【課題】特性をさらに向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】高電圧側電界効果トランジスタ２０ａの高電圧側ドレイン電極１１ａと、高電圧側ドレイン電極１１ａの一側方に間隔をおいて形成される高電圧側ゲート電極１２ａと、高電圧側ゲート電極１２ａの一側方に間隔をおいて形成され、高電圧側電界効果トランジスタ２０ａのソース電極であり、低電圧側電界効果トランジスタ２１ａのドレイン電極であるソース兼ドレイン電極１３ａと、ソース兼ドレイン電極１３ａの一側方に間隔をおいて形成される低電圧側電界効果トランジスタ２１ａの低電圧側ゲート電極１４ａと、低電圧側ゲート電極１４ａの一側方に間隔をおいて形成される低電圧側電界効果トランジスタ２１ａの低電圧側ソース電極１５ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチに接続される回路を保護することができるスイッチ及びスイッチの制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスイッチ５０は、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第１端子２０と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ１と、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第２端子２２と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ２と、を備え、ＦＥＴ１をオフするためにＦＥＴ１のゲートに印加される電圧の絶対値は、ＦＥＴ２をオフするためにＦＥＴ２のゲートに印加される電圧の絶対値に比べて小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を増大させずにオンチップでＨＥＭＴの動作状況をモニターする。
【解決手段】
この半導体装置１０においては、第１の半導体層である電子走行層１１上に、第２の半導体層である電子供給層１２が形成されている。これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。この半導体装置１０において、電子は、電子供給層１２の表面に形成された第１の主電極であるソース電極１４と、同様にこの表面に形成された第２の主電極であるドレイン電極１５との間を、この２ＤＥＧ層１３を通って流れる。ゲート電極１６とソース電極１４との間の電子供給層１２上に電位検出電極１７が設置される。この電位検出電極１７には、動作時にこの電位検出電極１７に流れる電流がドレイン電流と比べて無視できる程度となるような、充分に高い抵抗値をもつ抵抗１８が接続される。 （もっと読む）

【課題】ゲートリセスの深さの制御を安定的に行なえるようにして、ノーマリオフ動作のデバイスを安定的に作製できるようにする。
【解決手段】半導体装置を、基板１の上方に設けられたＧａＮ電子走行層２と、ＧａＮ電子走行層２上に設けられた第１ＡｌＧａＮ電子供給層３と、第１ＡｌＧａＮ電子供給層３上に設けられたＡｌＮ電子供給層４と、ＡｌＮ電子供給層４上に設けられた第２ＡｌＧａＮ電子供給層５と、第２ＡｌＧａＮ電子供給層５及びＡｌＮ電子供給層４に設けられたゲートリセス９と、ゲートリセス９に設けられたゲート電極１２とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】意図しない低周波信号の入力を防止することにより、規格値を超過するドレイン電流を発生することを回避できる接合形電界効果トランジスタを用いた増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量を付加し、当該容量とＪ−ＦＥＴ１のゲート−ソース間に接続される抵抗２とによってハイパスフィルタ５を構成する。ハイパスフィルタ５の遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。チップを構成する基板の裏面にイオン注入によりｎ型不純物層を設け、ｐ＋型半導体基板とｐｎ接合を形成して接合容量をハイパスフィルタ５の容量４とする。 （もっと読む）

【課題】Ｊ−ＦＥＴを増幅回路装置として採用する場合に、意図しない低周波信号の入力を防止し、規格値を超過するドレイン電流が発することを回避する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量を付加し、当該容量とＪ−ＦＥＴのゲート−ソース間に接続される抵抗とによってハイパスフィルタ５を構成する。ハイパスフィルタ５の遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。ｎ型半導体基板上にバックゲート領域となるｐ型半導体層を設けてｐｎ接合を形成し、この接合容量をハイパスフィルタ５の容量とする。 （もっと読む）

【課題】意図しない低周波信号の入力を防止し規格値を超過するドレイン電流が発生することを回避できる増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量４を付加し、当該容量４とＪ−ＦＥＴ１のゲート−ソース間に接続される抵抗２とによってハイパスフィルタを構成する。ハイパスフィルタの遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。チップを構成する基板の裏面に絶縁層を設けてこれを誘電体とし、導電部材と基板とで平行平板型の容量４を接続する。 （もっと読む）

【課題】検波できる周波数が高く、トンネル電流が流れやすい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層に接して形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層に接して形成された第２の導電型の第３の半導体層と、を有し、前記第１の半導体層において、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との界面より所定の距離離れた位置には第１の半導体領域が形成されており、前記第１の半導体領域における不純物濃度は、前記第１の半導体領域を除く前記第１の半導体層における不純物濃度よりも高いものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電源制御装置システム（２５）の動作中に、システム（２５）の動作を抑止する方法を提供する。
【解決手段】例えば、負荷（６３）にシステム（２５）の動作を抑止する条件を検出した場合、抑止トランジスタ（３５）をオンにし、出力（４８）を低に引き下げ、キャパシタ（４９）を放電させる。キャパシタ（４９）が初期電圧値より低い値まで放電されると、検出器４０は、トランジスタ（４４）をオンにし、装置（１２）のトランジスタ（１５）をオフにする。その結果、システム（２５）は、出力（２１）から供給される第２出力電流の供給を抑止し、第２出力電流よりはるかに小さい第１出力電流のみを出力（１９）から供給する。制御装置（５１）が動作しないため、システム（２５）から負荷（６３）への電圧供給が停止される。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ソース間の容量低減及びソース抵抗を低減させ、且つ耐圧向上、高出力化及び高周波化を、容易且つ確実に可能とする量産化に優れた信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極１９を形成する際に、４層の電子線レジスト１１〜１４を用いてゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内に、キャップ層５の表面との接触面を含む幹状の下方部分１９ａと下方部分１９ａから傘状に拡がる上方部分１９ｂとが一体形成されてなり、下方部分１９ａの接触面がドレイン電極７に比べてソース電極６に偏倚した位置に設けられており、上方部分１９ｂの傘状の下端面のうちソース電極６側の部位がドレイン電極７側の部位よりもキャップ層５の表面からの高さが高いゲート電極１９を形成する。 （もっと読む）