても良い。
また、配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置させる前に、撥液化処理工程を再度行い、バンクＢの表面に再び撥液性を与えても良い。これによって、配線パターン用インクＸ１をバンク間３４に配置させた際に、バンクＢの上面等に配線パターン用インクＸ１が接触することによってバンクＢの撥液性が低下した場合であっても、配線パターン用インクＸ２を確実にバンク間３４の配線パターン用インクＸ１上に配置させることが可能となる。
【００５６】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５７】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
以上の工程によって、バンク間３４にクロムと銀とが積層されてなる配線３３が形成される。
なお、機能液に、導電性微粒子でなく、熱処理または光処理により導電性を発現する材料を含有させておき、本熱処理／光処置工程において配線パターン３３に導電性を発現させても良い。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態では、バンク間３４にクロムと銀とが積層されてなる配線が形成されるので、配線としての主な機能を担う銀をクロムによって確実に基板Ｐに密着させることが可能となる。
【００５９】
なお、上述のようにバンクＢ表面が撥液性となっていることにより配線パターン用インクＸ１，Ｘ２は、バンクＢからはじかれ、バンク間３４に流れ落ちるようになる。しかしながら、配線パターン用インクＸ１，Ｘ２の一部が、例えばバンクＢの上面に触れた場合には、バンクＢの上面に微細な残渣が残る場合がある。このため、例えば、本実施形態に係るパターンの形成方法によって形成した配線パターンをＴＦＴのゲート配線に用いた場合には、ＴＦＴのチャネル長が変化し、リーク電流が増大する等の不都合が生じることが懸念される。そこで、バンク間３４に配線３３を形成した後に、バンクＢの上面の残渣を除去する工程を行うことが好ましい。具体的には、バンクＢの上面に対してウエットエッチング処理、ドライエッチング処理あるいは研磨処理等の行うことによって、バンクＢの上面を削り取ることによって、バンクＢの上面の残渣を除去することができる。
また、バンクＢの上面の残渣を除去する際に、バンクＢの上面と配線３３の上面とが略同一面となるようにバンクＢの上面を削り取ることが好ましい。このように、バンクＢの上面と配線３３の上面とが略同一面とされることによって、例えば、本実施形態に係るパターンの形成方法によって形成した配線パターンを液晶表示装置に備えられるＴＦＴのソース線あるいはドレイン線に用いる場合には、ＴＦＴ上に配置される配向膜の平坦性を確保することができ、ラビング処理等にムラが生じることを抑止することができる。
【００６０】
（第２実施形態）
第２実施形態として、上記第１実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図６を参照して説明する。なお、本第２実施形態においては、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００６１】
本第２実施形態では、上記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図６に示すように、バンク間３４にチタンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ３と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、バンク間３４には、基板Ｐから順に配線パターン用インクＸ３、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ３の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ３に挟まれた状態でバンク間３４に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ３に上記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間３４には、チタン、銀、チタンの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００６２】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなる配線３３は、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。従って、本実施形態によれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制した配線３３を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、上述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００６３】
（第３実施形態）
第３実施形態として、上記第１実施形態及び第２実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図７を参照して説明する。なお、本第２実施形態においては、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００６４】
本第３実施形態では、上記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図７に示すように、バンク間３４にクロムを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ１と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、バンク間３４には、基板Ｐから順に配線パターン用インクＸ１、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ１の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ１に挟まれた状態でバンク間３４に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ１，Ｘ２に上記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間３４には、クロム、銀、クロムの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００６５】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるクロムの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上されると共に、銀の上に配置されるクロムの層によって、銀の酸化及び損傷を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、密着性が向上すると共に、耐酸化性及び耐傷性を有した配線３３を得ることが可能となる。
【００６６】
（第４実施形態）
第４実施形態として、上記第１実施形態〜第３実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図８を参照して説明する。なお、本第４実施形態においては、上記第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００６７】
本第４実施形態では、上記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図８に示すように、バンク間３４に、基板Ｐから順にマンガンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ４、銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２、ニッケルを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ５が順に積層されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ４，Ｘ５に上記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間３４には、マンガン、銀、ニッケルの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００６８】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルが配置されることによって、配線３３が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができる配線３３を得ることが可能となる。
【００６９】
（第５実施形態）
次に、本発明のパターン形成方法の第５実施形態について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、上述した配線パターン用のインクを基板上に配置し、その基板上に配線パターンを形成するものであり、表面処理工程、材料配置工程、中間乾燥工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００７０】
（表面処理工程）
表面処理工程は、基板Ｐの表面を撥液化する撥液化処理工程と、撥液化された基板Ｐの表面を配線パターン形成領域に応じて親液化する親液化処理工程とに大別される。
