【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】隣接するＳＯＩ領域とバルクシリコン領域とが短絡することを防止する。
【解決手段】一つの活性領域内にＳＯＩ領域およびバルクシリコン領域が隣接する半導体装置において、それぞれの領域の境界にダミーゲート電極８を形成することにより、ＢＯＸ膜４上のＳＯＩ膜５の端部のひさし状の部分の下部の窪みにポリシリコン膜などの残渣が残ることを防ぐ。また、前記ダミーゲート電極８を形成することにより、それぞれの領域に形成されたシリサイド層１４同士が接触することを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぐことができる半導体装置。
【解決手段】複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路が、上記信号を生成するシフトレジスタを有しており、上記シフトレジスタにおいて、複数のトランジスタのゲート電極として機能する一の導電膜を複数に分割し、上記分割された導電膜どうしを、分割された導電膜と異なる層に形成された導電膜により、電気的に接続する構成を有する。上記複数のトランジスタには、シフトレジスタの出力側のトランジスタが含まれるものとする。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制し、キャパシタの端部の段差を小さくできるトレンチ型ＰＩＰキャパシタとそれを用いたパワー集積回路装置およびパワー集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】トレンチ５２内壁に分離絶縁層５３を配置し、この分離絶縁層５３を介して下部電極となる第１ポリシリコン５４を埋め込んだトレンチ型ＰＩＰキャパシタ５０を半導体基板に形成することで、キャパシタの端部に形成される段差を低減できる。その結果、配線となるメタル層５９を過度に厚くする必要がなく、メタル層５９を微細化することができる。その結果、パワーＩＣを微細化することができる。 （もっと読む）

【課題】低周波雑音が低減されるとともに、素子面積の小さい半導体装置及びその製造方法を製造コストを増大させずに提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型の下部ゲート領域４と、第２導電型のチャネル領域３と、第１導電型の上部ゲート領域２と、チャネル領域３の両側に位置する第２導電型のソース及びドレイン領域８と、上部ゲート領域２上に形成されたゲート電極６と、ゲート電極６の両側面上に形成されたサイドウォールスペーサ７とを有するＪＦＥＴ７０を備える。上部ゲート領域２とソース及びドレイン領域８とは、チャネル領域３のうちサイドウォールスペーサ７の下に位置する部分を挟んで互いに離間しており、ソース及びドレイン領域８は、ゲート長方向におけるゲート電極６の両側方であってサイドウォールスペーサ７の外側を含む領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接続電極のピッチを大きくせずにゲートの寄生容量を小さくすることができ、回路の高速化と層間接続の高密度化の両立が図れる積層型半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１のゲート６０と、該第１のゲートよりも下層に形成された第１及び第２の不純物拡散領域３１、３３とを有する第１の半導体素子７０と、
前記第１のゲートと対向して接合された第２のゲート６５と、該第２のゲートよりも上層に形成された第３及び第４の不純物拡散領域３６、３８とを有する第２の半導体素子７５と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の不純物濃度を好適に制御する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１を半導体基板１に対するマスクとして半導体基板１へイオン注入を行うことにより、第２トランジスタのドレイン１７５を形成するとともに、第２トランジスタ１７０のゲート電極１７１へイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた炭化シリコン膜を形成することができる炭化シリコンからなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁膜２を介してシリコン膜３が形成された半導体基板を用意し、炭化シリコン膜６形成予定領域を選択的に被覆するマスク膜５を形成する。このマスク膜５で被覆されない領域のシリコン膜３を酸化し、酸化シリコン膜４を形成する。マスク膜５を除去し、シリコン膜３を露出させ、露出したシリコン膜３を炭化し、炭化シリコン膜６を形成する。その後、炭化シリコン膜６上に炭化シリコンのエピタキシャル成長膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、入力電圧ラインと誘導性負荷との間に接続される第１のスイッチング素子と、誘導性負荷と基準電圧ラインとの間に並列接続される第２のスイッチング素子とを備えている。０＜（第２のスイッチング素子の閾値電圧）＜（第２のスイッチング素子の内蔵ダイオードのオン電圧）である。第２のスイッチング素子のゲート電圧が基準電位の場合に、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子との接続点の電位が、−（第２のスイッチング素子の閾値電圧）より大きくなると第２のスイッチング素子はオフし、接続点の電位が、−（第２のスイッチング素子の閾値電圧）より小さくなると第２のスイッチング素子はオンする。 （もっと読む）