撥液化処理工程では、配線を形成する基板Ｐの表面を配線パターン用インクに対して撥液性に加工する。具体的には、導電性微粒子を含有した配線パターン用インクに対する所定の接触角と、後に詳説する親液部（被機能液配置領域）Ｈ１における接触角との差が好ましくは５０°以上となるように基板Ｐの表面に対して表面処理を施す。
基板Ｐの表面を撥液化する方法としては、例えば、基板Ｐの表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
【００７１】
自己組織膜形成法では、配線パターンを形成すべき基板Ｐの表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。
基板Ｐの表面を処理するための有機分子膜は、基板Ｐに結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板Ｐに結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【００７２】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００７３】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板Ｐとの密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００７４】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板Ｐ（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板Ｐと結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ２）等のフルオロ基を有するため、基板Ｐの下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００７５】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板Ｐとを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板Ｐ上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板Ｐ上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板Ｐを浸積し、洗浄、乾燥することで基板Ｐ上に自己組織化膜が形成される。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板Ｐの表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板Ｐの表面の前処理を施すことが望ましい。
【００７６】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板Ｐに対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、配線パターンを形成すべき基板Ｐの表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を例示できる。
なお、基板Ｐの表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板Ｐの表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板Ｐとして用いてもよい。
このように、自己組織膜形成法やプラズマ処理法を実施することにより、図９（ａ）に示されるように、基板Ｐの表面に撥液性膜Ｆが形成される。
【００７７】
次に、配線パターン用インクを塗布して配線パターンを形成すべき領域の撥液性を緩和して親液性を付与することで（親液化処理）、親液部Ｈ１を形成する。
以下、親液化処理について説明する。
親液化処理としては、波長１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。このとき、配線パターンに応じたマスクを用いて紫外光を照射することで、一旦形成した撥液性膜Ｆの中、配線パターン形成領域部分のみ部分的に変質させて撥液性を緩和して親液化することができる。つまり、上記撥液化処理及び親液化処理を施すことにより、図９（ｂ）に示されるように、基板Ｐには、配線パターンが形成されるべき位置に親液性を付与された親液部Ｈ１と、親液部Ｈ１を囲む撥液性膜Ｆで構成される撥液部（撥液領域）Ｈ２とが形成される。
なお、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。
【００７８】
親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理が挙げられる。具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
また、例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする等、プラズマ処理条件を調整することによって、導電性微粒子を含有した配線パターン用インクに対する親液部Ｈ１の接触角を好ましくは１０°以下に設定する。
さらに、別の親液化処理としては、基板をオゾン雰囲気に曝す処理も採用できる。
【００７９】
（材料配置工程）
次に、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用インク（機能液）を親液部Ｈ１上に吐出して配置させる。なお、ここでは、導電性微粒子としてクロムを用いた配線パターン用インクＸ１を吐出する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００８０】
この材料配置工程では、図９（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴を親液部Ｈ１上に配置させる。
このとき、撥液部Ｈ２は撥液性が付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１の一部が撥液部Ｈ２にのっても撥液部Ｈ２からはじかれ、図１０（ａ）に示されるように、撥液部Ｈ２間の親液部Ｈ１に溜まるようになる。さらに、親液部Ｈ１は親液性を付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１が親液部Ｈ１にてより拡がり易くなり、これによって配線パターン用インクＸ１が、分断されることなく所定位置内でより均一に親液部Ｈ１を埋め込むようにすることができる。
【００８１】
（中間乾燥工程）
親液部Ｈ１に所定量の配線パターン用インクＸ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用インクＸ１は、自らの上に配置される他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
そして、この中間乾燥工程によって、図１０（ｂ）に示すように、親液部Ｈ１上には、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１の層が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも配線パターン用インクＸ１と他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
【００８２】
なお、この中間乾燥工程においても、上記第１実施形態と同様、配線パターン用インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。
【００８３】
そして、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１上に異なる導電性微粒子を含む配線パターン用インクを配置することによって親液部Ｈ１上に異なる種類の配線パターン用インクが積層されてなる配線パターンを形成する。なお、ここでは銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置する。
【００８４】
具体的には、上述の材料配置工程を配線パターン用インクＸ２を用いて再び行うことによって、図１０（ｃ）に示すように、配線パターン用インクＸ１上に配線パターン用インクＸ２を配置させる。
そして、上述の中間乾燥工程を再び行うことによって、配線パターン用インクＸ２の分散媒が除去され、図１０（ｄ）に示すように、親液部Ｈ１上に配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とが積層されてなる配線パターン３３が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去するための中間乾燥工程を省略して、後述する熱処理／光処理工程を行っても良い。
また、配線パターン用インクＸ２を配線パターン用インクＸ１上に配置させる前に、撥液部Ｈ２に再び撥液性を与える工程を行っても良い。これによって、配線パターン用インクＸ１を親液部Ｈ１に配置させた際に、撥液部Ｈ２に配線パターン用インクＸ１が接触することによって撥液部Ｈ２の撥液性が低下した場合であっても、配線パターン用インクＸ２を確実に親液部Ｈ１の配線パターン用インクＸ１上に配置させることが可能となる。
【００８５】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００８６】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
以上の工程によって、親液部Ｈ１にクロムと銀とが積層されてなる配線３３が形成される。
なお、機能液に、導電性微粒子でなく、熱処理または光処理により導電性を発現する材料を含有させておき、本熱処理／光処置工程において配線パターン３３に導電性を発現させても良い。
【００８７】
以上説明したように、本実施形態では、親液部Ｈ１にクロムと銀とが積層されてなる配線が形成されるので、配線としての主な機能を担う銀をクロムによって確実に基板Ｐに密着させることが可能となる。
【００８８】
なお、上記第１実施形態に示したバンクＢと同様、配線パターン用インクＸ１，Ｘ２の一部が、例えば撥液部Ｈ２に触れた場合には、撥液部Ｈ２に微細な残渣が残る場合がある。このため、親液部Ｈ１上に配線３３を形成した後に、撥液部Ｈ２の残渣を除去する工程を行うことが好ましい。具体的には、Ｏ２アッシング処理やＵＶ照射処理によって、撥液部Ｈ２上の残渣を除去することができる。
【００８９】
（第６実施形態）
第６実施形態として、上記第５実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図１１を参照して説明する。なお、本第６実施形態においては、上記第５実施形態と異なる部分について説明する。
【００９０】
本第６実施形態では、上記第５実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図１１に示すように、にチタンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ３と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、親液部Ｈ１上には、基板Ｐから順に配線パターン用インクＸ３、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ３の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ３に挟まれた状態で親液部Ｈ１上に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ３に上記第５実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、親液部Ｈ１上には、チタン、銀、チタンの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００９１】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなる配線３３は、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。従って、本実施形態によれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制した配線３３を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、上述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００９２】
（第７実施形態）
第７実施形態として、上記第５実施形態及び第６実施形態とは異なる構成からなる配線について、図１２を参照して説明する。なお、本第７実施形態においては、上記第５実施形態と異なる部分について説明する。
【００９３】
本第７実施形態では、上記第５実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図１２に示すように、親液部Ｈ１上にクロムを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ１と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２を積層させる。なお、図示するように、親液部Ｈ１上には、配線パターン用インクＸ１、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ１の順で積層されている。すなわち、配線パターン用インクＸ２は、配線パターン用インクＸ１に挟まれた状態で親液部Ｈ１上に配置されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ１，Ｘ２に上記第５実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、親液部Ｈ１には、クロム、銀、クロムの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００９４】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるクロムの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上されると共に、銀の上に配置されるクロムの層によって、銀の酸化及び損傷を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、密着性が向上すると共に、耐酸化性及び耐傷性を有した配線３３を得ることが可能となる。
【００９５】
（第８実施形態）
第８実施形態として、上記第５実施形態〜第７実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図１３を参照して説明する。なお、本第８実施形態においては、上記第５実施形態と異なる部分について説明する。
【００９６】
本第８実施形態では、上記第５実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図１３に示すように、親液部Ｈ１上に、基板Ｐから順にマンガンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ４、銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２、ニッケルを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ５が順に積層されている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ４，Ｘ５に上記第５実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、親液部Ｈ１上には、マンガン、銀、ニッケルの順に積層されてなる配線３３が形成される。
【００９７】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルが配置されることによって、配線３３が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができる配線３３を得ることが可能となる。
【００９８】
（第９実施形態）
第９実施形態として、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図１４は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１５は図１４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１６は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１７は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【００９９】
図１４及び図１５において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【０１００】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【０１０１】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１０２】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１６に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１０３】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１５に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１０４】
図１７はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記実施形態のパターン形成方法によって形成された複数の異なる材料が積層されてなるゲート配線６１が形成されている。なお、本実施形態では、ゲート配線６１を形成する際に、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃まで加熱されるため、その温度に耐えられる材料として無機質のバンク材を用いている。また、本実施形態においては、クロム６１ａと銀６１ｂとが積層されてなるゲート配線６１を一例として図示する。
【０１０５】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【０１０６】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を形成し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、ソース線、ドレイン線を形成することができる。なお、これらのソース線及びドレイン線も本発明に係るパターンとして構成することが可能である。
【０１０７】
したがって、本実施形態では、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線を複数の異なる材料が積層されてなる配線として形成することができ、複数の機能性を有するゲート線６１、ソース線及びドレイン線を得ることができる。
なお、この配線が上記第１実施形態において説明したクロムと銀との２層からなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、上記配線が第２実施形態において説明したチタン、銀、チタンの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線のエレクトロマイグレーションが抑制された液晶表示装置１００を得ることができる。また、上記配線が第３実施形態において説明したクロム、銀、クロムの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に耐酸化性及び耐傷性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、上記配線が上記第４実施形態において説明したマンガン、銀、ニッケルの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に銀のプラズマ処理による劣化が抑止された液晶表示装置１００を得ることができる。
なお、本実施形態においては、図１７に示すようにバンクＢ、Ｂ間にゲート線６１を形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図１８に示すように、基板Ｐに親液部Ｈ１と撥液部Ｈ２を形成し、親液部Ｈ１上にゲート配線６１を形成しても良い。
【０１０８】
（第１０実施形態）
上記実施の形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、上記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。
本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものであり、複数の機能性を有する配線を備える有機ＥＬデバイスを得ることができる。
【０１０９】
図１９は、上記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図１９を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１９において、有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、上述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【０１１０】
各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【０１１１】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【０１１２】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための液状体材料を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための液状体材料を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって上記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで上記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【０１１３】
（第１１実施形態）
上述した実施形態においては、本発明に係るパターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図２０を参照しながら説明する。
【０１１４】
図２０（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板５１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝５１１ａを設けるための第１層目のバンク５１１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク５１１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。
【０１１５】
この形成後のバンク５１１に撥液性を持たせるために、ＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【０１１６】
以上のようにして撥液化されたバンク５１１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上、またガラス面の接触角としては、１０°以下を確保することが好ましい。すなわち、本発明者らが試験により確認した結果、例えば導電性微粒子（テトラデカン溶媒）に対する処理後の接触角は、バンク５１１の素材としてアクリル樹脂系を採用した場合には約５４．０°（未処理の場合には１０°以下）を確保することができる。なお、これら接触角は、プラズマパワー５５０Ｗのもと、４フッ化メタンガスを０．１Ｌ／ｍｉｎで供給する処理条件下で得たものである。
【０１１７】
上記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク５１１で区画された描画領域である上記溝５１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することでゲート走査電極５１２を形成する。そして、ゲート走査電極５１２を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
【０１１８】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極５１２は、バンク５１１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝５１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【０１１９】
以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１１とゲート走査電極５１２からなる平坦な上面を備えた銀（Ａｇ）からなる第１の導電層Ａ１が形成される。
【０１２０】
また、溝５１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図２０（ａ）に示すように、この溝５１１ａの形状として順テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【０１２１】
次に、図２０（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜５１３、活性層５１０、コンタクト層５０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜５１３として窒化シリコン膜、活性層５１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層５０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【０１２２】
上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図２０（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ上記溝５１１ａと交差する溝５１４ａを設けるための２層目のバンク５１４を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク５１４としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。
【０１２３】
この形成後のバンク５１４に撥液性を持たせるためにＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１４の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【０１２４】
以上のようにして撥液化されたバンク５１４の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上を確保することが好ましい。
【０１２５】
上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク５１４で区画された描画領域である上記溝５１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図２０（ｄ）に示すように、上記ゲート走査電極５１２に対して交差するソース電極５１５及びソース電極５１６が形成される。そして、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を形成するときに、本発明に係るパターンの形成方法が適用される。
【０１２６】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極５１５及びドレイン電極５１６は、バンク５１４に十分な撥液性が予め与えられているので、溝５１４ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【０１２７】
また、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を配置した溝５１４ａを埋めるように絶縁材料５１７が配置される。以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１４と絶縁材料５１７からなる平坦な上面５２０が形成される。
【０１２８】
そして、絶縁材料５１７にコンタクトホール５１９を形成するとともに、上面５２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）５１８を形成し、コンタクトホール５１９を介してドレイン電極５１６と画素電極５１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【０１２９】
（第１２実施形態）
図２１は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図２１に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１３０】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２１においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１３１】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１３２】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するフィルム状のベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１３３】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が上記デバイス製造方法によって形成されている。
本実施形態の液晶表示装置によれば、複数の機能を有する配線を備える液晶表示装置を得ることができる。
【０１３４】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を上記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１３５】
（第１３実施形態）
第１３実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図２２に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。
【０１３６】
本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係るパターン形成方法によって形成された複数の材料が積層されてなるパターンによって構成されている。
したがって、複数の機能性を有するアンテナ回路４１２を備えた非接触型カード媒体を製造することができる。
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１３７】
（第１４実施形態）
第７実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２３（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２３（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２３（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２３（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、複数の機能性を有したパターンを備える電子機器を提供することが可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１３８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態を説明するための図である。
【図７】本発明の第３実施形態を説明するための図である。
【図８】本発明の第４実施形態を説明するための図である。
【図９】本発明の第５実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図１０】本発明の第５実施形態の配線パターン形成する手順を示す図である。
【図１１】本発明の第６実施形態を説明するための図である。
【図１２】本発明の第７実施形態を説明するための図である。
【図１３】本発明の第８実施形態を説明するための図である。
【図１４】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１５】図１４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１６】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１７】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１８】図１７に示した液晶表示装置の変形例を示す図である。
【図１９】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図２０】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図２１】液晶表示装置の別形態を示す図である。
【図２２】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図２３】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【０１４０】
Ｂ……バンク、Ｐ……基板、Ｘ１〜Ｘ３……配線パターン用インク（機能液）、３０……ＴＦＴ（スイッチング素子）、３３……配線パターン（パターン）、３４……バンク間、Ｈ１……親液部（被機能液配置領域）、Ｈ２……撥液部（撥液領域）、１００……液晶表示装置（電気光学装置）、４００……非接触型カード媒体（電子機器）、６００……携帯電話本体（電子機器）、７００……情報処理装置（電子機器）、８００……時計本体（電子機器）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液を基板上に配置させて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記配線パターンの形成領域に応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記バンク間に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記バンクの表面に撥液性を与えることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項２】
前記機能液を前記バンク間に配置させる前に、前記バンク間に露出した前記基板の表面に親液性を与える工程を有することを特徴とする請求項１に記載の配線パターン形成方法。
【請求項３】
機能液を基板上に配置させて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記配線パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域を親液化する親液化処理工程と、
前記被機能液配置領域を囲む領域を撥液化する撥液化処理工程と、
前記被機能液配置領域上に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記被機能液配置領域上に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記被機能液配置領域を囲む領域に撥液性を与えることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項４】
前記被機能液配置領域を囲む領域は、単分子膜が前記基板上に形成されることによって撥液化される領域であることを特徴とする請求項３に記載の配線パターン形成方法。
【請求項５】
前記単分子膜は、有機分子からなる自己組織化膜であることを特徴とする請求項４記載の配線パターン形成方法。
【請求項６】
前記被機能液配置領域を囲む領域は、フッ化重合膜が前記基板上に形成されることによって撥液化される領域であることを特徴とする請求項３に記載の配線パターン形成方法。
【請求項７】
前記第１の機能液または前記第２の機能液の少なくとも一方には、熱処理または光処理により導電性を発現する材料が含まれることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の配線パターン形成方法。
【請求項８】
基板上に形成された配線パターンを備えるデバイスの製造方法であって、
請求項１〜７いずれかに記載の配線パターン形成方法によって前記基板上に前記配線パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
アンテナ回路を備える非接触型カード媒体の製造方法であって、
基板上に前記アンテナ回路の形成領域に応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記バンク間に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記バンクの表面に撥液性を与えることを特徴とする非接触型カード媒体の製造方法。
【請求項１０】
アンテナ回路を備える非接触型カード媒体の製造方法であって、
基板上の前記アンテナ回路の形成領域に応じた被機能液配置領域を親液化する親液化処理工程と、
前記被機能液配置領域を囲む領域を撥液化する撥液化処理工程と、
前記被機能液配置領域上に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記被機能液配置領域上に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記被機能液配置領域を囲む領域に撥液性を与えることを特徴とする非接触型カード媒体の製造方法。
【請求項１１】
薄膜トランジスタを備える電気光学装置の製造方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタに接続される配線パターンの形成領域に応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記バンク間に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記バンクの表面に撥液性を与えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
薄膜トランジスタを備える電気光学装置の製造方法であって、
基板上の前記薄膜トランジスタに接続される配線パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域を親液化する親液化処理工程と、
前記被機能液配置領域を囲む領域を撥液化する撥液化処理工程と、
前記被機能液配置領域上に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記被機能液配置領域上に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記被機能液配置領域を囲む領域に撥液性を与えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
アクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、
前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、
前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、
前記第１の工程、前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも１つの工程では、請求項１〜７いずれかに記載の配線パターン形成方法を用いることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１】
機能液を基板上に配置させて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記配線パターンの形成領域に応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記バンク間に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記バンクの表面に撥液性を与えることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項２】
前記機能液を前記バンク間に配置させる前に、前記バンク間に露出した前記基板の表面に親液性を与える工程を有することを特徴とする請求項１に記載の配線パターン形成方法。
【請求項３】
機能液を基板上に配置させて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記配線パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域を親液化する親液化処理工程と、
前記被機能液配置領域を囲む領域を撥液化する撥液化処理工程と、
前記被機能液配置領域上に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記被機能液配置領域上に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記被機能液配置領域を囲む領域に撥液性を与えることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項４】
前記被機能液配置領域を囲む領域は、単分子膜が前記基板上に形成されることによって撥液化される領域であることを特徴とする請求項３に記載の配線パターン形成方法。
【請求項５】
前記単分子膜は、有機分子からなる自己組織化膜であることを特徴とする請求項４記載の配線パターン形成方法。
【請求項６】
前記被機能液配置領域を囲む領域は、フッ化重合膜が前記基板上に形成されることによって撥液化される領域であることを特徴とする請求項３に記載の配線パターン形成方法。
【請求項７】
前記第１の機能液または前記第２の機能液の少なくとも一方には、熱処理または光処理により導電性を発現する材料が含まれることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の配線パターン形成方法。
【請求項８】
基板上に形成された配線パターンを備えるデバイスの製造方法であって、
請求項１〜７いずれかに記載の配線パターン形成方法によって前記基板上に前記配線パターンを形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
アンテナ回路を備える非接触型カード媒体の製造方法であって、
基板上に前記アンテナ回路の形成領域に応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記バンク間に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記バンクの表面に撥液性を与えることを特徴とする非接触型カード媒体の製造方法。
【請求項１０】
アンテナ回路を備える非接触型カード媒体の製造方法であって、
基板上の前記アンテナ回路の形成領域に応じた被機能液配置領域を親液化する親液化処理工程と、
前記被機能液配置領域を囲む領域を撥液化する撥液化処理工程と、
前記被機能液配置領域上に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記被機能液配置領域上に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記被機能液配置領域を囲む領域に撥液性を与えることを特徴とする非接触型カード媒体の製造方法。
【請求項１１】
薄膜トランジスタを備える電気光学装置の製造方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタに接続される配線パターンの形成領域に応じたバンクを形成する工程と、
前記バンク間に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記バンク間に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記バンクの表面に撥液性を与えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
薄膜トランジスタを備える電気光学装置の製造方法であって、
基板上の前記薄膜トランジスタに接続される配線パターンの形成領域に応じた被機能液配置領域を親液化する親液化処理工程と、
前記被機能液配置領域を囲む領域を撥液化する撥液化処理工程と、
前記被機能液配置領域上に、導電性微粒子を含む第１の機能液を配置する工程と、
前記被機能液配置領域上に配置された前記第１の機能液を固化させる工程と、
固化された前記第１の機能液の上に、前記第１の機能液が含む前記導電性微粒子と異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置する工程と、
を有し、
前記第１の機能液が固化された後に、前記被機能液配置領域を囲む領域に撥液性を与えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
アクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、
前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、
前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、
前記第１の工程、前記第４の工程及び前記第６の工程の少なくとも１つの工程では、請求項１〜７いずれかに記載の配線パターン形成方法を用いることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２００６−３１３９１６（Ｐ２００６−３１３９１６Ａ）
【公開日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３５５５３（Ｐ２００６−１３５５５３）
【出願日】平成１８年５月１５日（２００６．５．１５）
【分割の表示】特願２００４−１１８８３８（Ｐ２００４−１１８８３８）の分割
【原出願日】平成１６年４月１４日（２００４．４．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１１月１６日（２００６．１１．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１５日（２００６．５．１５）
【分割の表示】特願２００４−１１８８３８（Ｐ２００４−１１８８３８）の分割
【原出願日】平成１６年４月１４日（２００４．４．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]